Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС микросхСмы

Π­Π»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠ½ΠΈΠΊΠ° для всСх

Π‘Π»ΠΎΠ³ ΠΎ элСктроникС

Tag Archives: ΠžΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС

Π˜Π·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ

ΠŸΡ€ΠΈ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π΅ автоматичСской систСмой Π½Π°ΠΌ Π² ΠΏΠΎΠ΄Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰Π΅ΠΌ Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΠ½ΡΡ‚Π²Π΅ случаСв Π±ΡƒΠ΄ΡƒΡ‚ Π½ΡƒΠΆΠ½Ρ‹ Π±ΡƒΠ΄ΡƒΡ‚ Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠΈ, способныС Π·Π°ΠΌΠ΅Ρ€ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ€Π°Π·Π½Ρ‹Π΅ Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρ‹. И Ρ…ΠΎΡ‚ΡŒ сСйчас ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π°ΡŽΡ‚ распространСниС Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠΈ, Π²Ρ€ΠΎΠ΄Π΅ Ρ‚Π΅Ρ€ΠΌΠΎΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π° DS1820, всС ΠΆΠ΅ Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠΎΠ² Π½Π°ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ большС. ΠŸΠΎΡΡ‚Π°Ρ€Π°ΡŽΡΡŒ ΠΊΡ€Π°Ρ‚ΠΊΠΎ ΠΎΠΏΠΈΡΠ°Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°ΠΊ со всСм этим хозяйством Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ.

Π’Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ с Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠ° ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Ρ‚Ρ€Π΅Ρ… основных Π²ΠΈΠ΄ΠΎΠ² (Ссли ΠΊΡ‚ΠΎ вспомнит Π΅Ρ‰Π΅, Π΄ΠΎΠ±Π°Π²ΡŒΡ‚Π΅ Π² ΠΊΠΎΠΌΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Ρ…)
НапряТСнчСский, Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ ΠΈ рСзистивный. Как понятно ΠΈΠ· названия, Ρ‚ΡƒΡ‚ выходная Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊ ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ€Π°Ρ‰Π°Π΅Ρ‚ колСбания ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½Π½ΠΎΠΉ Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρ‹ Π² колСбания напряТСния, Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΈΠ»ΠΈ сопротивлСния, ΠΎΡΡ‚Π°Π»ΠΎΡΡŒ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ эти Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρ‹ привСсти ΠΊ Π²ΠΈΠ΄Ρƒ ΡƒΠ΄ΠΎΠ±Π½ΠΎΠΌΡƒ для запихивания Π² АЦП ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€Π°.
(далСС…)

Π Π°Π±ΠΎΡ‚Π° с АЦП. АппаратныС срСдства ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ точности

Π€ΠΈΠ»ΡŒΡ‚Ρ€Π°Ρ†ΠΈΡ напряТСния
Π’ ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΡƒΡŽ ΠΎΡ‡Π΅Ρ€Π΅Π΄ΡŒ, Π½Π°Π΄ΠΎ ΠΏΠΎΠ·Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΈΡ‚ΡŒΡΡ ΠΎ качСствС ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния. Π’Π΅Π΄ΡŒ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ находится Π² прямой зависимости ΠΎΡ‚ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния.

Π“Π΄Π΅, n β€” Ρ€Π°Π·Ρ€ΡΠ΄Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ АЦП.
ΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΠΌΡƒ ΠΆΠ΅Π»Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΡΠΏΠ΅Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΡƒΡŽ микросхСму β€” Π˜ΡΡ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΈΠΊ ΠžΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ НапряТСния, Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, ADR420 ΠΈΠ»ΠΈ REF195. Π‘Ρ‚ΠΎΠΈΡ‚ΡŒ ΠΎΠ½ΠΈ ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ нСдСшСво β€” сотни Ρ€ΡƒΠ±Π»Π΅ΠΉ, Π½ΠΎ Π·Π°Ρ‡Π°ΡΡ‚ΡƒΡŽ ΠΎΠ½ΠΎ стоит Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ. ΠŸΡ€Π΅Ρ†ΠΈΠ·ΠΈΠΎΠ½Π½Π°Ρ аналоговая элСктроника Π² ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΠ΅ Π½Π΅ дСшСвая. По Π½Π°Ρ‡Π°Π»Ρƒ я Ρ‚ΠΎΠΆΠ΅ пугался Ρ†Π΅Π½Π°ΠΌ Π² 500-600 Ρ€ΡƒΠ±Π»Π΅ΠΉ Π·Π° ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΌ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ. А сСйчас Π½ΠΈΡ‡Π΅Π³ΠΎ, ΠΏΡ€ΠΈΠ²Ρ‹ΠΊ πŸ™‚ Π’ΠΏΡ€ΠΎΡ‡Π΅ΠΌ, Π² Ρ„Π°Π½Π°Ρ‚ΠΈΠ·ΠΌ Π²ΠΏΠ°Π΄Π°Ρ‚ΡŒ Π½Π΅ стоит. На Ρ…ΡƒΠ΄ΠΎΠΉ ΠΊΠΎΠ½Π΅Ρ†, Ссли ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ AVR, Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ 2ΠœΠ—Π  (младший Π·Π½Π°Ρ‡Π°Ρ‰ΠΈΠΉ разряд, Ссли Π·Π°Π±Ρ‹Π») Π½Π° дСсяти Π±ΠΈΡ‚Π°Ρ…, Ρ‚ΠΎ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π½Π΅ Π·Π°ΠΌΠΎΡ€Π°Ρ‡ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ с Π΄ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΡƒΡ‰ΠΈΠΌΠΈ ИОН ΠΈ Π³ΠΎΡ€ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΠΎΠΏΡ€ΠΎΡ‰Π΅, Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€ Π½Π° LM336Z-5.0, Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅ΠΌΡ‹Ρ… ΠΏΠΎΠ΄ΠΎΠ±Π½ΠΎ стабилитрону, Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ ΠΊΡƒΠ΄Π° Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎΠΌΡƒ. (далСС…)

ΠŸΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€Π°. Π›ΠΈΠΊΠ±Π΅Π·.

Казалось Π±Ρ‹ простая Ρ‚Π΅ΠΌΠ°, Π° ΠΎΠ΄Π½Π°ΠΊΠΎ Π² ΠΊΠΎΠΌΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Ρ… мСня Π·Π°Π²Π°Π»ΠΈΠ»ΠΈ вопросами ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€. Как ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΊ Π½Π΅ΠΌΡƒ свСтодиод, ΠΊΠ½ΠΎΠΏΠΊΡƒ, ΠΏΠΈΡ‚Π°Π½ΠΈΠ΅. Π§Ρ‚ΠΎ Π΄Π΅Π»Π°Ρ‚ΡŒ с AGND ΠΈΠ»ΠΈ AREF. Π—Π°Ρ‡Π΅ΠΌ Π½ΡƒΠΆΠ΅Π½ AVCC ΠΈ всС Π² Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΌ Π΄ΡƒΡ…Π΅. Π˜Ρ‚Π°ΠΊ, Ρ€Π°Π· Π΅ΡΡ‚ΡŒ вопросы, Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚ Ρ‚Π΅ΠΌΠ° Π½Π΅ понятна ΠΈ Π½Π°Π΄ΠΎ Π΄Π°Ρ‚ΡŒ ΠΏΠΎ возмоТности ΠΈΡΡ‡Π΅Ρ€ΠΏΡ‹Π²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ ΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚. ВсС ΠΎΠΏΠΈΡΡ‹Π²Π°ΡŽ для ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€ΠΎΠ² AVR, Π½ΠΎ для ΠΊΠ°ΠΊΠΈΡ… Π½ΠΈΠ±ΡƒΠ΄ΡŒ PIC всС ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ ΠΈ ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ ΠΏΠΎΡ…ΠΎΠΆΠ΅. Π’.ΠΊ. ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΡ‹ Ρ‚ΡƒΡ‚ Π΅Π΄ΠΈΠ½Ρ‹.

ΠŸΠΈΡ‚Π°Π½ΠΈΠ΅
Для Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€Ρƒ Π½ΡƒΠΆΠ½Π° энСргия β€” элСктричСство. Для этого Π½Π° Π½Π΅Π³ΠΎ СстСствСнно Π½ΡƒΠΆΠ½ΠΎ завСсти ΠΏΠΈΡ‚Π°Π»ΠΎΠ²ΠΎ. НапряТСниС ΠΏΠΈΡ‚Π°Π½ΠΈΠ΅ Ρƒ МК Atmel AVR разнится ΠΎΡ‚ 1.8 Π΄ΠΎ 5 Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚, Π² зависимости ΠΎΡ‚ сСрии ΠΈ ΠΌΠΎΠ΄Π΅Π»ΠΈ. ВсС AVR ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ ΠΎΡ‚ 5 Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚ (Ссли Π΅ΡΡ‚ΡŒ чисто Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚Π½Ρ‹Π΅ сСрии, Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΡΡŒΠ±Π° ΡƒΡ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΈΡ‚ΡŒ Π² ΠΊΠΎΠΌΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Ρ…, Ρ‚.ΠΊ. я Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… Π½Π΅ встрСчал). Π’Π°ΠΊ Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π±ΡƒΠ΄Π΅ΠΌ ΡΡ‡ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ Ρ‡Ρ‚ΠΎ напряТСниС питания ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€Π° Ρƒ нас всСгда 5 Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚ ΠΈΠ»ΠΈ ΠΎΠΊΠΎΠ»ΠΎ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ. Плюс напряТСния питания ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ обозначаСтся ΠΊΠ°ΠΊ Vcc. НулСвой Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ (Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ЗСмля, ΠšΠΎΡ€ΠΏΡƒΡ, Π΄Π° ΠΊΠ°ΠΊ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ Π΅Π³ΠΎ Π½Π΅ Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚) ΠΎΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°ΡŽΡ‚ GND. Если Π²Π·ΡΡ‚ΡŒ Π·Π° ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ Π±Π»ΠΎΠΊ питания. Π’ΠΎ Ρ‡Π΅Ρ€Π½Ρ‹ΠΉ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ это GND (кстати, зСмляной ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ Ρ‚Ρ€Π°Π΄ΠΈΡ†ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎ ΠΎΠΊΡ€Π°ΡˆΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ Π² Ρ‡Π΅Ρ€Π½Ρ‹ΠΉ Ρ†Π²Π΅Ρ‚), Π° красный это +5, Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ нашим Vcc. Если Ρ‚Ρ‹ ΡΠΎΠ±ΠΈΡ€Π°Π΅ΡˆΡŒΡΡ Π·Π°ΠΏΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€ ΠΎΡ‚ Π±Π°Ρ‚Π°Ρ€Π΅Π΅ΠΊ, Ρ‚ΠΎ минус Π±Π°Ρ‚Π°Ρ€Π΅Π΅ΠΊ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅ΠΌ Π·Π° GND, Π° плюс Π·Π° Vcc (Π³Π»Π°Π²Π½ΠΎΠ΅ Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ напряТСниС питания с Π±Π°Ρ‚Π°Ρ€Π΅ΠΉ Π±Ρ‹Π»ΠΎ Π² Π·Π°Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π°Ρ… для Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ МК, ΠΏΠΎΠ·Ρ‹Ρ€ΡŒ Π² Π΄Π°Ρ‚Π°ΡˆΠΈΡ‚Π΅. ΠŸΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ написан Π½Π° ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠΉ страницС Π² ΠΎΠ±Ρ‰Π΅ΠΌ описании Ρ„ΠΈΡ‡:

