чем заменить кт 827

Транзисторы КТ827А, 2Т827А

Технические характеристики транзистора КТ827А, внешний вид и габариты говорят о том, что перед нами мощное устройство в своей линейки. На основе его изготавливаются выходные каскады усилителей, стабилизаторы напряжения и тока, повторители, ключевые схемы, изделия управления электодвигателем и защиты автоматики. Такой широкий круг применения объясняется впечатляющими параметрами, которое может конкурировать с многими зарубежными аналогам даже в настоящее время.

В первую очередь нужно сказать, что перед нами составной биполярный транзистор n-p-n структуры. Примечательны они тем, что постоянный ток коллектора у них составляет 20 А, а коэффициент усиления h21Э достигает 18000. Такие параметры достигаются в основном благодаря схеме Дарлингтона, используемой для его создания.

Распиновка

Цоколевка транзистор КТ827 выполнена в металлическом корпусе КТ-9 (ТО-3), который физически соединен с коллектором (К). Он имеет стеклянные изоляторы с жесткими выводами, имеющими назначение базы (Б) и эмиттера (Э). Геометрические размеры устройства и расположение ножек показаны на рисунке ниже.

Технические характеристики

Как уже писалось ранее, неплохие технические характеристики КТ827А обеспечиваются его составной структурой. Как известно коэффициент усиления по току (h21Э) в такой схеме очень высокий. Фактически он представляет собой произведение h21Э двух транзисторов находящихся в ней. В нашем случае h21Э находится в диапазоне от 750 до 18000, а его типовое значение для большинства подобных устройств составляет около 5000.

Рассмотрим подробнее предельно допустимые режимы эксплуатации КТ827А:

Превышение предельных значений или длительная эксплуатация в максимальных режимах приводит к выходу устройства из строя. Для расчета предельно возможной PК макс, при превышении TК более 25 о С, используют следующую формулу PК макс = (200-ТК)/1.4 Вт.

Электрические

Теперь приведем таблицу электрических параметров КТ827А. В ней указаны минимальные и максимальных значения характеристик для этого транзистора с учетом различных режимов измерений, при выпуске устройства производителем. Температура ТК, при этом составляет не более 25 о С.

Аналоги

В связи с трудностями в поисках достойной замены, многие радиолюбители прибегают к использованию вместо КТ827А его эквивалентной схемы. Состав её радиоэлектронных компонентов небольшой. Пару Дарлингтона составляют два биполярных транзистора из серии КТ815 и КТ819. Маломощный диод Д223А можно заменить на импульсные КД521 или КД522.

Производители

Транзистор КТ827А, они же с маркировкой 2Т827А, до сих пор производят в нашей стране. Основным изготовителями являются: АО «ФЗМТ», г. Фрязино и АО «Группа Кремний ЭЛ». Их нетрудно найти в российских магазинах, однако цена таких устройств достаточно высокая и может достигать уровня 1000 рублей и более. Скачать даташит на него можно кликнув по наименованию производителя. А вот еще один старенький Datasheet на серию 2Т827 1991 года, с указанием содержания драгметаллов.

Источник

Схема транзистора КТ827

Аналог КТ827А

Здравствуйте уважаемые читатели. Существует много схем, где с большим успехом используются замечательные мощные составные транзисторы КТ827 и естественно иногда возникает необходимость в их замене. Кода под рукой данных транзисторов не обнаруживается, то начинаем задумываться об их возможных аналогах.

Полных аналогов среди изделий иностранного производства я не нашел, хотя в интернете есть много предложений и утверждений о замене этих транзисторов на TIP142. Но у этих транзисторов максимальный ток коллектора равен 10А, у 827 он равен 20А, хотя мощности у них одинаковые и равны 125Вт. У 827 максимальное напряжение насыщения коллектор – эмиттер равно два вольта, у TIP142 – 3В, а это значит, что в импульсном режиме, когда транзистор будет находиться в насыщении, при токе коллектора 10А на нашем транзисторе будет выделиться мощность 20Вт, а на буржуйском – 30Вт, поэтому придется увеличивать размеры радиатора.

Хорошей заменой может быть транзистор КТ8105А, данные смотрим в табличке. При токе коллектора 10А напряжение насыщения у данного транзистора не более 2В. Это хорошо.

чем заменить кт 827. Смотреть фото чем заменить кт 827. Смотреть картинку чем заменить кт 827. Картинка про чем заменить кт 827. Фото чем заменить кт 827

При неимении все этих замен я всегда собираю приблизительный аналог на дискретных элементах. Схемы транзисторов и их вид приведены на фото 1.

чем заменить кт 827. Смотреть фото чем заменить кт 827. Смотреть картинку чем заменить кт 827. Картинка про чем заменить кт 827. Фото чем заменить кт 827

Собираю обычно навесным монтажом, один из возможных вариантов показан на фото 2.

чем заменить кт 827. Смотреть фото чем заменить кт 827. Смотреть картинку чем заменить кт 827. Картинка про чем заменить кт 827. Фото чем заменить кт 827

В зависимости от нужных параметров составного транзистора можно подобрать транзисторы для замены. На схеме указаны диоды Д223А, я обычно применяю КД521 или КД522.

