чем заменить цифровой транзистор
Цифровые транзисторы (Digital transistors)
DTA113T P-N-P R1=1KΩ
DTA113Z P-N-P R1=1KΩ R2=10KΩ
DTA114E P-N-P SMD R1=10KΩ R2=10KΩ B-E-C
DTA114G P-N-P SMD R1=10KΩ B-E-C
DTA114T P-N-P SMD R1=10KΩ B-E-C
DTA114W P-N-P R1=10KΩ R2=4,7KΩ
DTA114Y P-N-P R1=10KΩ R2=47KΩ
DTA115E P-N-P SMD R1=100KΩ R2=100KΩ B-E-C
DTA115G P-N-P R1=100KΩ
DTA115T P-N-P R1=100KΩ
DTA115U P-N-P R1=100KΩ R2=10KΩ
DTA123E P-N-P R1=2,2KΩ R2=2,2KΩ
DTA123J P-N-P R1=2,2KΩ R2=47KΩ
DTA123Y P-N-P R1=2,2KΩ R2=10KΩ
DTA124E P-N-P R1=22KΩ R2=22KΩ
DTA124G P-N-P R1=22KΩ
DTA124T P-N-P R1=22KΩ
DTA124X P-N-P R1=22KΩ R2=47KΩ
DTA125T P-N-P R1=200KΩ
DTA143E P-N-P R1=4,7KΩ R2=4,7KΩ
DTA143T P-N-P R1=4,7KΩ
DTA143X P-N-P R1=4,7KΩ R2=10KΩ
DTA143Y P-N-P R1=4,7KΩ R2=22KΩ
DTA143Z P-N-P R1=4,7KΩ R2=47KΩ
DTA144G P-N-P R1=47KΩ
DTA144T P-N-P SMD R1=47KΩ B-E-C
DTA144V P-N-P R1=47KΩ R2=10KΩ
DTA144W P-N-P R1=47KΩ R2=22KΩ
DTA1D3R P-N-P R1=2,7KΩ R2=1KΩ
DTA214Y P-N-P R1=10KΩ R2=47KΩ
DTB113E P-N-P R1=1KΩ R2=1KΩ
DTB113Z P-N-P R1=1KΩ R2=10KΩ
DTB114E P-N-P R1=10KΩ R2=10KΩ
DTB114G P-N-P R1=10KΩ
DTB114T P-N-P R1=10KΩ
DTB122J P-N-P R1=0,22KΩ R2=4,7KΩ
DTB123E P-N-P R1=2,2KΩ R2=2,2KΩ
DTB123T P-N-P R1=2,2KΩ
DTB123Y P-N-P R1=2,2KΩ R2=10KΩ
DTB133H P-N-P R1=3,3KΩ R2=10KΩ
DTB143E P-N-P R1=4,7KΩ R2=4,7KΩ
DTB143T P-N-P R1=4,7KΩ
DTB163T P-N-P R1=6,8KΩ
DTC113Z N-P-N R1=1KΩ R2=10KΩ
DTC114E N-P-N R1=10KΩ R2=10KΩ E-B-C
DTC114W N-P-N R1=10KΩ R2=4,7KΩ
DTC114Y N-P-N R1=10KΩ R2=47KΩ
DTC115E N-P-N R1=100KΩ R2=100KΩ
DTC115U N-P-N R1=100KΩ R2=10KΩ
DTC123E N-P-N R1=2,2KΩ R2=2,2KΩ
DTC123J N-P-N R1=2,2KΩ R2=47KΩ
DTC123Y N-P-N R1=2,2KΩ R2=10KΩ
DTC124E N-P-N SMD R1=22KΩ R2=22KΩ B-E-C
DTC124G N-P-N R1=22KΩ
DTC124T N-P-N R1=22KΩ
DTC124X N-P-N R1=22KΩ R2=47KΩ
DTC125T N-P-N R1=200KΩ
DTC143E N-P-N R1=4,7KΩ R2=4,7KΩ
DTC143T N-P-N R1=4,7KΩ
DTC143X N-P-N R1=4,7KΩ R2=10KΩ
DTC143Y N-P-N R1=4,7KΩ R2=22KΩ
DTC143Z N-P-N R1=4,7KΩ R2=47KΩ
DTC144G N-P-N R1=47KΩ
DTC144T N-P-N R1=47KΩ
DTC144V N-P-N R1=47KΩ R2=10KΩ
DTC144W N-P-N R1=47KΩ R2=22KΩ
DTC1D3R N-P-N R1=2,7KΩ R2=1KΩ
DTC214Y N-P-N R1=10KΩ R2=47KΩ
KRC101M N-P-N R1=4,7KΩ R2=4,7KΩ E-C-B
KRC102M N-P-N R1=10KΩ R2=10KΩ E-C-B
KRC103M N-P-N R1=22KΩ R2=22KΩ E-C-B
KRC104M N-P-N R1=47KΩ R2=47KΩ E-C-B
KRC105M N-P-N R1=2,2KΩ R2=47KΩ E-C-B
KRC106M N-P-N R1=4,7KΩ R2=47KΩ E-C-B
KSR1001 N-P-N R1=4,7KΩ R2=4,7KΩ E-C-B
KSR1002 N-P-N R1=10KΩ R2=10KΩ E-C-B
KSR1003 N-P-N R1=22KΩ R2=22KΩ E-C-B
KSR1004 N-P-N R1=47KΩ R2=47KΩ E-C-B
KSR1005 N-P-N R1=4,7KΩ R2=10KΩ E-C-B
KSR1006 N-P-N R1=10KΩ R2=47KΩ E-C-B
KSR1007 N-P-N R1=22KΩ R2=47KΩ E-C-B
KSR1008 N-P-N R1=47KΩ R2=22KΩ E-C-B
KSR1009 N-P-N R1=4,7KΩ E-C-B
KSR1010 N-P-N R1=10KΩ E-C-B
KSR1011 N-P-N R1=22KΩ E-C-B
KSR1012 N-P-N R1=47KΩ E-C-B
KSR1013 N-P-N R1=2,2KΩ R2=47KΩ E-C-B
KSR1014 N-P-N R1=4,7KΩ R2=47KΩ E-C-B
KSR1101 N-P-N SMD R1=4,7KΩ R2=4,7KΩ B-E-C
KSR1102 N-P-N SMD R1=10KΩ R2=10KΩ B-E-C
KSR1103 N-P-N SMD R1=22KΩ R2=22KΩ B-E-C
KSR1104 N-P-N SMD R1=47KΩ R2=47KΩ B-E-C
KSR1105 N-P-N SMD R1=4,7KΩ R2=10KΩ B-E-C
KSR1106 N-P-N SMD R1=10KΩ R2=47KΩ B-E-C
KSR1107 N-P-N SMD R1=22KΩ R2=47KΩ B-E-C
KSR1108 N-P-N SMD R1=47KΩ R2=22KΩ B-E-C
KSR1109 N-P-N SMD R1=4,7KΩ B-E-C
KSR1110 N-P-N SMD R1=10KΩ B-E-C
KSR1111 N-P-N SMD R1=22KΩ B-E-C
KSR1112 N-P-N SMD R1=47KΩ B-E-C
KSR1113 N-P-N SMD R1=2,2KΩ R2=47KΩ B-E-C
KSR1114 N-P-N SMD R1=4,7KΩ R2=47KΩ B-E-C
KSR1201 N-P-N R1=4,7KΩ R2=4,7KΩ E-C-B
KSR1202 N-P-N R1=10KΩ R2=10KΩ E-C-B
KSR1203 N-P-N R1=22KΩ R2=22KΩ E-C-B
KSR1204 N-P-N R1=47KΩ R2=47KΩ E-C-B
KSR1205 N-P-N R1=4,7KΩ R2=10KΩ E-C-B
KSR1206 N-P-N R1=10KΩ R2=47KΩ E-C-B
KSR1207 N-P-N R1=22KΩ R2=47KΩ E-C-B
KSR1208 N-P-N R1=47KΩ R2=22KΩ E-C-B
KSR1209 N-P-N R1=4,7KΩ E-C-B
KSR1210 N-P-N R1=10KΩ E-C-B
KSR1211 N-P-N R1=22KΩ E-C-B
KSR1212 N-P-N R1=47KΩ E-C-B
KSR1213 N-P-N R1=2,2KΩ R2=47KΩ E-C-B
KSR1214 N-P-N R1=4,7KΩ R2=47KΩ E-C-B
KSR2001 P-N-P R1=4,7KΩ R2=4,7KΩ E-C-B
KSR2002 P-N-P R1=10KΩ R2=10KΩ E-C-B
KSR2003 P-N-P R1=22KΩ R2=22KΩ E-C-B
KSR2004 P-N-P R1=47KΩ R2=47KΩ E-C-B
KSR2005 P-N-P R1=4,7KΩ R2=10KΩ E-C-B
KSR2006 P-N-P R1=10KΩ R2=47KΩ E-C-B
KSR2007 P-N-P R1=22KΩ R2=47KΩ E-C-B
KSR2008 P-N-P R1=47KΩ R2=22KΩ E-C-B
KSR2009 P-N-P R1=4,7KΩ E-C-B
KSR2010 P-N-P R1=10KΩ E-C-B
KSR2011 P-N-P R1=22KΩ E-C-B
KSR2012 P-N-P R1=47KΩ E-C-B
KSR2013 P-N-P R1=2,2KΩ R2=47KΩ E-C-B
KSR2014 P-N-P R1=4,7KΩ R2=47KΩ E-C-B
KSR2101 P-N-P SMD R1=4,7KΩ R2=4,7KΩ B-E-C
KSR2102 P-N-P SMD R1=10KΩ R2=10KΩ B-E-C
KSR2103 P-N-P SMD R1=22KΩ R2=22KΩ B-E-C
KSR2104 P-N-P SMD R1=47KΩ R2=47KΩ B-E-C
KSR2105 P-N-P SMD R1=4,7KΩ R2=10KΩ B-E-C
KSR2106 P-N-P SMD R1=10KΩ R2=47KΩ B-E-C
KSR2107 P-N-P SMD R1=22KΩ R2=47KΩ B-E-C
KSR2108 P-N-P SMD R1=47KΩ R2=22KΩ B-E-C
KSR2109 P-N-P SMD R1=4,7KΩ B-E-C
KSR2110 P-N-P SMD R1=10KΩ B-E-C
KSR2111 P-N-P SMD R1=22KΩ B-E-C
KSR2112 P-N-P SMD R1=47KΩ B-E-C
KSR2113 P-N-P SMD R1=2,2KΩ R2=47KΩ B-E-C
KSR2114 P-N-P SMD R1=4,7KΩ R2=47KΩ B-E-C
KSR2201 P-N-P R1=4,7KΩ R2=4,7KΩ E-C-B
KSR2202 P-N-P R1=10KΩ R2=10KΩ E-C-B
KSR2203 P-N-P R1=22KΩ R2=22KΩ E-C-B
KSR2204 P-N-P R1=47KΩ R2=47KΩ E-C-B
KSR2205 P-N-P R1=4,7KΩ R2=10KΩ E-C-B
KSR2206 P-N-P R1=10KΩ R2=47KΩ E-C-B
KSR2207 P-N-P R1=22KΩ R2=47KΩ E-C-B
KSR2208 P-N-P R1=47KΩ R2=22KΩ E-C-B
KSR2209 P-N-P R1=4,7KΩ E-C-B
KSR2210 P-N-P R1=10KΩ E-C-B
KSR2211 P-N-P R1=22KΩ E-C-B
KSR2212 P-N-P R1=47KΩ E-C-B
KSR2213 P-N-P R1=2,2KΩ R2=47KΩ E-C-B
KSR2214 P-N-P R1=4,7KΩ R2=47KΩ E-C-B
PDTA114E P-N-P SMD R1=10KΩ R2=10KΩ B-E-C
PDTA144E P-N-P SMD R1=47KΩ R2=47KΩ B-E-C
«Преодолевая» закон Мура: чем заменить традиционные планарные транзисторы
Обсуждаем альтернативы подходы к разработке полупроводниковых изделий.
В прошлый раз мы говорили о материалах, которые могут заменить кремний в производстве транзисторов и расширить их возможности. Сегодня обсуждаем альтернативные подходы к разработке полупроводниковых изделий и какое применение они найдут в дата-центрах.
Пьезоэлектрические транзисторы
Такие устройства имеют в своей структуре пьезоэлектрический и пьезорезистивный компоненты. Первый преобразует электрические импульсы в звуковые. Второй — поглощает эти звуковые волны, сжимается и, соответственно, открывает или закрывает транзистор. В качестве пьезорезистивного вещества используется селенид самария (слайд 14) — в зависимости от давления он ведет себя или как полупроводник (с высоким сопротивлением), или как металл.
Одними из первых концепцию пьезоэлектрического транзистора представили в IBM. Инженеры компании занимаются разработками в этой области еще с 2012 года. Также в этом направлении работают их коллеги из Национальной физической лаборатории Великобритании, университета Эдинбурга и Оберна.
Пьезоэлектрический транзистор рассеивает значительно меньшее количество энергии, чем кремниевые устройства. В первую очередь технологию планируют применять в небольших гаджетах, от которых сложно отводить тепло — смартфонах, радиоприборах, радарах.
Также пьезоэлектрические транзисторы могут найти применение в серверных процессорах для дата-центров. Технология повысит энергоэффективность аппаратного обеспечения и позволит сократить расходы операторов ЦОД на ИТ-инфраструктуру.
Туннельные транзисторы
Одной из главных задач производителей полупроводниковых устройств является проектирование транзисторов, которые можно переключать малыми напряжениями. Решить её способны туннельные транзисторы. Такие устройства управляются с помощью квантового туннельного эффекта.
Таким образом, при наложении внешнего напряжения переключение транзистора происходит быстрее, так как электроны с большей вероятностью преодолевают диэлектрический барьер. В результате устройству требуется в несколько раз меньшее напряжение для работы.
Разработкой туннельных транзисторов занимаются ученые из МФТИ и японского университета Тохоку. Они использовали двухслойный графен, чтобы создать устройство, которое работает в 10–100 раз быстрее кремниевых аналогов. По словам инженеров, их технология позволит спроектировать процессоры, которые будут в двадцать раз производительнее современных флагманских моделей.
/ фото PxHere PD
В разное время прототипы туннельных транзисторов реализовывались с использованием различных материалов — помимо графена, ими были нанотрубки и кремний. Однако технология до сих пор не покинула стены лабораторий, и о масштабном производстве устройств на её основе речи не идет.
Спиновые транзисторы
Их работа основана на перемещении спинов электронов. Движутся спины с помощью внешнего магнитного поля, упорядочивающего их в одном направлении и формирующего спиновый ток. Устройства, работающие с таким током, потребляют в сто раз меньше энергии, чем кремниевые транзисторы, и могут переключаться со скоростью миллиард раз в секунду.
Главным достоинством спиновых приборов является их многофункциональность. Они совмещают функции накопителя информации, детектора для её считывания и коммутатора для её передачи другим элементам чипа.
Считается, что первыми концепцию спинового транзистора представили инженеры Суприйо Датта (Supriyo Datta) и Бисваджит Дас (Biswajit Das) в 1990 году. С тех пор разработками в этой области занялись крупные ИТ-компании, например Intel. Однако, как признают инженеры, спиновые транзисторы еще нескоро появятся в потребительских продуктах.
Металл-воздушные транзисторы
По своей сути принципы работы и конструкция металл-воздушного транзистора напоминает транзисторы MOSFET. За некоторыми исключениями: стоком и истоком нового транзистора являются металлические электроды. Затвор устройства расположен под ними и заизолирован оксидной пленкой.
Сток и исток установлены друг от друга на расстоянии тридцати нанометров, что позволяет электронам свободно проходить сквозь воздушное пространство. Обмен заряженными частицами происходит за счет автоэлектронной эмиссии.
Разработкой металл-воздушных транзисторов занимается команда из университета в Мельбурне — RMIT. Инженеры говорят, что технология «вдохнет новую жизнь» в закон Мура и позволит строить целые 3D-сети из транзисторов. Производители чипов смогут перестать заниматься бесконечным уменьшением техпроцессов и займутся формированием компактных 3D-архитектур.
По оценкам разработчиков, рабочая частота транзисторов нового типа превысит сотни гигагерц. Выход технологии в массы расширит возможности вычислительных систем и увеличит производительность серверов в дата-центрах.
Сейчас команда ищет инвесторов, чтобы продолжить свои исследования и разрешить технологические сложности. Электроды стока и истока плавятся под воздействием электрического поля — это снижает производительность транзистора. Недостаток планируют поправить в ближайшие пару лет. После этого инженеры начнут подготовку к выводу продукта на рынок.
О чем еще мы пишем в нашем корпоративном блоге:
Чем заменить транзистор в RGB контроллере?
Добрый день, заказывал из Китая RGB контроллер. При проверке выяснил что постоянно горит зеленый. Оказалось что пробит транзистор. Какой это транзистор, и чем его можно заменить? На транзисторе написанно 2300:
Комментарии 33
Меняй на д пак. Там явно с запасом лучше поставить.
Их можно сдуть с любой старой материнской платы компа. За бесплатно и по току пройдут.
Если в сот23 то надо ток мерять и подбирать по току +запас 15-30%. По желанию.
А от чего такая плата?
по взляду чтото типо эквалайзера для светодиодной ленты, мне предлагали нечто подобное в магазине, музыка играет микрофон улавливает и идет переключение цветов=) сугубо мое мнение=)
Меняй на д пак. Там явно с запасом лучше поставить.
Их можно сдуть с любой старой материнской платы компа. За бесплатно и по току пройдут.
Если в сот23 то надо ток мерять и подбирать по току +запас 15-30%. По желанию.
А от чего такая плата?
Спасибо, это rgb контроллер со звуковой активацией
а как проверить что пробит? что на тестере выставить нужно?
ну скорее всего на диодах он проверил
обычно так проверяют
или по питанию смотрят
а как проверить что пробит? что на тестере выставить нужно?
У меня все время он горит
А! Транзисторы — это sot23 которые на плате. Я думал d-pak которые выпаяны.
Ищите МОП-транзисторы с n-каналом в корпусе sot23 с наименьшим возможным сопротивлением сток-исток, на напряжение не менее 20 вольт, с допустимым напряжением затвор-исток не менее 12 вольт, на ток 4 ампера, примерно.
главное с низким пороговым напряжением затвора — у указанного он 1 В макс.
Пойдут IRLML6344 IRLML6244 IRLML2502. Возможно также будет работать IRLML0030 (хотя у него выше пороговое напряжение)
Спасибо, завтра посмотрю что в магазинах есть
«Цифровые» транзисторы
В биполярных транзисторных ключах, как ни старайся, но приходится ставить резисторы, ограничивающие базовый ток. Напрашивается идея — имплантировать миниатюрные резисторы внутрь корпуса транзистора и получить трёхвыводной компонент, не требующий внешней «обвязки». Первыми идею реализовали специалисты японской фирмы ROHM, затем появились аналогичные изделия фирм Motorola и Siemens. Новые ЭРИ назвали «цифровыми» транзисторами (англ. «digital transistor»), поскольку на их входы можно подавать сигналы непосредственно с выходов цифровых логических микросхем.
На Рис. 2.73, а, б показаны типовые схемы внутреннего устройства «цифровых» транзисторов. Другие разновидности встречаются реже. Например, отсутствует один из резисторов или в одном корпусе размещается несколько транзисторов, которые соединяются между собой сложными резисторными связями. Известны пят шестивыводные «цифровые» транзисторные сборки, в том числе гибриды из полевых и биполярных транзисторов и т.д.
Рис. 2.73. Схемы внутреннего устройства «цифровых» транзисторов: а) со структурой n-p-n\ б) со структурой р—п—р.
Типовые параметры биполярных «цифровых» транзисторов: f/KMAX = 20…50 В, /КМАх = 50…500 мА, А21Э = 20…120, Рк = 0.25…0.5 Вт. Технологический диапазон реализуемых сопротивлений 1…200 кОм. Отношение сопротивлений резисторов Я,:Д2подчиняетсяряду— 1:1; 1:2; 1:3; 1:4; 1:10; 1:20; 2:1;4:1 (Табл. 2.12). Ценно то, что резисторы в сборках «настоящие», которые можно прозвонить извне омметром, а не полупроводниковые, имеющие значительную нелинейность.
Таблица 2.12. Сопротивления резисторов в базовых делителях «цифровых» транзисторов
Как подобрать аналог транзистора
В этой статье разберем тему подбора аналогов биполярных и полевых транзисторов. На какие параметры транзистора следует обратить внимание, чтобы по ним подобрать подходящую замену?
Для чего это нужно? Бывает так, что ремонтируя какой-нибудь прибор, скажем, импульсный блок питания, пользователь оказывается вынужден обратиться в ближайший магазин электронных компонентов, но в ассортименте не находится именно такого транзистора, который вышел из строя в схеме прибора. Тогда и приходится выбирать из того, что есть в наличии, то есть подбирать аналог.
А бывает еще и так, что сгоревший транзистор на плате был из тех, которые уже сняты с производства, и тогда как нельзя кстати приходится доступный в сети даташит, где параметры можно посмотреть, и по ним подобрать подходящий аналог из ныне доступных. Так или иначе, нужно знать, по каким параметрам выбирать, об этом и пойдет речь далее.
Биполярные транзисторы
Для начала поговорим о биполярных транзисторах. Главными характеристиками здесь выступают:
максимальное напряжение коллектор-эмиттер,
максимальный ток коллектора,
максимальная рассеиваемая корпусом транзистора мощность,
коэффициент передачи по току.
Первым делом оценивают схему в целом. На какой частоте работает прибор? Насколько быстрым должен быть транзистор? Лучше всего, если рабочая частота прибора будет в 10 и много более раз ниже граничной частоты транзистора. Например fгр равна 30 МГц, а рабочая частота прибора, где транзистор будет работать, составляет 50 кГц.
Если же заставить транзистор работать на частоте близкой к граничной, то коэффициент передачи по току станет стремиться к единице, и для управления потребуется много энергии. Поэтому пусть граничная частота подбираемого аналога будет больше или равна граничной частоте транзистора, который нужно заменить.
Следующим шагам обращают внимание на мощность, которую сможет транзистор рассеять. Здесь же смотрят на максимальный ток коллектора и на предельное значение напряжения коллектор-эмиттер. Максимальный ток коллектора должен быть выше максимального тока в управляемой транзистором цепи. Максимальное напряжение коллектор-эмиттер у выбираемого транзистора должно быть выше предельного напряжения в управляемой цепи.
Если параметры подбираются исходя из даташита на заменяемый компонент, то подбираемый аналог по предельному напряжению и предельному току должен соответствовать или превосходить заменяемый транзистор. Например, если сгорел транзистор, предельное напряжение коллектор-эмиттер которого было 80 вольт, а максимальный ток составлял 10 ампер, то в этом случае аналог с максимальными параметрами по току и напряжению 15 ампер и 230 вольт — подойдет в качестве замены.
Далее оценивают коэффициент передачи по току h21. Данный параметр указывает на то, во сколько раз ток коллектора превосходит ток базы в процессе управления транзистором. Приоритет лучше отдавать транзисторам со значением этого параметра большим или равным h21 исходного компонента, хотя бы приблизительно.
Нельзя ставить вместо транзистора с h21 = 30, транзистор с h21 = 3, управляющая цепь просто не справится или сгорит, а прибор не сможет нормально работать, лучше, если аналог будет иметь h21 на уровне 30 или больше, например 50. Чем выше коэффициент усиления по току, тем проще транзистором управлять, тем выше КПД управления, ток базы меньше, ток коллектора — больше.
Транзистор без лишних затрат входит в насыщение. Если же прибор, куда подбирается транзистор, отличается повышенным требованием к коэффициенту передачи по току, то пользователю следует подобрать аналог с более близким к оригиналу h21, либо придется внести изменения в цепь управления базой.
Наконец, смотрят на напряжение насыщения, напряжение коллектор-эмиттер открытого транзистора. Чем оно меньше, тем меньше мощности будет рассеиваться на корпусе компонента в виде тепла. И важно отметить, сколько реально в схеме придется транзистору рассеивать тепла, максимальное значение рассеиваемой корпусом мощности приводится в документации (в даташите).
Умножьте ток коллекторной цепи на напряжение, которое будет падать на переходе коллектор-эмиттер в процессе работы схемы, и сравните с максимально допустимой для корпуса транзистора тепловой мощностью. Если реально выделяемая мощность окажется больше предела, транзистор быстро сгорит.
Так, биполярный транзистор 2N3055 можно смело заменить на КТ819ГМ и наоборот. Сравнив их документацию, можно прийти к выводу, что это почти полные аналоги, как по структуре (оба NPN), так и по типу корпуса и по основным параметрам, важным для равно эффективной работы в аналогичных режимах.
Полевые транзисторы
Теперь поговорим о полевых транзисторах. Полевые транзисторы широко применяются сегодня, в некоторых устройствах, например в инверторах они почти полностью вытеснили собой биполярные транзисторы. Полевые транзисторы управляются напряжением, электрическим полем заряда затвора, и поэтому управление получается менее затратным, нежели в биполярных транзисторах, где управление осуществляется током базы.
Полевые транзисторы намного быстрее переключаются в сравнении с биполярными, обладают повышенной термоустойчивочтью, и не имеют неосновных носителей заряда. Чтобы обеспечить коммутацию значительных токов, полевые транзисторы можно соединять параллельно в большом количестве без выравнивающих резисторов, достаточно подобрать подходящий драйвер.
Итак, что касается подбора аналогов полевых транзисторов, то здесь алгоритм тот же, что и при подборе биполярных аналогов, с той лишь разницей, что отпадает проблема с коэффициентом передачи по току и дополнительно появляется такой параметр как емкость затвора. Максимальное напряжение сток-исток, максимальный ток стока. Лучше выбрать с запасом, чтобы наверняка не сгорел.
У полевых транзисторов нет такого параметра как напряжение насыщения, зато есть параметр «сопротивление канала в открытом состоянии». Исходя из этого параметра можно определить, какая мощность будет рассеиваться на корпусе компонента. Сопротивление открытого канала может составлять от долей ома до единиц ом.
У высоковольтных полевых транзисторов сопротивление открытого канала, как правило, больше одного ома, и это нужно обязательно брать в расчет. Если удастся выбрать аналог с меньшим сопротивлением открытого канала, то и тепловых потерь будет меньше, и падение напряжения на переходе не будет в открытом состоянии критически высоким.
Крутизна характеристики S у полевых транзисторов – аналог коэффициента передачи по току биполярных транзисторов. Этот параметр показывает зависимость тока стока от напряжения затвора. Чем выше крутизна характеристики S, тем меньшее напряжение нужно подать на затвор для коммутации значительного тока стока.
Не нужно забывать при выборе аналога и про пороговое напряжение затвора, ведь если напряжение на затворе будет ниже порогового, то транзистор полностью не откроется, и коммутируемая цепь не получит достаточного питания, всю мощность придется рассеивать транзистору, и он просто перегреется. Напряжение управления затвором должно быть выше порогового. Аналог должен иметь пороговое напряжение затвора не выше чем оригинал.
Мощность рассеяния полевого транзистора аналогична мощности рассеяния биполярного транзистора, этот параметр указан в даташите, и зависит, как и в случае с биполярными транзисторами, от типа корпуса. Чем больше корпус компонента, тем большую тепловую мощность сможет он безопасно для себя рассеять.
Емкость затвора. Поскольку полевые транзисторы управляются напряжением затвора, а не током базы, как биполярные транзисторы, то здесь вводится такой параметр как емкость затвора и полный заряд затвора. При выборе аналога на замену оригиналу, обратите внимание на то, чтобы затвор у аналога не был тяжелее.
Емкость затвора лучше всего, если окажется чуть меньше, таким полевым транзистором проще управлять, фронты получатся круче. Однако если затворные резисторы в схеме управления вы перепаивать не намерены, то пусть емкость затвора будет максимально близкой к оригиналу.
Так, очень распространенные несколько лет назад, IRFP460 заменяют на 20N50, у которого затвор немного легче. Если обратиться к даташитам, то легко заметить почти полное сходство параметров этих полевых транзисторов.
Надеемся, что эта статья помогла вам разобраться в том, на какие характеристики нужно ориентироваться, чтобы подобрать подходящий аналог транзистора.