β€’ Operating Voltages
–1.8 β€” 5.5V (ATtiny2313V)
–2.7 β€” 5.5V (ATtiny2313)
β€’ Speed Grades
–ATtiny2313V: 0 β€” 4 MHz @ 1.8 β€” 5.5V, 0 β€” 10 MHz @ 2.7 β€” 5.5V
–ATtiny2313: 0 β€” 10 MHz @ 2.7 β€” 5.5V, 0 β€” 20 MHz @ 4.5 β€” 5.5V

ΠžΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΠΈ Π²Π½ΠΈΠΌΠ°Π½ΠΈΠ΅, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π΅ΡΡ‚ΡŒ особыС Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚Π½Ρ‹Π΅ сСрии (Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€ 2313V Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠ²Π»ΡŒΡ‚Π½Π°Ρ) Ρƒ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… ниТня Π³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ†Π° напряТСния питания сильно мСньшС. Π’Π°ΠΊΠΆΠ΅ стоит ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΠΈΡ‚ΡŒ Π²Π½ΠΈΠΌΠ°Π½ΠΈΠ΅ Π½Π° ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΉ ΠΏΡƒΠ½ΠΊΡ‚, ΠΏΡ€ΠΎ частоты. Π’ΡƒΡ‚ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Π° Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ максимальной частоты ΠΎΡ‚ напряТСния питания. Π’ΠΈΠ΄Π½ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π½Π° Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠΌ напряТСнии ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ частоты Π½ΠΈΠΆΠ΅. А Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚Π½Ρ‹Π΅ сСрии Ρ€Π°Π·Π° Π² Π΄Π²Π° ΠΌΠ΅Π΄Π»Π΅Π½Π½Π΅ΠΉ своих Π²Ρ‹ΡΠΎΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚Π½Ρ‹Ρ… ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅Π³. Π’ΠΏΡ€ΠΎΡ‡Π΅ΠΌ, Ρ€Π°Π·Π³ΠΎΠ½Ρƒ всС процСссоры ΠΏΠΎΠΊΠΎΡ€Π½Ρ‹ ;))))) (далСС…)

Π˜ΡΡ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΈΠΊ

Π˜ΡΡ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΈΠΊΠΈ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния

Π’ ΠΏΡ€Π΅Π΄Ρ‹Π΄ΡƒΡ‰Π΅ΠΉ ΡΡ‚Π°Ρ‚ΡŒΠ΅ я рассказывал ΠΏΡ€ΠΎ ΡƒΠΌΠ½ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΠΈ напряТСния, Π° Π² этой Π·Π°ΠΊΠ»Π°Π΄ΠΎΡ‡ΠΊΠ΅ я расскаТу ΠΎΠ± самом основном Π² схСмах это ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ΅ напряТСнии. Для Ρ‡Π΅Π³ΠΎ Π½ΡƒΠΆΠ½Ρ‹ источники ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния, Π° для ΠΌΠ°Π»ΠΎΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹Ρ… частСй схСмы, для питания ΠΈΡ… ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ, для ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния, ΠΎΡ‚ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ Π½ΡƒΠΆΠ½ΠΎ ΠΎΡ‚ΠΏΠΈΡ€Π°Ρ‚ΡŒΡΡ ΠΈΠ»ΠΈ ΠΆΠ΅ с ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΌ Π½ΡƒΠΆΠ½ΠΎ ΡΡ€Π°Π²Π½ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ.

Π‘Ρ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΠΈΠ·Π°Ρ‚ΠΎΡ€ Π½Π° стабилитронС

Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС микросхСмы. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎ Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС микросхСмы. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΡƒ Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС микросхСмы. ΠšΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΠ° ΠΏΡ€ΠΎ Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС микросхСмы. Π€ΠΎΡ‚ΠΎ Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС микросхСмы

Π‘Π°ΠΌΡ‹ΠΉ простой Π²Π°Ρ€ΠΈΠ°Π½Ρ‚ стабилизации Π½Π° стабилитронС. РСзистор R1 ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡ΠΈΠ²Π°Π΅Ρ‚ Ρ‚ΠΎΠΊ. УсловиС (UΠ²Ρ…-UΠ²Ρ‹Ρ…)/Rs>UΠ²Ρ‹Ρ…/R2. Π’Π°ΠΊ ΠΆΠ΅ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΉ стабилизатор ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚ΡŒ с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ транзистора.

Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС микросхСмы. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎ Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС микросхСмы. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΡƒ Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС микросхСмы. ΠšΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΠ° ΠΏΡ€ΠΎ Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС микросхСмы. Π€ΠΎΡ‚ΠΎ Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС микросхСмы

Π‘Ρ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΠΈΠ·Π°Ρ‚ΠΎΡ€ Π½Π° TL431

Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС микросхСмы. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎ Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС микросхСмы. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΡƒ Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС микросхСмы. ΠšΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΠ° ΠΏΡ€ΠΎ Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС микросхСмы. Π€ΠΎΡ‚ΠΎ Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС микросхСмы

ИОН(источник ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния) Π½Π° стабилитронС прост, Π½ΠΎ для Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ высокой стабилизации, Ρ…ΠΎΡ€ΠΎΡˆΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Ρ€Π΅Π³ΡƒΠ»ΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹ΠΉ стабилитрон TL431. ΠšΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΌ кстати ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π²Ρ‹ΡΡ‚Π°Π²ΠΈΡ‚ΡŒ практичСски любоС напряТСниС Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ ИОН ΠΎΡ‚ 2,5Π’ Π΄ΠΎ 37Π’. Π“Π»Π°Π²Π½ΠΎΠ΅, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π±Ρ‹ входящСС напряТСниС Π½Π΅ ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ°Π»ΠΎ 40Π’, Π° рассСиваСмая ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π½Π΅ ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ°Π»Π° 0,75Π’Ρ‚

Π£ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ стабилитрона ΠΈΠ΄Π΅Ρ‚ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΡƒΡŽ Π½ΠΎΠΆΠΊΡƒ, Π½Π° ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½ΠΎ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ΅ Ρ€Π°Π²Π½ΠΎΠ΅ 2,5Π’. Π­Ρ‚ΠΎ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ΅ рассчитываСтся рСзисторами R2 ΠΈ R3. На TL431 ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΡΠ΄Π΅Π»Π°Ρ‚ΡŒ Ρ‚Π°ΠΊ ΠΆΠ΅ стабилитрон Π½Π° 2,5Π’, Ссли ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎ схСмС

Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС микросхСмы. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎ Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС микросхСмы. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΡƒ Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС микросхСмы. ΠšΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΠ° ΠΏΡ€ΠΎ Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС микросхСмы. Π€ΠΎΡ‚ΠΎ Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС микросхСмы

Π’ΠΎΠΊ TL431 Π΄ΠΎ 100мА, Π½ΠΎ Π΅Π³ΠΎ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚ΡŒ с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ транзистора, ΠΊΠ°ΠΊ Π½Π° схСмС

Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС микросхСмы. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎ Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС микросхСмы. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΡƒ Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС микросхСмы. ΠšΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΠ° ΠΏΡ€ΠΎ Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС микросхСмы. Π€ΠΎΡ‚ΠΎ Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС микросхСмы

На этом ΠΏΠΎΠΊΠ° ΠΎΡΡ‚Π°Π½ΠΎΠ²Π»ΡŽΡΡŒ с Ион-Π°ΠΌΠΈ. Π’ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰Π΅ΠΉ Π·Π°ΠΊΠ»Π°Π΄ΠΊΠ΅ расскаТу ΠΏΡ€ΠΎ ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ стабилизаторы напряТСния, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π² ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΠ΅ являСтся ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ ΡΡ‚Π°Ρ‚ΡŒΠΈ ΠΏΡ€ΠΎ ИОН-Ρ‹.

Π˜ΡΡ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΈΠΊ

Π’Π½Π΅ΡˆΠ½ΠΈΠ΅ источники ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния

Для Π½ΠΎΡ€ΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ АЦП МК Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌ источник ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния (ИОН). Если ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½ΠΈΠΉ ИОН, Ρ‚ΠΎ ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Π²ΠΎΠ·Π½ΠΈΠΊΠ½ΡƒΡ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΎΠ±Π»Π΅ΠΌΡ‹ с Π΅Π³ΠΎ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠΉ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π½ΠΎΠΉ ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΈ большим тСхнологичСским разбросом номинального напряТСния. Для Ρ‚ΠΎΡ‡Π½Ρ‹Ρ… ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½ΠΈΠΉ (Π² Ρ‚ΠΎΠΌ числС с нСстандартными ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΌΠΈ напряТСниями) ΠΏΡ€Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠΊΡƒΡŽΡ‚ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ внСшнСго ИОН ΠΊ Π²Ρ‹Π²ΠΎ-Π΄Ρƒ KREF МК. Π‘ΠΎΡΡ‚ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΎΠ½ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΈΠ· дискрСтных элСмСнтов (Рис. 4.7, Π°. ΠΈ) ΠΈΠ»ΠΈ ΠΈΠ· ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… микросхСм (Рис. 4.8, Π°. ΠΊ).

Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС микросхСмы. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎ Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС микросхСмы. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΡƒ Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС микросхСмы. ΠšΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΠ° ΠΏΡ€ΠΎ Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС микросхСмы. Π€ΠΎΡ‚ΠΎ Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС микросхСмы

Рис. 4.7. Π‘Ρ…Π΅ΠΌΡ‹ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ Π²Π½Π΅ΡˆΠ½ΠΈΡ… ИОН Π½Π° дискрСтных элСмСнтах <Π½Π°Ρ‡Π°Π»ΠΎ):

Π°) МК(1) ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ для своих ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½ΠΈΠΉ Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½ΠΈΠΉ ИОН. Π•Π³ΠΎ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС KRRF являСтся внСшним ИОН ΠΏΠΎ ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΡŽ ΠΊ МК(2). Достоинство β€” синхронизация ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½ΠΈΠΉ;

Π±) VD1 β€” это ΠΏΡ€Π΅Ρ†ΠΈΠ·ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹ΠΉ стабилитрон Β«Shunt Voltage ReferenceΒ» (Ρ„ΠΈΡ€ΠΌΠ° Analog Devices) с Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ поддСрТания Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния Β±0.1%. Π€ΠΈΠ»ΡŒΡ‚Ρ€ R2, C1 сниТаСт Π’Π§-ΠΏΠΎΠΌΠ΅Ρ…ΠΈ. ΠŸΡ€ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ Π½Π° ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½Π½ΠΎΠ΅ ΠΏΠΈΡ‚Π°Π½ΠΈΠ΅ +5 Π’ Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ Π·Π°ΠΌΠ΅Π½ΠΈΡ‚ΡŒ рСзистор R1 (2.94 кОм). Для сниТСния потрСбляСмого Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ сопротивлСниС рСзистора R1 Π΄ΠΎ 34.8. 41.2 кОм;

Π²) VD1 β€” это ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Π½Ρ‹ΠΉ стабилитрон Β«Adjustable Voltage ReferenceΒ» Ρ„ΠΈΡ€ΠΌΡ‹ National Semiconductor. РСзистор RI Π·Π°Π΄Π°Ρ‘Ρ‚ Ρ‚ΠΎΠΊ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· VDI Π² ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π°Ρ… 0.01. 20 мА. Если вмСсто LM385-2.5 ΠΏΠΎΡΡ‚Π°Π²ΠΈΡ‚ΡŒ LM4040-4.1 ΠΈ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ рСзистор Π΄ΠΎ 10 кОм, Ρ‚ΠΎ KREF станСт Ρ€Π°Π²Π½Ρ‹ΠΌ +4.096 Π’;

Π³) Ρ€Π΅Π³ΡƒΠ»ΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹ΠΉ ИОН с ΠΏΠ»Π°Π²Π½ΠΎΠΉ ΡŽΡΡ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΊΠΎΠΉ напряТСния ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎΠΎΠ±ΠΎΡ€ΠΎΡ‚Π½Ρ‹ΠΌ рСзистором R3

Π΄) VD1 β€” это Ρ‚Ρ€Ρ‘Ρ… Π²Ρ‹ Π²ΠΎΠ΄ Π½ΠΎΠΉ стабилитрон Β«Programmable Shunt RegulatorΒ» (сСрия Β«431Β»). Π”Π²ΡƒΡ…ΠΏΠΎΠ»ΡŽΡΠ½ΠΎΠ΅ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ VD1 опрСдСляСт ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС +2.5 Π’ (ΠΈΠ»ΠΈ +1.25 Π’ Π² сСрии Β«1431Β»);

Π΅) ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС +4.9 Π’ поступаСт с Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Π»ΠΈΠ½ΠΈΠΈ МК. Π’Π°ΠΊΠΎΠ΅ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π·Π½ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈ тСстах (ΠΠ˜Π—ΠšΠ˜Π™/Π’Π«Π‘ΠžΠšΠ˜Π™ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ) ΠΈ для удобства Ρ€Π°Π·Π²ΠΎΠ΄ΠΊΠΈ ΠΏΠ΅Ρ‡Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ ΠΏΠ»Π°Ρ‚Ρ‹;

Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС микросхСмы. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎ Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС микросхСмы. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΡƒ Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС микросхСмы. ΠšΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΠ° ΠΏΡ€ΠΎ Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС микросхСмы. Π€ΠΎΡ‚ΠΎ Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС микросхСмы

Рис. 4.7. Π‘Ρ…Π΅ΠΌΡ‹ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ Π²Π½Π΅ΡˆΠ½ΠΈΡ… ИОН Π½Π° дискрСтных элСмСнтах (ΠΎΠΊΠΎΠ½Ρ‡Π°Π½ΠΈΠ΅):

ΠΆ) Ρ€Π΅Π³ΡƒΠ»ΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹ΠΉ ИОН Π½Π° основС Ρ‚Ρ€Ρ‘Ρ…Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ стабилитрона VD1 сСрии Β«431Β». ΠžΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС опрСдСляСтся ΠΏΠΎ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒΠ»Π΅ KREF[B] = 2.5-(1 + Π―,[кОм]/Π―2[кОм]);

Π·) напряТСниС KREF Π±Π»ΠΈΠ·ΠΊΠΎ ΠΊ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ питания. Из особСнностСй β€” двухступСнчатая Ρ„ΠΈΠ»ΡŒΡ‚Ρ€Π°Ρ†ΠΈΡ ΠΏΠΎΠΌΠ΅Ρ… ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΠΈ элСмСнтов L1, C1 ΠΈ RI, Π‘2, Π‘Π—;

ΠΈ) Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄ VREF подаётся ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ Ρ‡ΡƒΡ‚ΡŒ большС напряТСния питания Усс МК. Π­Ρ‚ΠΎ обСспСчиваСт ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΈΠΉ динамичСский Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½ΠΈΠΉ, Π½ΠΎ Π½Π°Π΄ΠΎ ΡΠ»Π΅Π΄ΠΈΡ‚ΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ Ρ€Π°Π·Π½ΠΈΡ†Π° ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠšΠ•Π ΠΈ Усс Π½Π΅ ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ°Π»Π° 0.2 Π’. Если ΠΏΠΎΡΡ‚Π°Π²ΠΈΡ‚ΡŒ стабилитрон VDI LM4040DIZ-5.0, Ρ‚ΠΎ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠΈΡ‚ΡΡ Π΄ΠΎ +5.0 Π’, Π° Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ установки ΡƒΠ»ΡƒΡ‡ΡˆΠΈΡ‚ΡΡ с 5 Π΄ΠΎ 1 %.

Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС микросхСмы. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎ Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС микросхСмы. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΡƒ Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС микросхСмы. ΠšΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΠ° ΠΏΡ€ΠΎ Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС микросхСмы. Π€ΠΎΡ‚ΠΎ Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС микросхСмы

Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС микросхСмы. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎ Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС микросхСмы. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΡƒ Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС микросхСмы. ΠšΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΠ° ΠΏΡ€ΠΎ Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС микросхСмы. Π€ΠΎΡ‚ΠΎ Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС микросхСмы

Рис. 4.8. Π‘Ρ…Π΅ΠΌΡ‹ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ Π²Π½Π΅ΡˆΠ½ΠΈΡ… ИОН Π½Π° микросхСмах (Π½Π°Ρ‡Π°Π»ΠΎ):

Π°) использованиС Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ стабилизатора напряТСния DA1 Π² качСствС ИОН;

Π±) Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ установки ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния составляСт 2.4% (5.00 Π’ Β± 120 ΠΌΠ’). Π—Π°ΠΌΠ΅Π½Π° стабилизатора DAI β€” 78L05. ΠšΠΎΠ½Π΄Π΅Π½ΡΠ°Ρ‚ΠΎΡ€Ρ‹ C1 ΠΈ Π‘2 Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ Ρ€Π°ΡΠΏΠΎΠ»Π°Π³Π°Ρ‚ΡŒ Π²ΠΎΠ·Π»Π΅ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠ² DA /;

Π²) Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ установки ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния DA 1 составляСт 0.05% (5.00 Π’ Β± 2.5 ΠΌΠ’), тСмпСратурная ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ 5 Ρ€Ρ€Ρ‚/Β°Π‘ (25 ΠΌΠΊΠ’ Π½Π° ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ градус);

Π³) двухступСнчатый стабилизатор (VDI, DAI). Π’ΠΎΡ‡Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ установки ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния DAI (Ρ„ΠΈΡ€ΠΌΠ° Intersil) составляСт 0.01% (5.00 Π’ Β± 0.5 ΠΌΠ’), тСмпСратурная ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ 5 Ρ€Ρ€Ρˆ/Β°Π‘; Β©

Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС микросхСмы. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎ Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС микросхСмы. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΡƒ Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС микросхСмы. ΠšΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΠ° ΠΏΡ€ΠΎ Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС микросхСмы. Π€ΠΎΡ‚ΠΎ Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС микросхСмы

Рис. 4.8. Π‘Ρ…Π΅ΠΌΡ‹ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ ΠΊ МК Π²Π½Π΅ΡˆΠ½ΠΈΡ… ИОН Π½Π° микросхСмах (ΠΎΠΊΠΎΠ½Ρ‡Π°Π½ΠΈΠ΅):

Π΄) ΠΏΠ»Π°Π²Π½ΠΎ Ρ€Π΅Π³ΡƒΠ»ΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹ΠΉ ИОН Π² ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π°Ρ… 0. +3 Π’. Π—Π°ΠΌΠ΅Π½Π° стабилизатора DA1 Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΈΡ‡Π½Ρ‹ΠΌ, нос Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠΌ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌ напряТСниСм (+2.5. +5 Π’), Π·Π°Π΄Π°Ρ‘Ρ‚ Π²Π΅Ρ€Ρ…Π½ΠΈΠΉ ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π» рСгулирования;

Π΅) ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½Π½Π°Ρ ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ИОН благодаря Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Ρƒ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π½Π° микросхСмС DA1. Π’ΠΎΠΊ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Ρ‚Ρ€Ρ‘Ρ…Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ стабилитрон VDI (1. 8 мА) опрСдСляСтся ΠΏΠΎ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒΠ»Π΅ /[мА] = 1.25 /[кОм];

ΠΆ) ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠ½ΠΎ Ρ€Π΅Π³ΡƒΠ»ΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹ΠΉ ИОН 0. +5 Π’ Π½Π° микросхСмС DA1 Ρ„ΠΈΡ€ΠΌΡ‹ Microchip. Π€ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎ это дискрСтный 6-Π±ΠΈΡ‚Π½Ρ‹ΠΉ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ рСзистор с ΠΊΡ€Π°ΠΉΠ½ΠΈΠΌΠΈ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ «А», Β«Π’Β» ΠΈ срСдним Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ Β«WΒ». Π‘ΠΎΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΎΡ‚ 2.1 Π΄ΠΎ 50 кОм. Π‘ΡƒΡ„Π΅Ρ€Π½Ρ‹ΠΌ ΠΏΠΎΠ²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅ΠΌ слуТит ОУ DA2;

Π·) опСративная смСна Π΄Π²ΡƒΡ… напряТСний. Высокоточный ИОН Π½Π° микросхСмС DA1 (Ρ„ΠΈΡ€ΠΌΠ° Analog Devices) Π²Ρ‹Π΄Π°Ρ‘Ρ‚ напряТСниС +2.5 ΠΈΠ»ΠΈ +3 Π’ Π² зависимости ΠΎΡ‚ полоТСния ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΡ‹Ρ‡ΠΊΠΈ SL Π€ΠΈΠ»ΡŒΡ‚Ρ€ LI, CI сниТаСт ΠΏΠΎΠΌΠ΅Ρ…ΠΈ ΠΏΠΎ ΠΏΠΈΡ‚Π°Π½ΠΈΡŽ;

ΠΈ) Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ KREF МК соСдиняСтся с Π»ΠΈΠ½ΠΈΠ΅ΠΉ питания, которая ΠΈ слуТит внСшним ИОН. НапряТСниС питания рСгулируСтся рСзистором R3. Π—Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ +5.12 Π’ Π²Ρ‹Π±Ρ€Π°Π½ΠΎ Π½Π΅ случайно. Π­Ρ‚ΠΎ сдСлано для Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΏΡ€ΠΈ 10-Π±ΠΈΡ‚Π½ΠΎΠΌ АЦП МК Ρ†Π΅Π½Π° ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ дСлСния составляла Ρ€ΠΎΠ²Π½ΠΎ 5 ΠΌΠ’;

ΠΊ) Ρ€Π΅Π³ΡƒΠ»ΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹ΠΉ ИОН с ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½Π½ΠΎΠΉ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΎΡ‡Π½ΠΎΠΉ ΡΠΏΠΎΡΠΎΠ±Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ Π½Π° основС повторитСля DA1. Π’Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС +2.5 Π’ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ для срСднСй Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠΈ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΡ… ОУ.

Π˜ΡΡ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΈΠΊ: Рюмик Π‘.М. 1000 ΠΈ ΠΎΠ΄Π½Π° микроконтроллСрная схСма.

Π˜ΡΡ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΈΠΊ

Π’Ρ‹Π±ΠΎΡ€ источника ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния. с Ρ‡Π΅Π³ΠΎ Π½Π°Ρ‡Π°Ρ‚ΡŒ?

Π˜ΡΡ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΈΠΊ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния (ИОН) (Ρ€Π΅ΠΆΠ΅ β€” Ρ‚ΠΎΠΊΠ°) являСтся ваТнСйшим элСмСнтом АЦП ΠΈΠ»ΠΈ ЦАП. ΠžΡ‚ Π΅Π³ΠΎ точности ΠΈ ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ зависит Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ всСй систСмы. МногиС ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΠΈ ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ встроСнный ИОН. Рассмотрим вопросы, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ Π½Π°ΠΈΠ±ΠΎΠ»Π΅Π΅ часто Π²ΠΎΠ·Π½ΠΈΠΊΠ°ΡŽΡ‚ ΠΏΡ€ΠΈ Π²Ρ‹Π±ΠΎΡ€Π΅ ИОН.

Насколько качСствСнным Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΉ сигнал?

Π­Ρ‚ΠΎ зависит ΠΎΡ‚ назначСния устройства. ΠŸΡ€ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Π΄Π΅Π½ΠΈΠΈ Π°Π±ΡΠΎΠ»ΡŽΡ‚Π½Ρ‹Ρ… ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½ΠΈΠΉ Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ прСобразования опрСдСляСтся Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ сигнала. Однако Π²ΠΎ ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΈΡ… систСмах Π²Π°ΠΆΠ½Π° Π½Π΅ ΡΡ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ Π°Π±ΡΠΎΠ»ΡŽΡ‚Π½Π°Ρ Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ, сколько ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΈΠ»ΠΈ ΠΏΠΎΠ²Ρ‚ΠΎΡ€ΡΠ΅ΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ. НапримСр, ΠΌΠΎΠ½ΠΎΠ»ΠΈΡ‚Π½Ρ‹ΠΉ ИОН Π½Π° стабилитронС со скрытым ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ (ИБ AD588 ΠΈ AD688) ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ Π½Π°Ρ‡Π°Π»ΡŒΠ½ΡƒΡŽ Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ 1 ΠΌΠ’ Π½Π° 10 Π’ (0,01% ΠΈΠ»ΠΈ 100 ppm) ΠΈ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π½Ρ‹ΠΉ Π΄Ρ€Π΅ΠΉΡ„ 1,5 ppm/Β°C. Π­Ρ‚ΠΎΠΉ точности достаточно для 12-разрядной систСмы (1 ΠœΠ—Π  = 244 ppm), Π½ΠΎ Π½Π΅ для 14- ΠΈΠ»ΠΈ 16-разрядной систСмы. Π₯отя, Ссли Π½Π°Ρ‡Π°Π»ΡŒΠ½ΡƒΡŽ ΠΎΡˆΠΈΠ±ΠΊΡƒ привСсти ΠΊ Π½ΡƒΠ»ΡŽ, Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠ΅ ИОН ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π² 14- ΠΈ 16-разрядных систСмах Π² ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡Π΅Π½Π½ΠΎΠΌ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π½ΠΎΠΌ Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Π΅ (1 ΠœΠ—Π  = 61 ppm, Ρ‡Ρ‚ΠΎ соотвСтствуСт измСнСнию Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹ Π½Π° 40Β°C Π² AD588 ΠΈΠ»ΠΈ AD688).
Для увСличСния Π°Π±ΡΠΎΠ»ΡŽΡ‚Π½ΠΎΠΉ точности ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ Β«Π·Π°ΠΊΠ°Π»ΠΈΡ‚ΡŒΒ» Π² тСрмостатичСской ΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ распрСдСлСниС Ρ‚Π΅ΠΏΠ»Π° ΠΏΠΎ кристаллу Π±Ρ‹Π»ΠΎ Ρ€Π°Π²Π½ΠΎΠΌΠ΅Ρ€Π½Ρ‹ΠΌ, ΠΈ ΠΎΡ‚ΠΊΠ°Π»ΠΈΠ±Ρ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ согласно стандарту. Иногда ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚ΡŒ Ρ€Π°Π·Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ Π½Π΅ мСньшС 12 разрядов, Π΄Π°ΠΆΠ΅ Ссли Π² систСмС Π½Π΅ трСбуСтся 12-разрядая Π°Π±ΡΠΎΠ»ΡŽΡ‚Π½Π°Ρ Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ. Π’ ΠΏΠΎΠ΄ΠΎΠ±Π½Ρ‹Ρ… случаях Π»ΡƒΡ‡ΡˆΠ΅ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΡΡ‚ΡŒ ΠΌΠ΅Π½Π΅Π΅ Ρ‚ΠΎΡ‡Π½Ρ‹Π΅ ΠΈ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Π΄Π΅ΡˆΠ΅Π²Ρ‹Π΅ ИОН Π½Π° основС стабилитрона с напряТСниСм Π·Π°ΠΏΡ€Π΅Ρ‰Π΅Π½Π½ΠΎΠΉ Π·ΠΎΠ½Ρ‹.

Π§Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ стабилитрон со скрытым ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ ΠΈ стабилитрон с напряТСниСм Π·Π°ΠΏΡ€Π΅Ρ‰Π΅Π½Π½ΠΎΠΉ Π·ΠΎΠ½Ρ‹?
Π­Ρ‚ΠΎ Π΄Π²Π° самых распространСнных ΠΏΡ€Π΅Ρ†ΠΈΠ·ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Ρ… ИОНа, ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹Ρ… Π² соврСмСнных ИБ. Π‘Ρ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΠΈΡ‚Ρ€ΠΎΠ½ с Π·Π°Π³Π»ΡƒΠ±Π»Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΌ (ΠΈΠ»ΠΈ скрытым) p-n-ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ характСризуСтся большСй ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΈ Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ. Π­Ρ‚ΠΎ Π΄ΠΈΠΎΠ΄, сформированный ΠΏΠΎΠ΄ повСрхностным слоСм кристалла ΠΈ ΠΏΠΎΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΉ Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‚Π½Ρ‹ΠΌ Π΄ΠΈΡ„Ρ„ΡƒΠ·ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹ΠΌ слоСм, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ Π·ΠΎΠ½Π° пробоя ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ Π»Π΅ΠΆΠ°Π»Π° ΠΏΠΎΠ΄ ΠΏΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ…Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΏΠΎΠ΄Π»ΠΎΠΆΠΊΠΈ (см. рис. 1).

Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС микросхСмы. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎ Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС микросхСмы. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΡƒ Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС микросхСмы. ΠšΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΠ° ΠΏΡ€ΠΎ Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС микросхСмы. Π€ΠΎΡ‚ΠΎ Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС микросхСмы

Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС микросхСмы. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎ Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС микросхСмы. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΡƒ Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС микросхСмы. ΠšΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΠ° ΠΏΡ€ΠΎ Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС микросхСмы. Π€ΠΎΡ‚ΠΎ Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС микросхСмы

Π§Ρ‚ΠΎ Π΅Ρ‰Π΅ Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒ?
Для ИОН ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΠΈΠΌΡ‹ всС основныС ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»Π° Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… схСм. Π˜Ρ‚Π°ΠΊ, Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ:
– ΠΈΠ·Π±Π΅Π³Π°Ρ‚ΡŒ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΏΠ°Π΄ΠΎΠ² напряТСния Π½Π° ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠ°Ρ… с высоким импСдансом;
– ΠΏΠΎ возмоТности ΠΌΠΈΠ½ΠΈΠΌΠΈΠ·ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΡˆΡƒΠΌ Π½Π° шинС ΠΎΠ±Ρ‰Π΅ΠΉ Π·Π΅ΠΌΠ»ΠΈ;
– ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°Ρ‡Π΅ΡΡ‚Π²Π΅Π½Π½ΡƒΡŽ развязку Ρ†Π΅ΠΏΠΈ питания.
Π‘Π»Π΅Π΄ΡƒΠ΅Ρ‚ Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΡƒΠ΄ΠΎΡΡ‚ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΈΡ‚ΡŒΡΡ Π² ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ полярности, Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Π²Π½ΠΈΠΌΠ°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ ΠΏΡ€ΠΈ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π΅ с Смкостными Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠ°ΠΌΠΈ.

Какой Ρ‚ΠΎΠΊ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ИОН?
Как ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΠΎ, Π˜ΠžΠΡ‹ ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½ΠΈΠΉ Π±ΡƒΡ„Π΅Ρ€, Π° Π²Ρ‚Π΅ΠΊΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ ΠΈΠ»ΠΈ Π²Ρ‹Ρ‚Π΅ΠΊΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ находится ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ Π² Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Π΅ 5…10 мА. Если ИОН ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ Π² качСствС систСмного ΠΈΠ»ΠΈ стоит Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ высокоскоростного ΠΏΠ°Ρ€Π°Π»Π»Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ АЦП, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΉ импСданс, Ρ‚ΠΎ этого достаточно. ΠŸΡ€ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ΅ 10 мА Π½Π° сопротивлСнии 100 мОм ΠΏΠ°Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния составляСт 1 ΠΌΠ’. Для Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… схСм это нСдопустимо. Π’Π°ΠΊΠΈΠ΅ ИОН ΠΊΠ°ΠΊ AD588 ΠΈ AD688 ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ спСциализированныС ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Ρ‹ Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π΅ ΠΈ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π΅ Π·Π΅ΠΌΠ»ΠΈ. Замыкая Ρ†Π΅ΠΏΡŒ ОБ Π²ΠΎΠΊΡ€ΡƒΠ³ источников ошибки, эти ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Ρ‹ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ΅Π½ΡΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‚ ΠΏΠ°Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния. Они ΠΊΠΎΡ€Ρ€Π΅ΠΊΡ‚ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‚ Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΎΡ‚ΠΊΠ»ΠΎΠ½Π΅Π½ΠΈΠ΅ коэффициСнта усилСния ΠΈ напряТСния смСщСния, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° ΠΊ усилитСлям с Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ²Ρ‹ΠΌ Π±ΡƒΡ„Π΅Ρ€ΠΎΠΌ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π° большая Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠ°, ΠΈΠ»ΠΈ Ссли Ρ‚ΠΎΠΊ Ρ‚Π΅Ρ‡Π΅Ρ‚ Π² Π½Π΅ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠΌ Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ. РазъСм Β«senseΒ» Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ ΠΊ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ части Π±ΡƒΡ„Π΅Ρ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ усилитСля, ΠΆΠ΅Π»Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΊ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Ρƒ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ.

Π§Ρ‚ΠΎ Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚ Β«Ρ‚ΠΎΠΊ Ρ‚Π΅Ρ‡Π΅Ρ‚ Π² Π½Π΅ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠΌ Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈΒ»?
Рассмотрим 5-Π’ ИОН с напряТСниСм питания Ρ€Π°Π²Π½Ρ‹ΠΌ 10 Π’. Если ΠΊ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Ρƒ 5 Π’ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π° зазСмлСнная Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠ°, Ρ‚ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Ρ‡Π΅Ρ‚ Π½Π° зСмлю. Если рСзистор ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ ΠΊ Π»ΠΈΠ½ΠΈΠΈ питания, Ρ‚ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Π²Ρ‚Π΅ΠΊΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΠΌ. Π’ΠΎ ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΈΡ… Π˜ΠžΠΠ°Ρ… допускаСтся любоС Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, ΠΎΠ΄Π½Π°ΠΊΠΎ Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΌΠΎΠ΄Π΅Π»ΠΈ рассчитаны Π»ΠΈΠ±ΠΎ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ Π½Π° Π²Ρ‚Π΅ΠΊΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ, Π»ΠΈΠ±ΠΎ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ Π½Π° Π²Ρ‹Ρ‚Π΅ΠΊΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ. Π‘Π°ΠΌΡ‹ΠΉ простой ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€ β€” использованиС ИОН с ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌ напряТСниСм Π² качСствС ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ сигнала. ДопустимоС Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΡƒΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ Π² Π΄ΠΎΠΊΡƒΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Ρ†ΠΈΠΈ.

Π‘ΡƒΡ‰Π΅ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‚ Π»ΠΈ Π˜ΠžΠΡ‹ с ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ напряТСниСм?
Π‘ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΠ½ΡΡ‚Π²ΠΎ однополярных ИОН β€” ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅. Π”Π²ΡƒΡ…Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Π΅ Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½Ρ‹Π΅ источники ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ Π² любой полярности. Они ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ Ρ‚Π°ΠΊ ΠΆΠ΅, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΈ стабилитроны с напряТСниСм Π·Π°ΠΏΡ€Π΅Ρ‰Π΅Π½Π½ΠΎΠΉ Π·ΠΎΠ½Ρ‹.
Π’Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ источника ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π² качСствС ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ сигнала, Ссли для Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ источника Π²Ρ‚Π΅ΠΊΠ°ΡŽΡ‰Π΅Π΅ Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Ρ€Π°Π·Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΎ. Π’ этом случаС Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ ΠΊ Π·Π΅ΠΌΠ»Π΅, Π° Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ Π·Π΅ΠΌΠ»ΠΈ, напряТСниС Π½Π° ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ становится ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ, β€” ΠΊ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠΌΡƒ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Ρƒ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· рСзистор RS ΠΈΠ»ΠΈ источник постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ° (см. рис. 3).

Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС микросхСмы. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎ Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС микросхСмы. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΡƒ Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС микросхСмы. ΠšΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΠ° ΠΏΡ€ΠΎ Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС микросхСмы. Π€ΠΎΡ‚ΠΎ Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС микросхСмы

Π’ ΠΎΠ±Ρ‰Π΅ΠΌ случаС Π½Π° Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ ΠΏΠΎΡΡ‚ΡƒΠΏΠ°Ρ‚ΡŒ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ сигнал. Но Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ схСмы ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ напряТСниС Π½Π° ΠΎΠ±ΠΎΠΈΡ… Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π°Ρ…, для этого Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния ΠΈ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ вмСстС ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°ΡŽΡ‚ΡΡ ΠΊ Π·Π΅ΠΌΠ»Π΅.
Π‘ΠΎΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ рСзистора RS подбираСтся Ρ‚Π°ΠΊ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½Ρ‹Π΅ отклонСния Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π±Ρ‹Π»ΠΈ Π² ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π°Ρ… допустимого.

На Ρ‡Ρ‚ΠΎ слСдуСт ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‰Π°Ρ‚ΡŒ Π²Π½ΠΈΠΌΠ°Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΡ€ΠΈ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π΅ с Смкостными Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠ°ΠΌΠΈ?
Π’ΠΎ ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΈΡ… источниках Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ стоит ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ, ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π½Π°Ρ€ΡƒΡˆΠ°Ρ‚ΡŒΡΡ ΠΏΡ€ΠΈ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π΅ с большими Смкостными Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠ°ΠΌΠΈ порядка Π½Π΅ΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΈΡ… ΠΌΠΊΠ€ ΠΈ
Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅.
Π’ Ρ‚ΠΎ ΠΆΠ΅ врСмя для ослаблСния ΡˆΡƒΠΌΠ° ΠΊ ИОН рСкомСндуСтся ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚ΡŒ кондСнсаторы Π΅ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ 1…10 Π½Π€. НСкоторыС источники, Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€ AD588, ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ с ΡˆΡƒΠΌΠΎΠΏΠΎΠ΄Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ, ΠΊ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌΡƒ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚ΡŒ большиС Смкости. Если микросхСма ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ ΡΠΈΠ»ΠΎΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Ρ‹, Ρ‚ΠΎ Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½ Ρ€Π°Π·Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½Π½Ρ‹Ρ… СмкостСй рСгулируСтся с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚ΡƒΡ€Π° ОБ.
Π—Π°ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΈΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π΄Π°ΠΆΠ΅ Ссли схСма достаточно ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½Π°, ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ большиС Смкости Π½Π΅ рСкомСндуСтся, ΠΏΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ ΠΎΠ½ΠΈ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ врСмя Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ источника.

Каково врСмя установлСния ИОН?
Как ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΠΎ, трСбуСтся Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ врСмя для Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ ИОН. Π’ΠΎ ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΈΡ… источниках Ρ‚ΠΎΠΊ, ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΉ элСмСнт, поступаСт со стабилизированного Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π°. Π­Ρ‚Π° ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Π°Ρ ОБ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ²Π°Π΅Ρ‚ ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎ постоянному Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ, ΠΎΠ΄Π½Π°ΠΊΠΎ прСпятствуСт Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡŽ. Π”Π°Π½Π½Ρ‹ΠΉ эффСкт устраняСтся схСмотСхничСски, Π½ΠΎ врСмя Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ ИОН Π½Π΅ Ρ€Π°Π²Π½ΠΎ Π½ΡƒΠ»ΡŽ, Π° составляСт 1…10 мс. НС Π²ΠΎ всСх устройствах такая Π·Π°Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΊΠ° допустима.
Для ΠΏΡ€Π΅Ρ†ΠΈΠ·ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Ρ… ИОН ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΏΠΎΡ‚Ρ€Π΅Π±ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ врСмя для Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π½ΠΎΠΉ стабилизации, ΠΏΠΎΠΊΠ° Π½Π΅ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ достигнуто Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π½ΠΎΠ΅ равновСсиС Π½Π° кристаллС ΠΈ Π½Π΅ установятся смСщСния, Π²Ρ‹Π·Π²Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹. Π­Ρ‚ΠΈ эффСкты описаны Π² Π΄ΠΎΠΊΡƒΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΈ ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ Π½Π΅ ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ°ΡŽΡ‚ Π½Π΅ΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΈΡ… сСкунд.

ВсСгда Π»ΠΈ использованиС внСшнСго ΠΏΡ€Π΅Ρ†ΠΈΠ·ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎΠ³ΠΎ источника позволяСт ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡΠΈΡ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ прСобразования?
НС всСгда. НапримСр, АD674B, Π±Ρ‹ΡΡ‚Ρ€ΠΎΠ΄Π΅ΠΉΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Π²Π°Ρ€ΠΈΠ°Π½Ρ‚ классичСского AD574, ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ Π·Π°Π²ΠΎΠ΄ΡΠΊΡƒΡŽ ΠΏΠΎΠ³Ρ€Π΅ΡˆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΊΠ°Π»ΠΈΠ±Ρ€ΠΎΠ²ΠΊΠΈ Π½Π΅ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ 0,25%, Π° Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΈ использовании Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½Π΅Π³ΠΎ источника Π½Π΅ Ρ…ΡƒΠΆΠ΅ 100 ΠΌΠ’ (1%). ΠŸΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ 0,25% ΠΎΡ‚ 10 Π’ = 25 ΠΌΠ’, Ρ‚ΠΎ напряТСниС ПШ = 10,025 Π’. Полагая, Ρ‡Ρ‚ΠΎ AD674B с Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½ΠΈΠΌ ИОН, напряТСниС ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ Π±Ρ‹Π»ΠΎ Π½Π° 1% Π²Ρ‹ΡˆΠ΅ (10,1 Π’), Π±Ρ‹Π» ΠΎΡ‚ΠΊΠ°Π»ΠΈΠ±Ρ€ΠΎΠ²Π°Π½ Π½Π° Π·Π°Π²ΠΎΠ΄Π΅ ΠΏΡ€ΠΈ напряТСнии ПШ, Ρ€Π°Π²Π½ΠΎΠΌ 10,000 Π’, ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π°Π΅ΠΌ ΠΏΠΎΠ³Ρ€Π΅ΡˆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ 1%. Если ΠΊ АЦП ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ ΠΏΡ€Π΅Ρ†ΠΈΠ·ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹ΠΉ ИОН, Ρ‚ΠΎ напряТСниС ПШ Ρ€Π°Π²Π½ΠΎ 10,100 Π’, Ρ‚.Π΅. ΠΏΠΎΠ³Ρ€Π΅ΡˆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π² 4 Ρ€Π°Π·Π° большС, Ρ‡Π΅ΠΌ ΡƒΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ Π² Π΄ΠΎΠΊΡƒΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Ρ†ΠΈΠΈ.

Π˜ΡΡ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΈΠΊ

Аналого-Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΅ ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ для Π½Π°Ρ‡ΠΈΠ½Π°ΡŽΡ‰ΠΈΡ…

Π’ этой ΡΡ‚Π°Ρ‚ΡŒΠ΅ рассмотрСны основныС вопросы, ΠΊΠ°ΡΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ΡΡ ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΠ° дСйствия АЦП Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΠ². ΠŸΡ€ΠΈ этом Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ Π²Π°ΠΆΠ½Ρ‹Π΅ тСорСтичСскиС Π²Ρ‹ΠΊΠ»Π°Π΄ΠΊΠΈ, ΠΊΠ°ΡΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ΡΡ матСматичСского описания Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΎ-Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ прСобразования ΠΎΡΡ‚Π°Π»ΠΈΡΡŒ Π·Π° Ρ€Π°ΠΌΠΊΠ°ΠΌΠΈ ΡΡ‚Π°Ρ‚ΡŒΠΈ, Π½ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Ρ‹ ссылки, ΠΏΠΎ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΌ заинтСрСсованный Ρ‡ΠΈΡ‚Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ смоТСт Π½Π°ΠΉΡ‚ΠΈ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Π³Π»ΡƒΠ±ΠΎΠΊΠΎΠ΅ рассмотрСниС тСорСтичСских аспСктов Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ АЦП. Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, ΡΡ‚Π°Ρ‚ΡŒΡ касаСтся Π² большСй стСпСни понимания ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΡ… ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΠΎΠ² функционирования АЦП, Ρ‡Π΅ΠΌ тСорСтичСского Π°Π½Π°Π»ΠΈΠ·Π° ΠΈΡ… Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹.

Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС микросхСмы. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎ Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС микросхСмы. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΡƒ Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС микросхСмы. ΠšΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΠ° ΠΏΡ€ΠΎ Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС микросхСмы. Π€ΠΎΡ‚ΠΎ Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС микросхСмы«

Π’ качСствС ΠΎΡ‚ΠΏΡ€Π°Π²Π½ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠΈ Π΄Π°Π΄ΠΈΠΌ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΎ-Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²ΠΎΠΌΡƒ ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΡŽ. Аналого-Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΅ ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ – это процСсс прСобразования Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ физичСской Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρ‹ Π² Π΅Π΅ числовоС прСдставлСниС. Аналого-Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²ΠΎΠΉ ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ – устройство, Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½ΡΡŽΡ‰Π΅Π΅ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅. Π€ΠΎΡ€ΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎ, Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½ΠΎΠΉ АЦП ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ любая физичСская Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Π° – напряТСниС, Ρ‚ΠΎΠΊ, сопротивлСниС, Π΅ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ, частота слСдования ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠΎΠ², ΡƒΠ³ΠΎΠ» ΠΏΠΎΠ²ΠΎΡ€ΠΎΡ‚Π° Π²Π°Π»Π° ΠΈ Ρ‚.ΠΏ. Однако, для опрСдСлСнности, Π² дальнСйшСм ΠΏΠΎΠ΄ АЦП ΠΌΡ‹ Π±ΡƒΠ΄Π΅ΠΌ ΠΏΠΎΠ½ΠΈΠΌΠ°Ρ‚ΡŒ ΠΈΡΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΠΈ напряТСниС-ΠΊΠΎΠ΄.

ΠŸΠΎΠ½ΡΡ‚ΠΈΠ΅ Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΎ-Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ прСобразования тСсно связано с понятиСм измСрСния. Под ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ понимаСтся процСсс сравнСния измСряСмой Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρ‹ с Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΌ эталоном, ΠΏΡ€ΠΈ Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΎ-Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²ΠΎΠΌ ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠΈ происходит сравнСниС Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρ‹ с Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠΉ Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½ΠΎΠΉ (ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΠΎ, с ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΌ напряТСниСм). Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΎ-Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΅ ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Ρ€Π°ΡΡΠΌΠ°Ρ‚Ρ€ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½ΠΈΠ΅ значСния Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ сигнала, ΠΈ ΠΊ Π½Π΅ΠΌΡƒ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΠΈΠΌΡ‹ всС понятия ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ, Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠ΅, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΠΎΠ³Ρ€Π΅ΡˆΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ измСрСния.

ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹Π΅ характСристики АЦП

АЦП ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ мноТСство характСристик, ΠΈΠ· ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… основными ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π½Π°Π·Π²Π°Ρ‚ΡŒ частоту прСобразования ΠΈ Ρ€Π°Π·Ρ€ΡΠ΄Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ. Частота прСобразования ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ выраТаСтся Π² отсчСтах Π² сСкунду (samples per second, SPS), Ρ€Π°Π·Ρ€ΡΠ΄Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ – Π² Π±ΠΈΡ‚Π°Ρ…. Π‘ΠΎΠ²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½Ρ‹Π΅ АЦП ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚ΡŒ Ρ€Π°Π·Ρ€ΡΠ΄Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π΄ΠΎ 24 Π±ΠΈΡ‚ ΠΈ ΡΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΡŒ прСобразования Π΄ΠΎ Π΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ† GSPS (ΠΊΠΎΠ½Π΅Ρ‡Π½ΠΎ, Π½Π΅ ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎ). Π§Π΅ΠΌ Π²Ρ‹ΡˆΠ΅ ΡΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΈ Ρ€Π°Π·Ρ€ΡΠ΄Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ, Ρ‚Π΅ΠΌ Ρ‚Ρ€ΡƒΠ΄Π½Π΅Π΅ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹Π΅ характСристики, Ρ‚Π΅ΠΌ Π΄ΠΎΡ€ΠΎΠΆΠ΅ ΠΈ слоТнСС ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ. Π‘ΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΡŒ прСобразования ΠΈ Ρ€Π°Π·Ρ€ΡΠ΄Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ связаны Π΄Ρ€ΡƒΠ³ с Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠΌ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, ΠΈ ΠΌΡ‹ ΠΌΠΎΠΆΠ΅ΠΌ ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡΠΈΡ‚ΡŒ ΡΡ„Ρ„Π΅ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΡƒΡŽ Ρ€Π°Π·Ρ€ΡΠ΄Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ прСобразования, ΠΏΠΎΠΆΠ΅Ρ€Ρ‚Π²ΠΎΠ²Π°Π² ΡΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ.

БущСствуСт мноТСство Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΠ² АЦП, ΠΎΠ΄Π½Π°ΠΊΠΎ Π² Ρ€Π°ΠΌΠΊΠ°Ρ… Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΉ ΡΡ‚Π°Ρ‚ΡŒΠΈ ΠΌΡ‹ ограничимся рассмотрСниСм Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΡ… Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΠ²:

Наибольшим быстродСйствиСм ΠΈ самой Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠΉ Ρ€Π°Π·Ρ€ΡΠ΄Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΎΠ±Π»Π°Π΄Π°ΡŽΡ‚ АЦП прямого (ΠΏΠ°Ρ€Π°Π»Π»Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ) прСобразования. НапримСр, АЦП ΠΏΠ°Ρ€Π°Π»Π»Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ прСобразования TLC5540 Ρ„ΠΈΡ€ΠΌΡ‹ Texas Instruments ΠΎΠ±Π»Π°Π΄Π°Π΅Ρ‚ быстродСйствиСм 40MSPS ΠΏΡ€ΠΈ разрядности всСго 8 Π±ΠΈΡ‚. АЦП Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΈΠΏΠ° ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚ΡŒ ΡΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΡŒ прСобразования Π΄ΠΎ 1 GSPS. Π—Π΄Π΅ΡΡŒ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΎΡ‚ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΈΡ‚ΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π΅Ρ‰Π΅ большим быстродСйствиСм ΠΎΠ±Π»Π°Π΄Π°ΡŽΡ‚ ΠΊΠΎΠ½Π²Π΅ΠΉΠ΅Ρ€Π½Ρ‹Π΅ АЦП (pipelined ADC), ΠΎΠ΄Π½Π°ΠΊΠΎ ΠΎΠ½ΠΈ ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ ΠΊΠΎΠΌΠ±ΠΈΠ½Π°Ρ†ΠΈΠ΅ΠΉ Π½Π΅ΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΈΡ… АЦП с мСньшим быстродСйствиСм ΠΈ ΠΈΡ… рассмотрСниС Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ Π·Π° Ρ€Π°ΠΌΠΊΠΈ Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΉ ΡΡ‚Π°Ρ‚ΡŒΠΈ.

Π‘Ρ€Π΅Π΄Π½ΡŽΡŽ Π½ΠΈΡˆΡƒ Π² ряду Ρ€Π°Π·Ρ€ΡΠ΄Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ-ΡΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π·Π°Π½ΠΈΠΌΠ°ΡŽΡ‚ АЦП ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ приблиТСния. Π’ΠΈΠΏΠΈΡ‡Π½Ρ‹ΠΌΠΈ значСниями являСтся Ρ€Π°Π·Ρ€ΡΠ΄Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ 12-18 Π±ΠΈΡ‚ ΠΏΡ€ΠΈ частотС прСобразования 100KSPS-1MSPS.

НаибольшСй точности Π΄ΠΎΡΡ‚ΠΈΠ³Π°ΡŽΡ‚ сигма-Π΄Π΅Π»ΡŒΡ‚Π° АЦП, ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ Ρ€Π°Π·Ρ€ΡΠ΄Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π΄ΠΎ 24 Π±ΠΈΡ‚ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΈ ΡΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΎΡ‚ Π΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ† SPS Π΄ΠΎ Π΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ† KSPS.

Π•Ρ‰Π΅ ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΌ Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΠΌ АЦП, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ Π½Π°Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠ» ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π² Π½Π΅Π΄Π°Π²Π½Π΅ΠΌ ΠΏΡ€ΠΎΡˆΠ»ΠΎΠΌ, являСтся ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΉ АЦП. Π˜Π½Ρ‚Π΅Π³Ρ€ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ АЦП Π² настоящСС врСмя практичСски ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ вытСснСны Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠΌΠΈ Ρ‚ΠΈΠΏΠ°ΠΌΠΈ АЦП, Π½ΠΎ ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Π²ΡΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΠΈΡ‚ΡŒΡΡ Π² старых ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Π°Ρ….

АЦП прямого прСобразования

АЦП прямого прСобразования ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΠ»ΠΈ ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ΅ распространСниС Π² 1960-1970 Π³ΠΎΠ΄Π°Ρ…, ΠΈ стали ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ΡŒΡΡ Π² Π²ΠΈΠ΄Π΅ ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… схСм Π² 1980-Ρ…. Они часто ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ Π² составС Β«ΠΊΠΎΠ½Π²Π΅ΠΉΠ΅Ρ€Π½Ρ‹Ρ…Β» АЦП (Π² Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΉ ΡΡ‚Π°Ρ‚ΡŒΠ΅ Π½Π΅ Ρ€Π°ΡΡΠΌΠ°Ρ‚Ρ€ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ΡΡ), ΠΈ ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ Ρ€Π°Π·Ρ€ΡΠ΄Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ 6-8 Π±ΠΈΡ‚ ΠΏΡ€ΠΈ скорости Π΄ΠΎ 1 GSPS.

АрхитСктура АЦП прямого прСобразования ΠΈΠ·ΠΎΠ±Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½Π° Π½Π° рис. 1

Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС микросхСмы. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎ Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС микросхСмы. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΡƒ Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС микросхСмы. ΠšΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΠ° ΠΏΡ€ΠΎ Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС микросхСмы. Π€ΠΎΡ‚ΠΎ Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС микросхСмы

Рис. 1. Бтруктурная схСма АЦП прямого прСобразования

ΠŸΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ дСйствия АЦП ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ прост: Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ сигнал поступаСт ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎ Π½Π° всС Β«ΠΏΠ»ΡŽΡΠΎΠ²Ρ‹Π΅Β» Π²Ρ…ΠΎΠ΄Ρ‹ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ², Π° Π½Π° «минусовыС» подаСтся ряд напряТСний, ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π°Π΅ΠΌΡ‹Ρ… ΠΈΠ· ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΡƒΡ‚Π΅ΠΌ дСлСния рСзисторами R. Для схСмы Π½Π° рис. 1 этот ряд Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠΌ: (1/16, 3/16, 5/16, 7/16, 9/16, 11/16, 13/16) Uref, Π³Π΄Π΅ Uref – ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС АЦП.

ΠŸΡƒΡΡ‚ΡŒ Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄ АЦП подаСтся напряТСниС, Ρ€Π°Π²Π½ΠΎΠ΅ 1/2 Uref. Π’ΠΎΠ³Π΄Π° ΡΡ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°ΡŽΡ‚ ΠΏΠ΅Ρ€Π²Ρ‹Π΅ 4 ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π° (Ссли ΡΡ‡ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ снизу), ΠΈ Π½Π° ΠΈΡ… Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π°Ρ… появятся логичСскиС Π΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ†Ρ‹. ΠŸΡ€ΠΈΠΎΡ€ΠΈΡ‚Π΅Ρ‚Π½Ρ‹ΠΉ ΡˆΠΈΡ„Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€ (priority encoder) сформируСт ΠΈΠ· «столбца» Π΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ† Π΄Π²ΠΎΠΈΡ‡Π½Ρ‹ΠΉ ΠΊΠΎΠ΄, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ фиксируСтся Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌ рСгистром.

Π’Π΅ΠΏΠ΅Ρ€ΡŒ становятся понятны достоинства ΠΈ нСдостатки Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ³ΠΎ прСобразоватСля. ВсС ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Ρ‹ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°ΡŽΡ‚ ΠΏΠ°Ρ€Π°Π»Π»Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, врСмя Π·Π°Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΊΠΈ схСмы Ρ€Π°Π²Π½ΠΎ Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ Π·Π°Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΊΠΈ Π² ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π΅ плюс врСмя Π·Π°Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΊΠΈ Π² ΡˆΠΈΡ„Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π΅. ΠšΠΎΠΌΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€ ΠΈ ΡˆΠΈΡ„Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΡΠ΄Π΅Π»Π°Ρ‚ΡŒ ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ быстрыми, Π² ΠΈΡ‚ΠΎΠ³Π΅ вся схСма ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ высокоС быстродСйствиС.

Но для получСния N разрядов Π½ΡƒΠΆΠ½ΠΎ 2^N ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ² (ΠΈ ΡΠ»ΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΡˆΠΈΡ„Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π° Ρ‚ΠΎΠΆΠ΅ растСт ΠΊΠ°ΠΊ 2^N). Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° Π½Π° рис. 1. содСрТит 8 ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ² ΠΈ ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ 3 разряда, для получСния 8 разрядов Π½ΡƒΠΆΠ½ΠΎ ΡƒΠΆΠ΅ 256 ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ², для 10 разрядов – 1024 ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π°, для 24-Π±ΠΈΡ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ АЦП ΠΈΡ… понадобилось Π±Ρ‹ ΡΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅ 16 ΠΌΠ»Π½. Однако Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… высот Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΈΠΊΠ° Π΅Ρ‰Π΅ Π½Π΅ достигла.

АЦП ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ приблиТСния

АЦП ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ приблиТСния Ρ€Π΅Π°Π»ΠΈΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ Π°Π»Π³ΠΎΡ€ΠΈΡ‚ΠΌ «взвСшивания», восходящий Π΅Ρ‰Π΅ ΠΊ Π€ΠΈΠ±ΠΎΠ½Π°Ρ‡Ρ‡ΠΈ. Π’ своСй ΠΊΠ½ΠΈΠ³Π΅ Β«Liber AbaciΒ» (1202 Π³.) Π€ΠΈΠ±ΠΎΠ½Π°Ρ‡Ρ‡ΠΈ рассмотрСл Β«Π·Π°Π΄Π°Ρ‡Ρƒ ΠΎ Π²Ρ‹Π±ΠΎΡ€Π΅ Π½Π°ΠΈΠ»ΡƒΡ‡ΡˆΠ΅ΠΉ систСмы Π³ΠΈΡ€ΡŒΒ», Ρ‚ΠΎ Π΅ΡΡ‚ΡŒ ΠΎ Π½Π°Ρ…ΠΎΠΆΠ΄Π΅Π½ΠΈΠΈ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ³ΠΎ ряда вСсов Π³ΠΈΡ€ΡŒ, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ Π±Ρ‹ Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΠΎΠ²Π°Π» для нахоТдСния вСса ΠΏΡ€Π΅Π΄ΠΌΠ΅Ρ‚Π° минимального количСства взвСшиваний Π½Π° Ρ€Ρ‹Ρ‡Π°ΠΆΠ½Ρ‹Ρ… вСсах. РСшСниСм этой Π·Π°Π΄Π°Ρ‡ΠΈ являСтся Β«Π΄Π²ΠΎΠΈΡ‡Π½Ρ‹ΠΉΒ» Π½Π°Π±ΠΎΡ€ Π³ΠΈΡ€ΡŒ. ΠŸΠΎΠ΄Ρ€ΠΎΠ±Π½Π΅Π΅ ΠΎ Π·Π°Π΄Π°Ρ‡Π΅ Π€ΠΈΠ±ΠΎΠ½Π°Ρ‡Ρ‡ΠΈ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΡ‡ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ, Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, здСсь: http://www.goldenmuseum.com/2015AMT_rus.html.

Аналого-Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²ΠΎΠΉ ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ приблиТСния (SAR, Successive Approximation Register) измСряСт Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρƒ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ сигнала, осущСствляя ряд ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… «взвСшиваний», Ρ‚ΠΎ Π΅ΡΡ‚ΡŒ сравнСний Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρ‹ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния с рядом Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½, Π³Π΅Π½Π΅Ρ€ΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹Ρ… ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ:

1. Π½Π° ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠΌ шагС Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ встроСнного Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎ-Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ прСобразоватСля устанавливаСтся Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Π°, равная 1/2Uref (здСсь ΠΈ Π΄Π°Π»Π΅Π΅ ΠΌΡ‹ ΠΏΡ€Π΅Π΄ΠΏΠΎΠ»Π°Π³Π°Π΅ΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ сигнал находится Π² ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Ρ€Π²Π°Π»Π΅ (0 – Uref).

2. Ссли сигнал большС этой Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρ‹, Ρ‚ΠΎ ΠΎΠ½ сравниваСтся с напряТСниСм, Π»Π΅ΠΆΠ°Ρ‰ΠΈΠΌ посСрСдинС ΠΎΡΡ‚Π°Π²ΡˆΠ΅Π³ΠΎΡΡ ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Ρ€Π²Π°Π»Π°, Ρ‚.Π΅., Π² Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΌ случаС, 3/4Uref. Если сигнал мСньшС установлСнного уровня, Ρ‚ΠΎ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰Π΅Π΅ сравнСниС Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ΡŒΡΡ с мСньшСй ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠ²ΠΈΠ½ΠΎΠΉ ΠΎΡΡ‚Π°Π²ΡˆΠ΅Π³ΠΎΡΡ ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Ρ€Π²Π°Π»Π° (Ρ‚.Π΅. с ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅ΠΌ 1/4Uref).

3. Π¨Π°Π³ 2 повторяСтся N Ρ€Π°Π·. Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, N сравнСний («взвСшиваний») ΠΏΠΎΡ€ΠΎΠΆΠ΄Π°Π΅Ρ‚ N Π±ΠΈΡ‚ Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π°.

Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС микросхСмы. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎ Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС микросхСмы. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΡƒ Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС микросхСмы. ΠšΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΠ° ΠΏΡ€ΠΎ Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС микросхСмы. Π€ΠΎΡ‚ΠΎ Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС микросхСмы

Рис. 2. Бтруктурная схСма АЦП ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ приблиТСния.

Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, АЦП ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ приблиТСния состоит ΠΈΠ· ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΡ… ΡƒΠ·Π»ΠΎΠ²:

1. ΠšΠΎΠΌΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€. Он сравниваСт Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΡƒΡŽ Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρƒ ΠΈ Ρ‚Π΅ΠΊΡƒΡ‰Π΅Π΅ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ «вСсового» напряТСния (Π½Π° рис. 2. ΠΎΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ Ρ‚Ρ€Π΅ΡƒΠ³ΠΎΠ»ΡŒΠ½ΠΈΠΊΠΎΠΌ).

2. Π¦ΠΈΡ„Ρ€ΠΎ-Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ (Digital to Analog Converter, DAC). Он Π³Π΅Π½Π΅Ρ€ΠΈΡ€ΡƒΠ΅Ρ‚ «вСсовоС» Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния Π½Π° основС ΠΏΠΎΡΡ‚ΡƒΠΏΠ°ΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄ Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ ΠΊΠΎΠ΄Π°.

3. РСгистр ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ приблиТСния (Successive Approximation Register, SAR). Он осущСствляСт Π°Π»Π³ΠΎΡ€ΠΈΡ‚ΠΌ ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ приблиТСния, гСнСрируя Ρ‚Π΅ΠΊΡƒΡ‰Π΅Π΅ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΊΠΎΠ΄Π°, ΠΏΠΎΠ΄Π°ΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎΡΡ Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄ ЦАП. По Π΅Π³ΠΎ названию Π½Π°Π·Π²Π°Π½Π° вся данная Π°Ρ€Ρ…ΠΈΡ‚Π΅ΠΊΡ‚ΡƒΡ€Π° АЦП.

4. Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° Π²Ρ‹Π±ΠΎΡ€ΠΊΠΈ-хранСния (Sample/Hold, S/H). Для Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ АЦП ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎ Π²Π°ΠΆΠ½ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС сохраняло Π½Π΅ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π½ΡƒΡŽ Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρƒ Π² Ρ‚Π΅Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ всСго Ρ†ΠΈΠΊΠ»Π° прСобразования. Однако Β«Ρ€Π΅Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅Β» сигналы ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ свойство ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½ΡΡ‚ΡŒΡΡ Π²ΠΎ Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ. Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° Π²Ρ‹Π±ΠΎΡ€ΠΊΠΈ-хранСния Β«Π·Π°ΠΏΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π΅Ρ‚Β» Ρ‚Π΅ΠΊΡƒΡ‰Π΅Π΅ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ сигнала, ΠΈ сохраняСт Π΅Π³ΠΎ Π½Π΅ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π½Ρ‹ΠΌ Π½Π° протяТСнии всСго Ρ†ΠΈΠΊΠ»Π° Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ устройства.

Достоинством устройства являСтся ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ высокая ΡΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΡŒ прСобразования: врСмя прСобразования N-Π±ΠΈΡ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ АЦП составляСт N Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΠ². Π’ΠΎΡ‡Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ прСобразования ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡Π΅Π½Π° Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½Π΅Π³ΠΎ ЦАП ΠΈ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΡΠΎΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡ‚ΡŒ 16-18 Π±ΠΈΡ‚ (сСйчас стали ΠΏΠΎΡΠ²Π»ΡΡ‚ΡŒΡΡ ΠΈ 24-Π±ΠΈΡ‚Π½Ρ‹Π΅ SAR ADC, Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, AD7766 ΠΈ AD7767).

И, Π½Π°ΠΊΠΎΠ½Π΅Ρ†, самый интСрСсный Ρ‚ΠΈΠΏ АЦП – сигма-Π΄Π΅Π»ΡŒΡ‚Π° АЦП, ΠΈΠ½ΠΎΠ³Π΄Π° Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅ΠΌΡ‹ΠΉ Π² Π»ΠΈΡ‚Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π΅ АЦП с балансировкой заряда. Бтруктурная схСма сигма-Π΄Π΅Π»ΡŒΡ‚Π° АЦП ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Π° Π½Π° рис. 3.

Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС микросхСмы. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎ Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС микросхСмы. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΡƒ Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС микросхСмы. ΠšΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΠ° ΠΏΡ€ΠΎ Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС микросхСмы. Π€ΠΎΡ‚ΠΎ Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС микросхСмы

Рис.3. Бтруктурная схСма сигма-Π΄Π΅Π»ΡŒΡ‚Π° АЦП.

ΠŸΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ дСйствия Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ АЦП нСсколько Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ слоТСн, Ρ‡Π΅ΠΌ Ρƒ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΡ… Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΠ² АЦП. Π•Π³ΠΎ ΡΡƒΡ‚ΡŒ Π² Ρ‚ΠΎΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС сравниваСтся со Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ напряТСния, Π½Π°ΠΊΠΎΠΏΠ»Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΌ ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ. На Π²Ρ…ΠΎΠ΄ ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π° ΠΏΠΎΠ΄Π°ΡŽΡ‚ΡΡ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΡ‹ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ ΠΈΠ»ΠΈ ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ полярности, Π² зависимости ΠΎΡ‚ Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π° сравнСния. Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, Π΄Π°Π½Π½Ρ‹ΠΉ АЦП прСдставляСт собой ΠΏΡ€ΠΎΡΡ‚ΡƒΡŽ ΡΠ»Π΅Π΄ΡΡ‰ΡƒΡŽ систСму: напряТСниС Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π° «отслСТиваСт» Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС (рис. 4). Π Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚ΠΎΠΌ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΉ схСмы являСтся ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΊ Π½ΡƒΠ»Π΅ΠΉ ΠΈ Π΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ† Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π°, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ Π·Π°Ρ‚Π΅ΠΌ пропускаСтся Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²ΠΎΠΉ ЀНЧ, Π² Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π΅ получаСтся N-Π±ΠΈΡ‚Π½Ρ‹ΠΉ Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚. ЀНЧ Π½Π° рис. 3. ОбъСдинСн с Β«Π΄Π΅Ρ†ΠΈΠΌΠ°Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌΒ», устройством, ΡΠ½ΠΈΠΆΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΠΌ частоту слСдования отсчСтов ΠΏΡƒΡ‚Π΅ΠΌ ΠΈΡ… «прорСТивания».

Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС микросхСмы. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎ Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС микросхСмы. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΡƒ Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС микросхСмы. ΠšΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΠ° ΠΏΡ€ΠΎ Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС микросхСмы. Π€ΠΎΡ‚ΠΎ Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС микросхСмы

Рис. 4. Π‘ΠΈΠ³ΠΌΠ°-Π΄Π΅Π»ΡŒΡ‚Π° АЦП ΠΊΠ°ΠΊ слСдящая систСма

Π Π°Π΄ΠΈ строгости излоТСния, Π½ΡƒΠΆΠ½ΠΎ ΡΠΊΠ°Π·Π°Ρ‚ΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π½Π° рис. 3 ΠΈΠ·ΠΎΠ±Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½Π° структурная схСма сигма-Π΄Π΅Π»ΡŒΡ‚Π° АЦП ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠ³ΠΎ порядка. Π‘ΠΈΠ³ΠΌΠ°-Π΄Π΅Π»ΡŒΡ‚Π° АЦП Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ порядка ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ Π΄Π²Π° ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π° ΠΈ Π΄Π²Π΅ ΠΏΠ΅Ρ‚Π»ΠΈ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ связи, Π½ΠΎ здСсь Ρ€Π°ΡΡΠΌΠ°Ρ‚Ρ€ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ Π½Π΅ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚. Π˜Π½Ρ‚Π΅Ρ€Π΅ΡΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ΡΡ Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΉ Ρ‚Π΅ΠΌΠΎΠΉ ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΠΈΡ‚ΡŒΡΡ ΠΊ [3].

На рис. 5 ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Ρ‹ сигналы Π² АЦП ΠΏΡ€ΠΈ Π½ΡƒΠ»Π΅Π²ΠΎΠΌ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅ Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ (свСрху) ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅ Vref/2 (снизу).

Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС микросхСмы. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎ Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС микросхСмы. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΡƒ Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС микросхСмы. ΠšΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΠ° ΠΏΡ€ΠΎ Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС микросхСмы. Π€ΠΎΡ‚ΠΎ Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС микросхСмы

Рис. 5. Π‘ΠΈΠ³Π½Π°Π»Ρ‹ Π² АЦП ΠΏΡ€ΠΈ Ρ€Π°Π·Π½Ρ‹Ρ… уровнях сигнала Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π΅.

Π‘ΠΎΠ»Π΅Π΅ наглядно Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρƒ сигма-Π΄Π΅Π»ΡŒΡ‚Π° АЦП дСмонстрируСт нСбольшая ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠ°, находящаяся Ρ‚ΡƒΡ‚: http://designtools.analog.com/dt/sdtutorial/sdtutorial.html.

Π’Π΅ΠΏΠ΅Ρ€ΡŒ, Π½Π΅ ΡƒΠ³Π»ΡƒΠ±Π»ΡΡΡΡŒ Π² слоТный матСматичСский Π°Π½Π°Π»ΠΈΠ·, ΠΏΠΎΠΏΡ€ΠΎΠ±ΡƒΠ΅ΠΌ ΠΏΠΎΠ½ΡΡ‚ΡŒ, ΠΏΠΎΡ‡Π΅ΠΌΡƒ сигма-Π΄Π΅Π»ΡŒΡ‚Π° АЦП ΠΎΠ±Π»Π°Π΄Π°ΡŽΡ‚ ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΌ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅ΠΌ собствСнных ΡˆΡƒΠΌΠΎΠ².

Рассмотрим ΡΡ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ‚ΡƒΡ€Π½ΡƒΡŽ схСму сигма-Π΄Π΅Π»ΡŒΡ‚Π° модулятора, ΠΈΠ·ΠΎΠ±Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½Π½ΡƒΡŽ Π½Π° рис. 3, ΠΈ прСдставим Π΅Π΅ Π² Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΌ Π²ΠΈΠ΄Π΅ (рис. 6):

Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС микросхСмы. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎ Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС микросхСмы. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΡƒ Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС микросхСмы. ΠšΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΠ° ΠΏΡ€ΠΎ Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС микросхСмы. Π€ΠΎΡ‚ΠΎ Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС микросхСмы

Рис. 6. Бтруктурная схСма сигма-Π΄Π΅Π»ΡŒΡ‚Π° модулятора

Π—Π΄Π΅ΡΡŒ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€ прСдставлСн ΠΊΠ°ΠΊ сумматор, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ суммируСт Π½Π΅ΠΏΡ€Π΅Ρ€Ρ‹Π²Π½Ρ‹ΠΉ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π·Π½Ρ‹ΠΉ сигнал ΠΈ ΡˆΡƒΠΌ квантования.

ΠŸΡƒΡΡ‚ΡŒ ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€ ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΡƒΡŽ Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΡŽ 1/s. Π’ΠΎΠ³Π΄Π°, прСдставив ΠΏΠΎΠ»Π΅Π·Π½Ρ‹ΠΉ сигнал ΠΊΠ°ΠΊ X(s), Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ сигма-Π΄Π΅Π»ΡŒΡ‚Π° модулятора ΠΊΠ°ΠΊ Y(s), Π° ΡˆΡƒΠΌ квантования ΠΊΠ°ΠΊ E(s), ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π°Π΅ΠΌ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΡƒΡŽ Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΡŽ АЦП:

Π’ΠΎ Π΅ΡΡ‚ΡŒ, фактичСски сигма-Π΄Π΅Π»ΡŒΡ‚Π° модулятор являСтся Ρ„ΠΈΠ»ΡŒΡ‚Ρ€ΠΎΠΌ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΡ… частот (1/(s+1)) для ΠΏΠΎΠ»Π΅Π·Π½ΠΎΠ³ΠΎ сигнала, ΠΈ Ρ„ΠΈΠ»ΡŒΡ‚Ρ€ΠΎΠΌ высоких частот (s/(s+1)) для ΡˆΡƒΠΌΠ°, ΠΏΡ€ΠΈΡ‡Π΅ΠΌ ΠΎΠ±Π° Ρ„ΠΈΠ»ΡŒΡ‚Ρ€Π° ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ ΠΎΠ΄ΠΈΠ½Π°ΠΊΠΎΠ²ΡƒΡŽ частоту срСза. Π¨ΡƒΠΌ, сосрСдоточСнный Π² высокочастотной области спСктра, Π»Π΅Π³ΠΊΠΎ удаляСтся Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²Ρ‹ΠΌ ЀНЧ, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ стоит послС модулятора.

Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС микросхСмы. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎ Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС микросхСмы. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΡƒ Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС микросхСмы. ΠšΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΠ° ΠΏΡ€ΠΎ Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС микросхСмы. Π€ΠΎΡ‚ΠΎ Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС микросхСмы

Рис. 7. Π―Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ «вытСснСния» ΡˆΡƒΠΌΠ° Π² Π²Ρ‹ΡΠΎΠΊΠΎΡ‡Π°ΡΡ‚ΠΎΡ‚Π½ΡƒΡŽ Ρ‡Π°ΡΡ‚ΡŒ спСктра

Однако слСдуСт ΠΏΠΎΠ½ΠΈΠΌΠ°Ρ‚ΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ это Ρ‡Ρ€Π΅Π·Π²Ρ‹Ρ‡Π°ΠΉΠ½ΠΎ ΡƒΠΏΡ€ΠΎΡ‰Π΅Π½Π½ΠΎΠ΅ объяснСниС явлСния вытСснСния ΡˆΡƒΠΌΠ° (noise shaping) Π² сигма-Π΄Π΅Π»ΡŒΡ‚Π° АЦП.

Π˜Ρ‚Π°ΠΊ, основным достоинством сигма-Π΄Π΅Π»ΡŒΡ‚Π° АЦП являСтся высокая Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ, обусловлСнная ΠΊΡ€Π°ΠΉΠ½Π΅ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΌ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅ΠΌ собствСнного ΡˆΡƒΠΌΠ°. Однако для достиТСния высокой точности Π½ΡƒΠΆΠ½ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ частота срСза Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ Ρ„ΠΈΠ»ΡŒΡ‚Ρ€Π° Π±Ρ‹Π»Π° ΠΊΠ°ΠΊ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π½ΠΈΠΆΠ΅, Π²ΠΎ ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ€Π°Π· мСньшС частоты Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ сигма-Π΄Π΅Π»ΡŒΡ‚Π° модулятора. ΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΠΌΡƒ сигма-Π΄Π΅Π»ΡŒΡ‚Π° АЦП ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ Π½ΠΈΠ·ΠΊΡƒΡŽ ΡΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΡŒ прСобразования.

Они ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ Π² Π°ΡƒΠ΄ΠΈΠΎΡ‚Π΅Ρ…Π½ΠΈΠΊΠ΅, ΠΎΠ΄Π½Π°ΠΊΠΎ основноС ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ находят Π² ΠΏΡ€ΠΎΠΌΡ‹ΡˆΠ»Π΅Π½Π½ΠΎΠΉ Π°Π²Ρ‚ΠΎΠΌΠ°Ρ‚ΠΈΠΊΠ΅ для прСобразования сигналов Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠΎΠ², Π² ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Π°Ρ…, ΠΈ Π² Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΡ… прилоТСниях, Π³Π΄Π΅ трСбуСтся высокая Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ. Π½ΠΎ Π½Π΅ трСбуСтся высокой скорости.

Π‘Π°ΠΌΡ‹ΠΌ старым ΡƒΠΏΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π½ΠΈΠ΅ΠΌ АЦП Π² истории являСтся, вСроятно, ΠΏΠ°Ρ‚Π΅Π½Ρ‚ Paul M. Rainey, Β«Facsimile Telegraph System,Β» U.S. Patent 1,608,527, Filed July 20, 1921, Issued November 30, 1926. Π˜Π·ΠΎΠ±Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½Π½ΠΎΠ΅ Π² ΠΏΠ°Ρ‚Π΅Π½Ρ‚Π΅ устройство фактичСски являСтся 5-Π±ΠΈΡ‚Π½Ρ‹ΠΌ АЦП прямого прСобразования.

Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС микросхСмы. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎ Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС микросхСмы. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΡƒ Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС микросхСмы. ΠšΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΠ° ΠΏΡ€ΠΎ Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС микросхСмы. Π€ΠΎΡ‚ΠΎ Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС микросхСмы

Рис. 8. ΠŸΠ΅Ρ€Π²Ρ‹ΠΉ ΠΏΠ°Ρ‚Π΅Π½Ρ‚ Π½Π° АЦП

Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС микросхСмы. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎ Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС микросхСмы. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΡƒ Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС микросхСмы. ΠšΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΠ° ΠΏΡ€ΠΎ Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС микросхСмы. Π€ΠΎΡ‚ΠΎ Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС микросхСмы

Рис. 9. АЦП прямого прСобразования (1975 Π³.)

Устройство, ΠΈΠ·ΠΎΠ±Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½Π½ΠΎΠ΅ Π½Π° рисункС, прСдставляСт собой АЦП прямого прСобразования MOD-4100 производства Computer Labs, 1975 Π³ΠΎΠ΄Π° выпуска, собранный Π½Π° основС дискрСтных ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ². ΠšΠΎΠΌΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ² 16 ΡˆΡ‚ΡƒΠΊ (ΠΎΠ½ΠΈ располоТСны ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΊΡ€ΡƒΠ³ΠΎΠΌ, для Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΡƒΡ€Π°Π²Π½ΡΡ‚ΡŒ Π·Π°Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΊΡƒ распространСния сигнала Π΄ΠΎ ΠΊΠ°ΠΆΠ΄ΠΎΠ³ΠΎ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π°), ΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, АЦП ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ Ρ€Π°Π·Ρ€ΡΠ΄Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ всСго 4 Π±ΠΈΡ‚Π°. Π‘ΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΡŒ прСобразования 100 MSPS, потрСбляСмая ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ 14 Π²Π°Ρ‚Ρ‚.

На ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰Π΅ΠΌ рисункС ΠΈΠ·ΠΎΠ±Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½Π° продвинутая вСрсия АЦП прямого прСобразования.

Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС микросхСмы. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎ Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС микросхСмы. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΡƒ Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС микросхСмы. ΠšΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΠ° ΠΏΡ€ΠΎ Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС микросхСмы. Π€ΠΎΡ‚ΠΎ Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС микросхСмы

Рис. 10. АЦП прямого прСобразования (1970 Π³.)

Устройство VHS-630 1970 Π³ΠΎΠ΄Π° выпуска, ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²Π΅Π΄Π΅Π½Π½ΠΎΠ΅ Ρ„ΠΈΡ€ΠΌΠΎΠΉ Computer Labs, содСрТало 64 ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π°, ΠΈΠΌΠ΅Π»ΠΎ Ρ€Π°Π·Ρ€ΡΠ΄Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ 6 Π±ΠΈΡ‚, ΡΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΡŒ 30MSPS ΠΈ потрСбляло 100 Π²Π°Ρ‚Ρ‚ (вСрсия 1975 Π³ΠΎΠ΄Π° VHS-675 ΠΈΠΌΠ΅Π»Π° ΡΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΡŒ 75 MSPS ΠΈ ΠΏΠΎΡ‚Ρ€Π΅Π±Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ 130 Π²Π°Ρ‚Ρ‚).

Π˜ΡΡ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΈΠΊ

Π”ΠΎΠ±Π°Π²ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠΌΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Ρ€ΠΈΠΉ

Π’Π°Ρˆ адрСс email Π½Π΅ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΎΠΏΡƒΠ±Π»ΠΈΠΊΠΎΠ²Π°Π½. ΠžΠ±ΡΠ·Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ поля ΠΏΠΎΠΌΠ΅Ρ‡Π΅Π½Ρ‹ *