чем заменить кт 827. Смотреть фото чем заменить кт 827. Смотреть картинку чем заменить кт 827. Картинка про чем заменить кт 827. Фото чем заменить кт 827

На фото 3 собранный составной транзистор работает на нагрузку при температуре 90 градусов. Ток через транзистор в данном случае равен 4А, а падение напряжения на нем 5 вольт, что соответствует выделяемой тепловой мощности 20Вт. Обычно такую процедуру я устраиваю полупроводникам в течении двух, трех часов. Для кремния это совсем не страшно. Конечно для работы такого транзистора на данном радиаторе внутри корпуса устройства потребуется дополнительный обдув.

Для выбора транзисторов привожу таблицу с параметрами.

чем заменить кт 827. Смотреть фото чем заменить кт 827. Смотреть картинку чем заменить кт 827. Картинка про чем заменить кт 827. Фото чем заменить кт 827

Параметры самодельного составного транзистора (Рвых, Iк макс.)будут конечно соответствовать параметрам примененного выходного транзистора. Вот вроде и все. До свидания. К.В.Ю.

Источник

Характеристики транзистора КТ827А

В описании технических характеристик на транзисторы КТ827А указано, что они используются в УНЧ, различных стабилизаторах, как тока, так и напряжения, импульсных усилителях мощности, в ключевых схемах и системах автоматики. Этот составной транзистор, сделанный по схеме Дарлингтона, имеет структуру n-p-n. Компонент изготавливается по эпитаксиальной и мезапланарной технологии.

Цоколевка

Самая полезная информация, которую можно увидеть в цоколевке на КТ827А, да и вообще на транзисторы — это расположение ножек, т.к. если этого не знать, можно запутаться и припаять на место эммитера базу, а на место базы коллектор. Поверьте, ничего хорошего из этого не выйдет. Поэтому на рисунке ниже показаны данные параметры, а так же габаритные размеры. Транзисторы серии КТ827 изготавливаются в металлическом корпусе, имеющем стеклянные изоляторы и жёсткие выводы. Маркировка наносится сверху. Масса прибора не более 20 г. 2Т827А-5 производится на пластине для гибридных ИС с контактными площадками.

Технические характеристики

Первое, на что стоит обратить внимание при подборе транзистора для замены или проектировании новой схемы, это предельные эксплуатационные данные. Превышение их недопустимо даже в течение небольших промежутков времени. Также устройство не сможет долго функционировать при значениях параметров равных максимальным. Для КТ827А эти характеристики равны:

При конструировании схем кроме максимальных значений следует также обращать внимание на электрические параметры. Из таблицы, которая находится ниже по тексту, можно узнать их основные величины. Условия тестирования приведены в столбце под названием «Режимы измерения». Наибольшие и наименьшие значения, полученные во время измерения, находятся в колонках «min» и «max».

ПараметрыРежимы измеренияОбозн.minmaxЕд. изм
Статический к-т передачи тока для транзистора, включённого по схеме с общим эмиттеромUКЭ = 3 В, IК= 10 A, ТК = 25 О С

UКЭ = 3 В, IК= 20 A

h21Э750

3500

Граничная частота к-та передачи тока для транзистора, включённого по схеме с общим эмиттеромUКЭ = 3 В, IК= 10 Afгр4МГц
Напряжение насыщения перехода К-ЭIК = 10 A, IБ = 40 мA

IК = 20 A, IБ = 200 мA

UКЭ нас1

В

Напряжение насыщения перехода Б-ЭIК = 20 A, IБ = 200 мAUБЭ нас2,64В
Входное напряжение Б-ЭIК= 10 A, UКЭ = 3 В1,62,8В
Время включенияIК= 10 A, IБ = 40 мAtвкл0,31мкс
Время выключенияIК= 10 A, IБ = 40 мAtвыкл36мкс
Время рассасыванияIК= 10 A, IБ = 40 мAtрас24,5мкс
Обратный ток К-Э,UКЭ = UКЭ макс RБЭ = 1000 Ом

мА

Обратный ток через эмиттерUЭБ = 5 ВIЭБО2мА
Емкость коллекторного переходаUКБ = 10 Вcк200400пФ
Емкость эмиттерного переходаUЭБ = 5 Вcк160350пФ

Содержание драгоценных металлов

Многие радиоэлектронные компоненты содержат некоторое количество драгметаллов, таких как золото, платина, серебро и т.д. Это делает их объектом охоты для индивидуальных скупщиков и скупающих компаний. Транзистор КТ827А не является исключением, он содержит золото. Согласно этикетке на изделие, представленной ниже, в 1000 штук содержится 19,090г. благородного металла. В пересчёте на 1 шт. получается 0,01909г.

Аналоги

Аналога транзистора КТ827А, полностью идентичного и по своим параметрам, по типу корпуса и расположению выводов не существует. Однако можно попробовать использовать вместо него такие устройства: 2N6059, 2N6284, BDX63, BDX65A, BDX67, BDX87C, MJ3521, MJ4035. Тем не менее данную замену следует делать осторожно, и предварительно сравнить предъявляемые к изделию требования с техническими характеристиками кандидата на замену. Так как КТ827А является составным, можно попытаться спаять эквивалентную схему, как на рисунке ниже.

Производители

Выпуском транзисторов КТ827А занимаются две страны Белоруссия и Россия. В Белоруссии их производят на акционерном обществе «Интеграл» г. Минск. В России их выпускает АО «Элиз» г. Фрязино. В Российских магазинах можно приобрести продукцию обоих фирм. (Скачать Datasheet можно кликнув на названии производителя, так же технические параметры приведены еще здесь).

Источник

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *