что такое рентгеновская топография
РЕНТГЕНОВСКАЯ ТОПОГРАФИЯ
Рис. 1, а. Схема топографн-рования кристалла «на отражение» по методу Шульца. Расходящийся из «точечного» (диаметром 25 мкм) фокуса пучок рентгеновских лучей с непрерывным спектром падает на кристалл под углами от 0 до 0‘, удовлетворяющими условию Лауэ для длин волн от X до X‘. Отражённый пучок даёт его дифракционное изображение на фотоплёнке.
Рис. 1, б. Топограмма по Шульцу алюминиевого монокристалла. Тёмные и светлые полосы на топограмме соответствуют границам блоков в кристалле. Их ширина и цвет определяются величиной и направлением взаимного разворота блоков в кристалле.
Рис. 3, а. Схема топографирования кристаллов «на отражение» по методу Берга и Барретта. Параллельный пучок монохроматического рентгеновского излучения от линейного источника падает на поверхность кристалла под брегговским углом, и дифракционное изображение фиксируется на фотоплёнке, расположенной вблизи кристалла параллельно его поверхности.
Рис. 4, а. Схема топографирования в ши-роком параллельном пучке монохроматического рентгеновского излучения. От линейного фокуса щелями I и II формиру-ется параллельный пучок лучей, падающий на кристалл под брэгговским углом 2 0, и из дифрагированного пучка щелью III выделяется параллельный пучок, фиксируемый на фотопластинке. Для исследования больших кристаллов во время съёмки кристалл и фотопластинку можно синхронно перемещать.
Рис. 4, б. Топограмма монокристалла кремния, полученная по методу широкого параллельного пучка. Толщина кристалла 0,3 мм. Видны отдельные ростовые дислокации (тёмные линии). Фотоувеличение в 30 раз.
Методы Р. т. различаются по области используемых углов дифракции, по характеру выявляемых дефектов (макроскопич. дефекты, дефекты кристаллич. решётки), степени несовершенства и дефектности кристаллов, чувствительности и разрешающей способности. На рис. 1-5 приведены принципиальные схемы некоторых методов Р. т. и топограммы кристаллов, полученные этими методами. Преобразование рентгеновских изображений в видимые с последующей их передачей на телевизионный экран позволяет осуществлять контроль дефектности кристаллов в процессе различных воздействий на них при технологич. обработке или при исследовании их свойств.
Рис. 5, а. Схема топографирования кристаллов в узком параллельном пучке «на просвет» по методу Ланга. Рентгеновские монохроматические лучи от «точечного» источника выделяются узкой (0,1 мм) щелью так, что на кристалл попадает только из лучение Кa1. Дифракционное изображение выделяется второй щелью и фиксируется на фотопластинке. Монохроматичность излучения тем выше, чем больше расстояние А и меньше ширина щели S. Для больших кристаллов необходимо синхронное возвратно-поступательное перемещение кристалла и фотопластинки (щели при этом неподвижны).
Лит.: Иверонова В. И., Ревкевич Г. П., Теория рассеяния рентгеновских лучей, М., 1972; УманскийЯ. С., Рентгенография металлов, М., 1967; Лютцау В. Г., Ф и ш м а н Ю. М., Метод дифракционной топографии на основе сканирования в широком пучке рентгеновских лучей, «Кристаллография», 1969, т. 14, в. 5, с. 835; Р о в и н с к и и Б. М., Л ю т ц а у В. Г., ХанонкинА. А., Рентгенографические методы исследования структурных несовершенств и дефектов решетки в кристаллических материалах, «Аппаратура и методы рентгеновского анализа», 1971, в. 9, с. 3-35; Kozaki S., Нashizume H., Kohra К., High-resolution video display of X-ray topographs with the divergent Laue method, «Japanese Journal of Applied Physics», 1972, v. 11, Me 10, p, 1514. В. Г. Лютцау,
Оптическая топография позвоночника Diers
Одним из самых перспективных новшеств, ставшим реальной альтернативой рентгеновским методикам, является оптическая топография Diers. Бесконтактное определение трехмерного строения тела позволяет оценить состояние позвоночника и окружающих его структур, обнаружить перекосы и нарушения осанки, подобрать оптимальный метод коррекции, проконтролировать эффективность лечения.
Статью проверил
Информация актуальна на 2021 год
Навигация
Что такое компьютерная топография Diers
Компьютерная оптическая топография позвоночника Diers 4D motion – это медицинская технология, основанная на принципе растростереографии. Бесконтактное световое устройство проецирует на обследуемую поверхность параллельные лучи, которые регистрируются детектором. Деформируясь пропорционально рельефу, они дают информацию о статике тела и состоянии биогеометрического профиля осанки.
После программной реконструкции изображений создается трехмерная модель, позволяющая оценить состояние опорно-двигательного аппарата.
Кому рекомендуется
Оптическая топография – это безболезненная методика, которая может быть рекомендована детям и взрослым при наличии следующих проблем:
Безопасная светооптическая Дирс диагностика может проводиться при подозрении на наличие позвоночной грыжи, во время послеоперационной реабилитации и в целях профилактики заболеваний опорно-двигательного аппарата.
Что исследует и какие
проблемы выявляет
Устройство Diers дает оценку расположению костных структур в пространстве. Диагностика в движении и покое позволяет обнаруживать
Подготовка к процедуре
Направление на компьютерную оптическую топографию выдается неврологом, ортопедом-травматологом или реабилитологом. Процедура не требует специальной подготовки и может выполняться в любое время.
Порядок проведения
Во время 4D сканирования пациент находится на барометрической платформе (специальной беговой дорожке). Ему на спину направляется поток световых лучей, которые фиксируются высокочастотной видеокамерой, и в цифровом формате выводятся на монитор. Длительность процедуры составляет несколько минут. Благодаря автоматическому определению возможных ротаций исследование не нуждается в специальной расшифровке.
Преимущества
Diers диагностика – это доступная, безопасная, высокоточная методика, позволяющая в кратчайшие сроки выявлять самые незаметные, но серьезные отклонения, и оперативно принимать решение по вопросу их коррекции.
Ответы на вопросы из практики
Отвечает врач
Бортневский Александр Евгеньевич
Рентгенолог • стаж 16 лет Главный врач центра “Телерадиомедицина” 
Что такое рентгенография
Изобретенный более ста лет назад уникальный метод неинвазивного исследования внутренних органов – рентгенография – в настоящее время применяется для диагностики различных патологий в таких областях медицины, как остеология, неврология, пульмонология, оториноларингология, кардиология, гастроэнтерология, урология, гинекология, стоматология.
Хотя бы раз в жизни рентгеновский снимок приходится сделать каждому человеку. Что же при этом происходит и почему этот диагностический метод так популярен?
Что такое рентгенография?
Рентгенография – это исследование внутренней структуры тела путем просвечивания его рентгеновскими лучами и фиксирование результатов на специальную пленку. История рентгенологии началась в 1895 году. Именно тогда Вильгельмом Конрадом Рентгеном впервые было зарегистрировано затемнение фотопластинки под воздействием рентгеновского излучения. Он же установил, что рентгеновские лучи при прохождении различных тканей ослабляются по-разному, и за счет этого на фотопластинке можно получить различные изображения – например, костного скелета. Рентгенография стала первым в мире неинвазивным методом исследования внутренних органов и тканей.
Вплоть до настоящего времени рентгенография является основным методом диагностики при патологиях костно-суставной системы. Также важную роль этот метод играет при обследовании легких. Для оценки состояния внутреннего рельефа полых органов делается контрастная рентгенография. Принцип рентгенографии лег в основу более сложных современных исследований – например, компьютерной томографии.
Хотя рентгеновское излучение является ионизирующим и может оказать негативное влияние на организм, единственным серьезным противопоказанием для рентгенографии является беременность, и то – в качестве перестраховки. В случае контрастных исследований важно удостовериться, что у пациента нет индивидуальной непереносимости контрастирующих веществ. Современные диагностические аппараты продуцируют настолько незначительные разовые дозы рентгеновских лучей, что такое облучение укладывается в рамки естественного радиационного фона.
Достоинства и недостатки метода
Как и любой другой метод исследования, рентгенография имеет свои плюсы и минусы. Высокая разрешающая способность рентгеновских пленок позволяет получать снимки с достаточной степенью детализации, по которым может быть определена степень активности патологического процесса и реакция окружающих тканей. Рентгенограмма является диагностическим документом и, сравнивая ее с последующими снимками, можно судить о динамике патологического процесса. Недостаток классического метода – невозможность оценить состояние органов, находящихся в движении, и большие временные затраты на обработку пленки.
Виды исследования
Рентгенография легких представляет собой снимок грудной клетки в прямой и/или боковых проекциях, позволяющий оценить наличие и степень патологических изменений в легочной ткани.
Подготовка к процедуре
Если пациенту назначена рентгенография пояснично-крестцового отдела позвоночника или органов брюшной полости, рекомендуется за два дня до исследования придерживаться бесшлаковой диеты, а накануне провести очистительную клизму или принять препарат «Фортранс». Остальные виды рентгенографии не требуют специальной подготовки пациента.
Особенности проведения рентгенографии
Рентгенографию проводят с помощью различных рентгеновских приборов, которые могут быть как крупногабаритными, так и небольшими. Как правило, при проведении исследования пациент находится в одной комнате, а врач-рентгенолог в смежной смотровой, откуда подает команды – например, задержать дыхание.
Контрастную рентгенографию обычно проводят утром, натощак или после легкого завтрака. Бесконтрастное исследование может быть назначено на любое время. Продолжительность процедуры составляет несколько минут, кроме случаев, когда требуется сделать серию снимков с заданной периодичностью. Отдельно требуется время на проявку, сушку и описание снимков.
Рентгенография может проводиться в положении пациента стоя, сидя или лежа, в зависимости от назначенного исследования. В область облучения не должны попасть металлические украшения или застежки, которые будут видны на рентгеновском снимке и исказят результаты.
Анализ результатов
Четкость и точность полученного рентгеновского снимка зависят от напряжения и силы тока в рентгеновской трубке и времени ее работы. Эти параметры должны выставляться индивидуально в зависимости от исследования и массогабаритных характеристик пациента. К каждому рентгеновскому аппарату прилагается таблица средних значений для различных органов и тканей, однако врачу-рентгенологу приходится их корректировать для каждого конкретного случая. От того, насколько правильно он это сделает, будет зависеть качество исследования. Также очень важна неподвижность пациента во время процедуры.
Запись изображения проводится на рентгеночувствительную пленку либо на цифровой носитель с помощью компьютера. Регистрация рентгеновских данных в цифровом виде пока еще стоит дорого, поэтому традиционные рентгеновские пленки не теряют своей актуальности и применяются повсеместно.
При описании рентгеновского снимка следует учитывать, что изображение формируется расходящимися пучками лучей, поэтому кроме полученных размеров исследуемых объектов анализу подлежат затемнения и просветления.
Где сделать рентген в Махачкале?
В нашем центре имеется современный аппарат, пройти рентгенографию в нашем центре – легко! Звоните и записывайтесь!
Что такое рентгеновская топография
В обзоре описаны различные рентгенотопографические методы визуализации дефектов кристаллической решетки, рассмотрены вопросы формирования дифракционного контраста, а также приведены примеры использования рентгеновской топографии для изучения структурных дефектов различных кристаллических объектов.
Лидер В. В. 2020. РЕНТГЕНОВСКАЯ ДИФРАКЦИОННАЯ ТОПОГРАФИЯ (ОБЗОР). PREPRINTS.RU. https://doi.org/10.24108/preprints-3112057
1. Список литературы
2. Raghothamachar B et al. Microsc Res Tech. 69 343 (2006)
3. Bonse U K, Hart M, Newkirk J B Adv. X-Ray Anal. 10 1 (1967)
4. Champier G, Baudelet B Rev. Phys. Appl. (Paris) 3 311 (1968)
5. Kuriyama M, Boettinger W J, Cohen G G Ann. Rev. Mater. Sci. 12 23 (1982)
6. Lang A R J. Phys. D. Appl. Phys. 26 A1 (1993)
7. Wieteska K Acta Phys. Pol. A 86 545 (1994)
8. Moore M Radiat. Phys. Chem. 45 427 (1995)
9. Шульпина И Л Заводская лаб. Диагностика материалов. 66 25 (2000); Shul’pina I L Industrial Laboratory 66 96 (2000)
10. Tuomi T J. Synchrotron Rad. 9 174 (2002)
11. Baruchel J, Härtwig J, Pernot-Rejmánkova P J Synchrotron Rad. 9 107 (2002)
12. Baker I Microsc Res Tech. 62 70 (2003)
13. Шульпина И Л, Прохоров И А Кристаллография 57 745 (2012); Shul’pina I L, Prokhorov I A Crystallogr. Rep. 57 661 (2012)
14. Суворов Э В, Смирнова И А УФН 185 897 (2015); Suvorov E V, Smirnova I A Phys. Usp. 58 833 (2015)
15. Shul’pina I L et al. IUCrJ 3 200 (2016)
16. Суворов Э В Поверхность. Рентген., синхротрон. и нейтрон. исслед. (9) 3 (2018); Suvorov E V J. Surf. Invest. 12 835 (2018)
17. Tanner B X-ray diffraction topography. Pergamon Press, New York (1976)
18. Bowen D. K., Tanner B. K. High Resolution X-Ray Diffractometry and Topography (New York: Taylor and Francis 1998); Боуэн Д К, Таннер Б К Высокоразрешающая рентгеновская дифрактометрия и топография (СПб.: Наука, 2002)
19. Friedel J Dislocations (Pergamon Press, Oxford, 1964); Фридель Ж Дислокации, M.: Мир, 1967)
20. Christian J W, Vitek V Rep. Prog. Phys. 33 307 (1970)
21. Frank F C Acta Cryst. 4 497 (1951)
22. Аргунова Т С и др. ФТТ 57 733 (2015); Argunova T S et al. Phys. Solid State 57 752 (2015)
23. Petroff P M, De Kock A J R J. Crystal Growth. 30 117 (1975)
24. Föll H, Kolbesen B O Appl. Phys. 8 319 (1975)
25. Иверонова В И, Ревкевич Г П. Теория рассеяния рентгеновских лучей. М.: Издательство Московского университета, 1972. 246 с.
26. Пинскер З.Г. Рентгеновская кристаллооптика. М.: Наука, 1982. 392 с.
27. Authier A Dynamical Theory of X-ray Diffraction (Oxford: Science Publ., 2001)
28. Batterman B W, Cole H Rev Mod Phys 36 681 (1964)
29. Пинскер 3 Г Динамическое рассеяние рентгеновских лучей в идеальных кристаллах. М.: Наука, 1974; Pinsker Z G Dynamical Scattering of X-Rays in Crystals (Springer-Verlag Berlin, Heidelberg, New York, 1978)
30. Borrmann G Physik Z. B. 42 157 (1941)
31. Authier A Adv. X-Ray Analists 10 9 (1967)
32. Authier A, Balibar F, Epelboin Y Phys. Status Solidi A 41 225 (1970)
33. Мильвидский М Г и др. Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтр. исслед. (6) 5 (2001)
34. Суворов Э В, Смирнова И А ФТТ 52 2325 (2010); Suvorov Е V, Smirnova I A Phys. Solid State 52 2485 (2010)
35. Balibar F, Chukhovskii F N, Malgrange C Acta Cryst. A39 387 (1983)
36. Penning P, Goemans A H Philos. Mag. 18 297 (1968)
37. Tanner В K Phys. Status Solidi А 10 381 (1972)
38. Berg W Naturwissenschaften 19 391 (1931)
39. Berg W Z. Krist. B89 286 (1934)
40. Barrett C S AIME Transactions 161 15 (1945)
41. Ramachandran G N Proc. Indian Acad. Sci. 19 280 (1944)
42. Schulz L G J. Met. 6 1082 (1954)
43. Newkirk J B Phys. Rev. 110 1465 (1958)
44. Fujiwara T Memo. Defense Academy 2 127 (1963)
45. Bonse U Z. Physik. 153 278 (1958)
46. Auleytner J Acta Phys. Pol. A 17 111 (1958)
47. Lang A R Acta Cryst. 10 839 (1957)
48. Lang A R J. Appl. Phys. 29 597 (1958)
49. Lang A R Acta Cryst. 12 249 (1959)
50. Turner A P L, Vreeland T (Jnr), Pope D P Acta Cryst. A24, 452 (1968)
51. Nagata N, Vreeland T (Jnr) Phil. Mag. 25 1137 (1972)
52. Shul’pina I L, Argunova T S J. Phys. D: Appl. Phys. 28 A47 (1995)
53. Шульпина И Л и др. ЖТФ 84 149 (2014); Shul’pina I L et al. Technical Physics 59 1566 (2014)
54. Шульпина И Л, Козлов В А Материалы электронной техники (1) 28 (2013); Shul’pina I L, Kozlov V A Modern Electronic Materials 2 23 (2016)]
55. Matsuhata H et al. Phil. Mag. 94 1674 (2014)
56. Matsuhata H et al. Electrical Engineering in Japan, 197 3 (2016)
57. Afanas’ev A M, Melkonyan M K Acta Cryst. A39 207 (1983)
58. Afanasev A M et al. Phys. Status Solidi A 90 419 (1985)
59. Swiatek Z, Fodchuk I, Zaplitnyy R J. Appl. Cryst. 50 727 (2017)
60. Блохин М А Физика рентгеновских лучей (М.: ГИТТЛ, 1957)
61. Swiatek Z, Fodchuk I M Arch. Metall. Mater. 61 1931 (2016)
62. Фодчук И М и др. Металлофиз. новейшие технол. 40 561 (2018)
63. Lindegaard-Andersen A, Ribe B J. Phys. E: Sci. Instrum. 9 659 (1976)
64. Lefeld-Sosnowska M, Gronkowski J, Kowalski G J. Phys. D: Appl. Phys. 28 A42 (1995)
65. Goorsky M S et al. Philos. Trans. R. Soc.London, Ser. A 357 2777 (1999)
66. Moore M J. Phys. Condens. Matter, 21, 364217 (2009)
67. Moore M, Nailer S G, Wierzchowski W K Crystals 6 71 (2016)
68. Martineau P M et al. J. Phys.: Condens. Matter 21 364205 (2009)
69. Agrosì G et al. Lithos 248–251 153 (2016)
70. Agrosì G et al. Crystals 7 233 (2017)
71. Yamashita S, Kato N J. Appl. Cryst. 8 623 (1975)
72. Yasuda K, Kato N J. Appl. Cryst. 11, 705-706 (1978)
73. Sebastian M T, Zarka A, Capelle B J. Appl. Cryst. 21, 326 (1988)
74. Сорокин Л М и др. ФТТ 42 1384 (2000); Sorokin L M et al. Phys. Solid State 42 1422 (2000)
75. Peiwen G E et al. Science in China Series A 44 762 (2001)
76. Prokhorov I A et al. J. Cryst. Growth 310 5477 (2008)
77. Прохоров И А и др. Поверхность. Рентген., синхротр. инейтрон. исслед. (12) 43 (2009); Prokhorov I A et al. J. Surf. Investig. 3 936 (2009)]
78. Okunev A O et al. J. Appl. Cryst. 42, 994 (2009)
79. Verozubova G A et al. J. Cryst. Growth 312 1122 (2010)
80. Verozubova G A, Okunev A O, Gribenyukov A I J. Crystal Growth 401 782 (2014)
81. Okunev A O, Verozubova G A J. Appl. Cryst. 48, 1228 (2015)
82. Lei Z, Kolesnikov A, Vasilenko A J. Appl. Cryst. 51 1043 (2018)
83. Lang A R Br. J. Appl. Phys. 14 904 (1963)
84. González-Mañas M, Vallejo B J. Appl. Cryst. 51 1684 (2018)
85. Lang A.R. Acta Met. 5 358 (1957)
86. Mardix S, Lang A R Rev Sci Instrum. 50 510 (1979)
87. Шульпина И Л Поверхность. Рентген., синхротрон. и нейтрон. исслед. № 4. 3 (2000)
88. Authier A Phys. Status Solidi 27 77 (1968)
89. Pernot E et al. J. Phys. D: Appl. Phys. 34 A136 (2001)
90. Kato N J. Phys. Soc. Japan 19 67 (1964)
91. Kato N J. Phys. Soc. Japan 19 971 (1964)
92. Инденбом В Л., Чуховский Ф Н Кристаллография. 16 1101 (1971)
93. Инденбом В Л, Чуховский Ф H УФН 107 229 (1972); Indenbom V L, Chukhovskii F N Sov. Phys. Usp. 15 298 (1972)
94. Zhen-Hong M, Mardix S, Lang A R J. Appl. Cryst. 13 180 (1980)
95. Ando Y, Kato N Acta Cryst. 21 282 (1966)
96. Ando Y, Kato N J. Phys. Soc. Jаpan 21 964 (1966)
97. Hart M Z. Physik 189 269 (1966)
98. Epelboin Y, Authier A Acta Cryst. A39 767 (1983)
99. Zaumseil P Krist. und Techn. B 13 983 (1978)
100. Uragami Т J. Phys. Soc. Japan 32 1141 (1971)
101. Lang A R, Zhen-Hong M Proc. R. Soc. Lond A 368 313 (1979)
102. Zielińska-Rohozińska E Phys. Status Solidi A 59 317 (1980)
103. Чуховский Ф Н и др. ФТТ 29 1608 (1987)
104. Chukhovski F, Petrashen P V Acta Cryst. A44 8 (1988)
105. Wierzchowski W, Moore M Acta Phys. Pol. A 82 193 (1992)
106. Wieteska K, Wierzchowski W, Graeff W J. Appl. Cryst. 30 238 (1997)
107. Bąk-Misiuk J et al. Phys. Status Solidi A 99 345 (1987)
108. Rantamäki R et al. J. Appl. Phys. 86 4298 (1999)
109. Смирнова И.А, Суворов Э В, Шулаков Е В ФТТ 53 35 (2011); Smirnova I A, Suvorov E V, Shulakov E V Phys. Solid State 53 35 (2011)
110. Chikawa J Appl. Phys. Lett. 7 193 (1965)
111. Lang A R, Miuscov V F Appl. Phys. Lett. 7 214 (1965)
112. Stecher M Am. J. Phys. 32 247 (1964)
113. Yoshimura J Acta Cryst. A71 368 (2015)
114. Пинскер З Г, в cб. Проблемы современной кристаллографии (М.; Наука 1975) с. 172
115. Bonse U, Hart M, Schwuttke G H Phys. Status Solidi 33 361 (1969)
116. Lang A R Nature 220 652 (1968)
117. Bradler J, Lang A R Acta Crystallogr. A 24 246 (1968)
118. Schwuttke G H., Brack K Z. Naturforsch. 28a 654 (1973)
119. Jiang B L, Shimura F, Rozgonyi G A Appl. Phys. Lett. 54 352 (1990)
120. Ohler M, Prieur E, Härtwig J J. Appl. Cryst. 29 568 (1996)
121. Ohler M, Köhler S, Härtwig J. Acta Cryst. A55 423 (1999)
122. Wieteska K, Wierzchowski W K Phys. Status Solidi A 147 55 (1995)
123. Chu X, Tanner B K Materials Letters 5 153 (1987)
124. Kolesnikov A V et al. Appl. Surf. Science 166 82 (2000)
125. Fedorov A A et al. J. Phys. D Appl. Phys. 36 A44 (2003)
126. Ohler M, Härtwig J, Prieur E. Acta Cryst. A53 199 (1997)
127. Фрицлер К Б и др., в сб. Актуальные вопросы современного естествознания (2) 33 (2004)
128. Moore M Cryst. Rev. 18 207 (2012)
129. Tanner B K, Safa M, Midgley D J. Appl. Cryst. 10 91 (1977)
130. Huang X R J. Appl. Crystallogr. 43 926 (2010)
131. Oriwol D et al. Acta Materialia 61 6903 (2013)
132. Hart M. J. Appl. Crystallogr. 8 436 (1975)
133. Huang X R et al. Philos. Trans. R. Soc. Ser. A 357 2659 (1999)
134. Graeff W, Wieteska K J Xray Sci Technol. 3 152 (1992)
135. Fisher G R, Barnes P, Kelly J F J. Appl. Cryst. 26 677 (1993)
136. Dudley F et al. J. Phys. D: Appl. Phys. 28 A56 (1995)
137. Dudley M et al J. Phys. D: Appl. Phys. 28 A63 (1995)
138. Huang W et al. Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 399 425 (1995)
139. Si W et al. Mat Res Soc Symp Proc. 437 129 (1996)
140. Neudeck P G, Huang W, Dudley M Solid-State Electronics 42 2157 (1998)
141. Vetter W M. Defects and Diffusion Forum 230-232 1 (2004)
142. Chen Y, Dudley M Appl. Phys. Lett. 91 141918 (2007)
143. Dudley M et al. ECS Transactions 58 315 (2013)
144. Wu F et al. J. Electronic Mat. 44 1293 (2015)
145. Yang Y et al. Mater. Sci. Forum 858 105 (2016)
146. Chen W M et al. Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 693 13.27 (2002)
147. Raghothamachar B et al. J. Crystal Growth 287 349 (2006)
148. Raghothamachar B et al. Mater. Sci. Forum 717-720 1287 (2012)
149. Sintonen S et al. J. Appl. Phys. 116 083504 (2014)
150. Kirste L et al. ECS J. Solid State Sci. Technol. 4 P324 (2015)
151. Raghothamachar B et al. J. Cryst. Growth 246 271 (2002)
152. Raghothamachar B et al. Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 831 E8.24 (2005)
153. Raghothamachar B, Dalmau R, Dudley M Mater. Sci. Forum 527-529 1521 (2006)
154. Chung H et al. Proc. SPIE 2809 45 (1996)
155. Carini G A et al. J Elec Mat 34 804 (2005)
156. Burns R C et al. J. Phys. Condens. Matter 21 364224 (2009)
157. Stoupin S et al. J Synchrotron Radiat. 23 1118 (2016)
158. Shearwood C, Whitworth R W J Glaciol. 35 120 (1989)
159. Shearwood C, Whitworth R W Phil. Mag. A 64 289 (1991)
160. Philip A et al. J. Appl. Cryst. 48 672 (2015)
161. Izumi K, Sawamura S, Ataka M J. Crystal Growth 168 106 (1996)
162. Caylor C L et al. Proteins 36 270 (1999)
163. Koizumi H et al. Phys. Status Solidi A 204 2688 (2007)
164. Yao G-D, Dudley M, Wu J J Xray Sci Technol. 2 195 (1990)
165. Rantamäki R et al. J Xray Sci Technol. 8 159 (1998)
166. Chen Y et al. Mater. Sci. Forum 600-603 549 (2009)
167. Yang Y et al. J. Electron. Mat. 47 1218 (2018)
168. Rejmankova-Pernot P et al. Phys. Rev. Lett. 81 3435 (1998)
169. Masiello F et al. J. Appl. Cryst. 44 462 (2011)
170. Guigay J-P Opt. Acta 18 677 (1971)
171. Wu J, Dudley M Mater Res Soc Symp Proc, 307 231 (1993)
172. Danilewsky A N et al. J. Cryst. Growth 318 1157 (2011)
173. Nittono O et al. Jpn. J. Appl. Phys. 23 L581 (1984)
174. Dudley M, Yao G D J. Phys. D: Appl. Phys. 26 A120 (1993)
175. Bhat H L et al. J. Phys. D: Appl. Phys. 28 A23 (1995)
176. Polcarova M et al. Phil. Mag. A. 78 105 (1998)
177. Liu F, Baker I, Dudley M Phil Mag 71 15 (1995)
178. Baker I et al. J. Glaciol. 31 236 (2000)
179. Tsoutsouva M G et al. Acta Mater. 115 210 (2016)
180. Grange G et al. J. Phys. III France 4 293 (1994)
181. Gastaldi J et al. Phil. Mag. 87 3079 (2007)
182. Danilewsky A et al. J Appl Crystallogr. 46 849 (2013)
183. Rack A, Scheel M, Danilewsky A IUCrJ 3 108 (2016)
184. Whatmore R W et al. Nature 299 44 (1982)
185. Goddard P A et al. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. A 208 705 (1983)
186. Cerva H, Graeff W Phys. Status Solidi А 82 35 (1984)
187. Zolotoyabko E et al. Appl. Phys. Lett. 73 2278 (1998)
188. Zolotoyabko E Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. B 147 410 (1999)
189. Matsouli I et al. J. Phys. D: Appl. Phys. 32 A104 (1999)
190. Sauer W et al. Appl. Phys. Lett. 75 1709 (1999)
191. Shilo D, Zolotoyabko E J. Phys. D: Appl. Phys. 36 A122 (2003)
192. Roshchupkin D et al. Appl. Phys. Lett. 103 154101 (2013)
193. Zolotoyabko E et al. Rev. Sci. Instrum. 70 3341 (1999)
194. Matsouli I et al J. Phys. D: Appl. Phys. 31 1478 (1998)
195. Lang A R J. Appl. Phys. 30 1748 (1959)
196. Haruta K J. Appl. Phys. 36 1789 (1965)
197. Vreeland T (Jnr) J. Appl. Cryst. 9 34 (1976)
198. Hamill G P, Vreeland T (Jnr) J. Appl. Cryst. 12 346 (1979)
199. Tuomi T et al. Z. Naturforsch. 37a 607 (1982)
200. Ludwig W et. al. J. Appl. Cryst. 34 602 (2001)
201. Kawado S et al. J. Synchrotron Rad. 11 304 (2004)
202. Kawado S et al. J. Phys. D: Appl. Phys. 38 A17 (2005)
203. Mizuno K et al. J. Cryst. Growth 292 538 (2006)
204. Feldkamp L A, Davis L C., Kress J W J. Opt. Soc.Am. A. 1 612 (1984)
205. Kak A C, Slaney M Principles of Computerized Tomographic Imaging, IEEE Press, 1988
206. Van Aarle W et al. Opt. Express. 24 25129 (2016)
207. Золотов Д А и др. Кристаллография 56 426 (2011); Zolotov D A et al. Crystallogr. Rep. 56 393 (2011)
208. Золотов Д А и др. Кристаллография. 62 12 (2017); Zolotov D A et al. Crystallogr. Rep. 62 20 (2017)]
209. Asadchikov V et al. J. Appl. Cryst. 51 1616 (2018)
210. Золотов Д А и др. Автометрия 55 28 (2019); Zolotov D A et al. Optoelectron. Instrument. Proc. 55 126 (2019)
211. Helfen L, Baumbach T, Mikulik P Appl. Phys. Lett. 86 071915 (2005)
212. Helfen L et al. Rev. Sci. Instrum. 82 063702 (2011)
213. Hänschke D et al. Appl. Phys. Lett. 101 244103 (2012)
214. Hänschke D et al. Phys. Rev. Lett. 119 215504 (2017)
215. Helfen L et al. Phys. Status Solidi A 204 2760 (2007)
216. Kvardakov V V et al. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. A, 575, 140(2007)
217. AMIRA, Version 3.1, TGS, San Diego, USA
218. Abramoff M D, Magalhaes P J, Ram S. J. Biophoton. Int. 11 36 (2004)
219. Andersen A L, Gerward L Phys. Status Solidi А 23 537 (1974)
220. Kajiwara K et al. Phys. Status Solidi A 204 2682 (2007)
221. Kawado S, Aoyama J Appl. Phys. Lett. 34, 428 (1979)
222. Mukaide T et al. J. Synchrotron Rad. 13 484 (2006)
223. Allen D et al. J. Appl. Cryst. 44 526 (2011)
224. Lang A R, Polcarova M Proc. Rov. Soc. A285, 297 (1965)
225. Epelboin Y, Jeanne-Michaud A, Zarka A J. Appl. Crystallogr. 12 201 (1979)
226. Ткаль В А, Жуковская И А Заводская лаб. Диагностика материалов 79 28 (2013); Tkal’V A, Zhukovskaya I A Inorg. Mater 50 1444 (2014)
227. Жуковская И А, Бушуев В А, Ткаль В А Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтрон. исслед. (2) 76 (2016); Zhukovskaya I A, Bushuev V A, Tkal V A J. Synch. Investig. 10 231 (2016)
228. Chikawa J-I, Fujimoto I Appl. Phys. Lett. 13 387 (1968)
229. Chikawa J-I, Fujimoto I, Abe T Appl. Phys. Lett. 21 295 (1972)
230. Chikawa J-I J. Cryst. Growth. 24/25 61 (1974)
231. Baumgart H, Markewitz G, Hartmann W J. Appl. Cryst. 13 601 (1980)
232. Chikawa J-I Jpn. J. Appl. Phys. 38 4619 (1999)
233. Chikawa J.-I. Proc. Jpn. Acad., Ser. B 80 317 (2004)
234. Hartmann W et al. J. Appl. Phys. Lett. 27 308 (1975)
235. Bonse U, Busch F Prog. Biophys. Molec. Biol. 65 133 (1996)
236. Gruner S M, Tate M W, Eikenberry E F Rev. Sci. Instrum. 73 2815 (2002)
237. Renzi M J et al. Rev. Sci. Instrum. 73 1621 (2002)
238. Yi J M et al. Appl. Phys. Lett. 89 074103 (2006)
239. Danilewsky A N et al. J Mater Sci: Mater Electron 19 269 (2008)
240. Rack A et al. J. X-ray Sci. Tech. 18 429 (2010)
241. Danilewsky A N et al. Phys. Status Solidi A 208 2499 (2011)
242. Becker M et al. J. Appl. Cryst. 52 1312 (2019)
243. Rocha J G et al. Sens. Actuators A. 110 119 (2004)
244. Garcıa-Moreno F et al. Appl. Phys. Lett. 92 134104 (2008)
245. Rack A et al. J. Synchrotron Radiat. 16 432 (2009)
246. Koch A et al. J. Opt. Soc. Amer. A 15, 1940 (1998)
247. Martin T, Koch A J. Synch. Rad. 13 180 (2006)
248. Rack A et al. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B 267 1978 (2009)
249. Rack A et al. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. A 586 327 (2008)
250. Touš J et al. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. A 591 264 (2008)
251. Nagornaya L et al. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. A 537 163 (2005)
252. Valais I G et al. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. A 569 201 (2006)
253. Douissard P-A, Martin T, Riva F IEEE Trans. Nucl. Sci. 63 1726 (2016)
254. Koch A et al. Proc. SPIE 3659 170 (1999)
255. Douissard P-A et al. J. Synchrotron Radiat. 17 571 (2010)
256. Cecilia A et al. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. A 648 S321 (2011)
257. Zorenko Y et al. Opt. Mater. 33 846 (2011)
258. Cecilia A, Jary V, Nikl M Radiat. Meas. 62 28 (2014)
259. Yamaguchi S, Naganawa N, Nakamura M Jpn. J. Appl. Phys. 58 060901 (2019)
260. Bond W L, Andrus J Amer. Mineralogist. 37 622 (1952)
261. Bonse U, Klapper H Z Natuforsch. 13a 348-349 (1958)
262. Renninger M Z. angew. Phys. 19 20 (1965)
263. Kikuta S, Kohra K J. Phys. Soc. Japan 29 1322 (1970)
264. Boettinger W J et al. Rev. Sci. Instrum. 47 906 (1976)
265. Kohra K, Ando M Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. 177 117 (1980)
266. Steiner B et al. J. Res. Nat. Bur. Stand. 93 577 (1988)
267. Bonse U. Direct Observation of Imperfections in Crystals (New York: Willey, 1962, р. 431); Бонзе У, в кн. Прямые методы исследования дефектов в кристаллах (М.: Мир, 1965 с. 184)
268. Hart M. J. Cryst. Growth 55 409 (1981)
269. Лидер В В Заводская лаб. Диагностика материалов 73 (12) 25 (2007)
270. Tamasaku K et al. J. Phys. D: Appl. Phys. 38 A61 (2005)
271. Nakayama K et al. Z. Naturforschung 28a 632 (1973)
272. Hashizume H, Iida A, Kohra K Jpn. J. Appl. Phys. 14 1433 (1975)
273. Ishikawa T, Kitano T, Matsui J Jpn. J. Appl. Phys. 24 L968 (1985)
274. Kudo Y et al. J. Electrochem. Soc. 144 4035 (1997)
275. Macrander A et al. J. Appl. Cryst. 52 115 (2019)
276. Petroff J F et al. Phil. Mag. A 42 319 (1980)
277. Lider V V Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. A 308 407 (1991)
278. Лидер В В Заводская лаб. Диагностика материалов 75 (9) 37 (2009)
279. Jenichen B, Köhler R, Möhling W Z. Naturforsch. 37 a 405 (1982)
280. Jenichen B, Köhler R, Möhling W Phys. Status Solidi А 89 79 (1985)
281. Jenichen B, Köhler R, Möhling W J. Phys. E: Sci. Instrum. 21 l062 (1988)
282. Kudo Y et al. J. Appl. Phys. 90 670 (2001)
283. Yoshimura J et. al. J. Cryst. Growth 46 691 (1979)
284. Kikuta S, Kohra K, Sugita Y Jpn. J. Appl. Phys. 5 1047 (1966)
285. Kawado S et al. J. Synchrotron Radiat. 9 166 (2002)
286. Suzuki Y et al. J. Appl. Phys. 96 1 (2004)
287. Barnett S J, Tanner B K, Brown G T MRS Symp. Proc. 41 83 (1985)
288. Ishikawa T, Kitano T, Matsui J J. Appl. Cryst. 20 344 (1987)
289. Ferrari C, Korytár D, Kumar J Il Nuovo Cimento 19D 165 (1997)
290. Stock S R, Chen H, Birnbaum H K Philos. Mag. A 53 73 (1986)
291. Larson D J (Jnr) et al. Semicond. Sci. Technol. 8 911 (1993)
292. Seo O et al. AIP Advances 8 075318 (2018)
293. Jackson M et al. Phys. Status Solidi A 204 2675 (2007)
294. Minato I et al. Jpn. J. Appl. Phys. 25 1485 (1986)
295. Macrander A T et al. Appl. Phys. Lett. 87 194113 (2005)
296. Guo J et al. J. Electron. Mater. 47 903 (2018)
297. Lübbert D, Baumbach T J. Appl. Cryst. 40 595 (2007)
298. Stoupin S. DTXRD—Software for Evaluation of Single Crystals Using X-ray Diffraction. 2015. https://www.aps.anl.gov/Science/Scientific-Software/DTXRD
299. Tsoutsouva M G et al. J. Cryst. Growth 401 397 (2014)
300. Tsoutsouva M G et al. J. Appl. Cryst. 48 645 (2015)
301. Stoupin S et al. AIP Conf. Proc. 1741 050020 (2016)
302. Mikulík P et al. J. Phys. D: Appl. Phys. 36 A74 (2003)
303. Lübbert D et al. J. Appl. Cryst. 38 91 (2005)
304. Kim J et al. Appl. Phys. Express 11, 081002 (2018)
305. Oliveira V A et al. J. Cryst. Growth 489 42 (2018)
306. Shimura T et al. Current Applied Physics 12 S69 (2012)
307. Lafford T A et al. J. Phys. Conf. Ser. 425 192019 (2013)
308. Tran Thi T N et al. Sol. Energy Mater. Sol. Cells 135 17 (2015)
309. Lübbert D et al. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B 160 521 (2000)
310. Lübbert D et al. J. Phys. D: Appl. Phys. 38 A50 (2005)
311. Hoszowska J et al. J. Phys. D: Appl. Phys. 34 A47 (2001)
312. Yang G et al. Diam. Relat. Mater. 19 719 (2010)
313. Yang G et al. Phys. Status Solidi A 209 1786 (2012)
314. Stoupin S et al. J. Appl. Cryst. 47 1329 (2014)
315. Kolodziej T et al. J. Appl. Cryst. 49 1240 (2016)
316. Stoupin S et al. Crystals 9 396 (2019)
317. Jafari A et al. J. Appl. Phys. 121 044901 (2017)
318. Calamiotou M et al. J. Appl. Phys. 102 083527 (2007)
319. Lübbert D, Meents A, Weckert E Acta Cryst. D 60 987 (2004)
320. Lovelace J J et al. J. Appl. Cryst. 39 425 (2006)
321. Philip A et al. J Appl Crystallogr. 46 842 (2013)
322. Lang A R, Makepeace A P W J. Synchrotron Rad. 3 313 (1996)
323. Lang A R, Makepeace A P W Inst. Phys. Conf. Ser. (157) 457 (1997)
324. Lang A R, Makepeace A P W J. Appl. Cryst. 32 1119 (1999)
325. Lang A R, Makepeace A P W J. Phys. D: Appl. Phys. 32 A97 (1999)
326. Arridge R G C, Lang A R, Makepeace A P W Proc. R. Soc. Lond. A 458 2623 (2002)
327. Lang A R et al. J. Cryst. Growth 200 446 (1999)
328. Lang A R J. Phys. D: Appl. Phys. 38 A1 (2005)
329. Wierzchowski W et al. Synchrotron Radiation in Natural Science 5 240 (2006)
330. Chen Y et al. Appl. Phys. Lett. 91 071917 (2007)
331. Ishikawa T, Kikuta S, Kohra K Jpn. J. Appl. Phys. 24 L559 (1985)
332. Kitano T, Ishikawa T, Matsui J Phil. Mag. A 63 95 (1991)
333. Kawado S et al. Jpn. J. Appl. Phys. 34 L89 (1995)
334. Boettinger W J, Burdette H E, Kuriyama M Rev. Sci. Instr. 40, 26 (1979)
335. Kuriyama M et al. J. Res. Natl. Inst. Stand. Technol. 95 559 (1990)
336. Kobayashi K et al. Appl. Phys. Lett. 78 132 (2001)
337. Köhler R, Schäfer P Cryst. Res. Technol. 37 734 (2002)
338. Tanuma R, Ohsawa M Spectrochimica Acta B 59 1549 (2004)
339. Vagovič P et al. J. Synchrotron Rad. 20, 153 (2013)
340. Senin R A et al. J. Phys. Conf. Ser. 186 012035 (2009)
341. Vagovič P et al. J. Synchrotron Rad. 18 753 (2011)
342. Hart M, Koga T, Takano Y J. Appl. Cryst. 28 568 (1995)
343. Korytár D et al. J. Phys. D: Appl. Phys., 36, A65 (2003)
344. Dobročka E J. Appl. Cryst. 24 212 (1991)
345. Takagi S et al. J Dent Res. 64 866 (1985)
346. Kuriyama M et al. Med Phys. 14 968 (1987)
347. Stampanoni M et al. Acta Phys. Pol. B 33 463 (2002)
348. Stampanoni M, Borchert G, Abela R Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. A 551 119 (2005)
349. Stampanoni M, Borchert G, Abela R Radiat. Phys. Chem. 75 1956 (2006)
350. Андреев А В и др. Письма в ЖЭТФ, 85 106 (2007); Andreev A V et al. Jetp Lett. 85 98 (2007)
351. Epelboin Y Mater. Sci. Eng. 73 1 (1985)
352. Authier A J. Phys. Colloques 35 C7-121 (1974)
353. Suvorov E V et al. Phys. Status Solidi 26 385 (1974)
354. Суворов Э В, Смирнова И А ФТТ 52 241 (2010); Suvorov E V, Smirnova I A Phys. Sol. State 52 258 (2010)
355. Шульпина И Л, Суворов Э В Изв. РАН Сер. физ. 74 1547 (2010); Shul’pina I L, Suvorov Е V Bull. Russ. Acad. Sci. Phys. 74 1488 (2010)
356. Balibar F, Authier A Phys. Status Solidi 21 413 (1967)
357. Bedynska T, Bubakova R, Sourek Z Phys. Status Solidi A 36 509 (1976)
358. Suvorov E V et al. Phys. Status Solidi A 60 27 (1980)
359. Takagi S Acta Cryst. 15 1311 (1962)
360. Takagi S Phys. Soc. Japan 26 1239 (1969)
361. Taupin D Bull. Soc. Franc. Miner. Crist. 87 469 (1964)
362. Taupin D Acta Cryst. 23 25 (1967)
363. Authier A Bull. Soc. Franc. Mineral. Cristallogr. 84 51 (1961)
364. Epelboin Y J. Appl. Cryst. 7 372 (1974)
365. Epelboin Y Acta Cryst. A 31 591(1975)
366. Authier A, Patel J R Phys. Status Solidi A 27 213 (1975)
367. Kowalski G, Gronkowski J Phys. Status Solidi A 71 611 (1982)
368. Epelboin Y, Patel J R J. Appl. Phys. 53 271 (1982)
369. Authier A et al. J. Appl. Cryst. 18 93 (1985)
370. Lei Z et al. J. Appl. Cryst. 51, 361 (2018)
371. Ishida H, Ninomia N, Kohra K J. Appl. Cryst. 9 240 (1976)
372. Gronkowski J Phys. Slatus Solidi А 57 105 (1980)
373. Indenbom V L et al. Phys. Slatus Solidi А 83 195 (1984)
374. Kaganer V M, Mohling W Phys. Slatus Solidi А 123 379 (1991)
375. Petroff J F, Sauvage M J Cyst Growth 43 628 (1978)
376. Barnett S et al. J. Phys. D: Appl. Phys. 26 A45 (1993)
377. Wierzchowski W, Wieteska K, Graeff W Nuovo Cimento D 19 227 (1997)
378. Riglet P et al. Phil. Mag. A 42 339 (1980)
379. Wierzchowski W Phys. Status Solidi А 57 77 (1985)
380. Cottrell S, Spirkl W, Tanner B K J. Phys. D: Appl. Phys. 26 A126 (1993)
381. Spirkl W et al. Phil. Mag. A 69 221 (1994)
382. Green G S et al. Phil. Mag Lett. 62 131 (1990)
383. Kato N, Usami K, Katagawa T Adv. X-ray Analysis 10 46 (1967)
384. Jiang S-S, Lang A R Proc. R. Soc. Lond. A 388 249 (1983)
385. Kowalski G, Lang A R J. Appl. Cryst. 19 224 (1986)
386. Kowalski G et al. J. Appl. Cryst. 22 410 (1989)
387. Wu F et al. Mater. Sci. Forum 821-823 85 (2015)
388. Yang Y et al. J. Elec Materi 45 2066 (2016)
389. Masuya S et al. J. Cryst. Growth 468 439 (2017)
390. Yamaguchi H, Kuramata A J. Appl. Cryst. 51 1372 (2018)
391. Authier A Epelboin Y Phys. Status Solidi A 41 K9 (1977)
392. Byrappa S, Wu F, Wang H Mater. Sci. Forum 717-720 347 (2012)
393. Klapper H Prog. Cryst. Growth Charact. 14 367 (1987)
394. Ōki S, Futagami K, Agashi Y. Jpn. J. Appl. Phys. 17 23 (1978)
395. Chikawa J-I, Austerman S B J. Appl. Cryst. 1 165 (1968)
396. Akashi Y, Futagami K, Ōki S Jpn. J. Appl. Phys. 18 15 (1979)
397. Lan Z-P et al. Cryst. Growth Des. 14 6084 (2014)
398. Agrosì G et al. Eur. J. Mineral. 25 551 (2013)
399. Phakey P Phys. Status solidi 34 105 (1969)
400. Scandale E, Stasi F Rendiconti della Società Italiana di Mineralogia e Petrologia 43 181 (1988)
401. Docherty R et al. J. Appl. Crystallogr. 21 406 (1988)
402. Yao G-D, Hou S Y, Dudley M J. Mater. Res. 7 1847 (1992)
403. Savytskii D et al. Z. Kristallogr. 218 17 (2003)
404. Fregola R A, Melone N, Scandale E Euro J Mineral 17 761 (2005)
405. Jenichen B, Köhler R Phys. Status. Solidi A 65, 535 (1981)
406. Jenichen B, Köhler R Phys. Status. Solidi A 65 245 (1981)
407. Härtwig J et al. Phys. Status. Solidi A 105 61 (1988)
408. Maekawa I et al. Appl. Phys. Lett. 62 23 (1993)
409. Волошин А.Э., Смольский И.Л. Кристаллография 38 12 (1993)
410. Прохоров И А и др. Поверхность. Рентген., синхротр. инейтрон. исслед. № 5 42 (2007); Prokhorov I A et al. J. Surf. Investig. 1 260 (2007)
411. Schwuttke G H J. Appl. Phys. 33 2760 (1962)
412. Smolsky I L et al. Phil. Trans. R. Soc. Lond. A 357 2631 (1999)
413. Michot G, George A Scr Metall 20 1495 (1986)
414. Michot G et al. Philos Mag A 42 195 (1980)
415. George A, Michot G Mater. Sci. Eng. A164 118 (1993)
416. Michot G et al. Mater. Sci. Eng. A 176 99 (1994)
417. Loyola de Oliveira M A, George A, Michot G J. Phys. D: Appl. Phys. 28 A38 (1995)
418. Gally B J, Argon A S Phil. Mag. A 81 699 (2001)
419. Itoh N, Rhee J C J Appl Phys 58 1828 (1985)
420. Raghothamachar B et al. J Cryst Growth 250 244 (2003)
421. Michot G, George A Scr Metall 16 519 (1982)
422. Chikawa J, Asaeda Y, Fujimoto I J. Appl. Phys. 41 1922 (1970)
423. Shul’pina I L J. Phys. D: Appl. Phys. 26 A82-A85 (1993)
424. Voloshin А Е et al. Phys. Status Solidi A 130 61 (1992)
425. Лидер В В Кристаллография 36 310 (1991); Lider V V Sow. Phys.-Solid Stare 36 309 (1991)
426. Köhler R, Mohling W, Pasemann M Phys. Status Solidi A 53 509 (1979)
427. Collela R, Merlini A Phys. Status Solidi 18 157 (1966)
428. Ширяев А А и др. Письма в ЖЭТФ 88 767 (2008); Shiryaev A A et al. JETP Letters 88 670 (2008)
429. Shiryaev A A et al. J. Appl. Cryst. 44 65 (2011)
430. Renninger M. J. Appl. Cryst. 9 178 (1976)
431. Köhler R, Möhling W Phys. Status Solidi А 78 489 (1983)
432. Крылова Н О и др. ФТТ 28 440 (1986); Krylova N O et al. Sow. Phys.-Solid State 28 1799 (1986)
433. Kimura S et al. J. Cryst. Growth 116 22 (1992)
434. Suzuki Y T et al. Jpn. J. Appl. Phys. 32 L958 (1993)
435. Kimura S, Ishikawa T, Matsui J Phil. Mag. A 69 1179 (1994)
436. Kimura S, Ishikawa T, Matsui J Defect Diffusion Forum 138–139 49 (1996)
437. Iida S et al. J. Phys. D: Appl. Phys. 38 A23 (2005)
438. Indenbom V L, Kaganer V M Phys. Status Solidi А 87 253 (1985)
439. Инденбом В Л, Каганер В М Доклады АН СССР 282 608-611 (1985); Indenbom V L, Kaganer V M Sov. Phys.-Dokl 282 339 (1985)
441. Каганер В М, Инденбом В Л Кристаллография 31 29 (1986); Kaganer V M, Indenbom V L Sov. Phys. Crystallogr. 31 14 (1986)
442. Каганер В М, Инденбом В Л Кристаллография 32 297 (1987); Kaganer V M, Indenbom V L Sov. Phys. Crystallogr. 32 171 (1987)]
443. Kolbesen B O, Muhlbauer A Solid State Electron. 25 759 (1982)
444. von Ammon W, Sattler A, Kissinger G, in: Handbook of Electronic and Photonic Materials (Springer Handbooks. Springer, Cham, 2017, р. 111)
445. Voronkov V V, Falster R J Crystal Growth 194 76 (1998)
446. Vanhellemont J, Kamiyama E, Sueoka K ECS J. Solid State Sci. Technol. 2 P166 (2013)
447. Таланин В И, Таланин И Е ФТТ 58 417 (2016); Talanin V I, Talanin I E Phys. Solid State 58 427 (2016)
448. McNally P J et al. IEEE Transactions 24 76 (2001)
449. Fukuda K et al. Jpn. J. Appl. Phys. 41, L1325 (2002)
450. Fukuda K et al. Jpn. J. Appl. Phys. 43 1081 (2004)
451. Shimura T et al. Eur. Phys. J. Appl. Phys. 27, 439 (2004)
452. Fukuda K et al. Jpn. J. Appl. Phys. 45 6795 (2006)
453. Tanner B K et al. Microelectron. Reliab. 99 232 (2019)
454. Tanner B K et al. J Appl Cryst 50 547 (2017)
455. Colli A et al. IEEE J. Photovolt. 6 1387 (2016)
456. Tuominen M et al. J. Cryst. Growth 225 23 (2001)
457. Müller St G et al. Eur. Phys. J. Appl. Phys. 27 29 (2004)
458. Wahab Q et al. Appl. Phys. Lett. 76 2725 (2000)
459. Berechman R A et al. J. Appl. Phys. 107 114504 (2010)
460. Lendenmann H et al. Mater. Sci. Forum 389 1259 (2002)
461. Skowronski M, Ha S J. Appl. Phys. 99 011101 (2006)
462. Fujiwara H et al. Appl. Phys. Lett. 100 242102 (2012)
463. Neudeck P G, Powell J A IEEE Electron Device Lett. 15 63 (1994)
464. Basceri C et al. Mater. Sci. Forum 527–529 39 (2006)
465. Dudley M, Huang X-R, Vetter W M J. Phys. D: Appl. Phys. 36 A30 (2003)
466. Nakamura D et al. J. Cryst. Growth 304 57 (2007)
467. Huang X R et al. Appl. Phys. Lett. 91 231903 (2007)
468. Matsuhata H, Yamaguchi H, Ohno T Phil. Mag. 92 4599 (2012)
469. Kamata I et al. Jpn. J. Appl. Phys. 57 090314 (2018)
470. Chen Y et al. J. Elec. Materi. 37 713 (2008)
471. Kallinger B et al. J. Crystal Growth 314 21 (2011)
472. Ellison A et al. Mater. Sci. Forum 858 376 (2016)
473. Guo J et al. J Elec Materi 45 2045 (2016)
474. Na M et al. ECS Transactions 85 59 (2018)
475. Vetter W M, Dudley M Mater. Sci. Eng. B 87 173 (2001)
476. Tanaka A et al. J. Appl. Phys. 119 095711 (2016)
477. Huang X R et al. Mat. Res. Soc. Sym. Proc. 524 71 (1998)
478. Huang X R et al. J. Appl. Cryst. 32 516 (1999)
479. Dudley M, Huang X R, Huang W J. Phys. D: Appl. Phys. 32 A139 (1999)
480. Huang A Q IEEE Electron Device Lett 25 298 (2004)
481. Kato Y et al. Jpn. J. Appl. Phys. 51 090103 (2012)
482. Tran Thi T N et al. J. Appl. Cryst. 50 561 (2017)
483. Lang A R J. Cryst. Growth 24–25 108 (1974)
484. Moore M, Lang A R J. Cryst. Growth 26 133 (1974)
485. Yacoot A, Moore M Mineral. Mag. 57 223 (1993)
486. Fritsch E et al. J. Crystal Growth 280 279 (2005)
487. Kuper K E et al. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. Sect. A 603 170 (2009)
488. Yacoot A, Moore M, Makepeace A Phys. Med. Biol. 35 1409 (1990)
489. Lang A R et al. Phil. Trans. R. Soc. A 337 497 (1991)
490. Wierzchowski W K et al. J. Cryst.Growth 114 209 (1991)
491. Kowalski G et al. J. Phys. D: Appl. Phys. 29 793 (1996)
492. Moore M, Wierzchowski W Roy Soc of London Phil Tr A, 357 2671 (1999)
493. Kato Y, Umezawa H, Shikata S Acta Phys. Pol. A 125 969 (2014)
494. Kasu M et al. Appl. Phys. Express 7 125501 (2014)
495. Duval P еt al. J. Glaciol. 56 1059 (2010)
496. Hayes C E, Webb W W Science 147 44 (1965)
497. Ahmad S, Ohtomo M, Whitworth R Nature 319 659 (1987)
498. Ahmad S, Whitworth R Phil. Mag. Α 57 749 (1988)
499. Okada Y, Hondoh T, Mae S Phil Mag A 79 2853 (1999)
500. Hondoh T, Iwamatsu H, Mae S Phil Mag A 62 89 (1990)
501. Hondoh T еt al. Phil Mag Lett 63 1 (1991)
502. Hondoh T Radiation Effects and Defects in Solids 124 139 (1992)
503. Liu F еt al. J. Mat. Sci. 27 2719 (1992)
504. Liu F, Baker I, Dudley M Phil Mag A 67 1261(1993)
505. Jia K еt al. J Mat Sci 31 2373 (1996)
506. Weikusat I et al. J. Glaciol. 57 111 (2011)
507. Cahn J W, Shechtman D, Gratias D J. Mater. Res. 1 13 (1986)
508. Knowles K M Bull. Mater. Sci. 12 271 (1989)
509. Wang R H et al. J. Phys.: Condens. Matter 6 9009 (1994)
510. Mancini L et al. Phil. Mag. A 78 1175 (1998)
511. Reinier E et al. Physica B 253 61 (1998)
512. Gastaldi J et al. Phil. Mag. Letters 72 311 (1995)
513. Gastaldi J et al. J. Phys. D: Appl. Phys 32 A152 (1999)
514. Klein H et al. J. Phys. D: Appl. Phys. 34 A98 (2001)
515. Wang J B et al. J. Phys. Condens. Matter 15 L363 (2003)
516. Ma J, Wang J, Wang R J. Phys. D: Appl. Phys. 41 085413 (2008)
517. Härtwig J et al. Phys. D: Appl. Phys. A 34 103 (2001)
518. Gastaldi J et al. Phil. Mag. 83 1 (2003)
519. Chayen N E, Saridakis E Acta Cryst. D 58 921 (2002)
520. Hu Z W et al. Acta Cryst. D 60 621 (2004)
521. Stojanoff V, Siddons D P Acta Cryst. A52 498 (1996)
522. Stojanoff V et al. Acta Cryst. D 53 588 (1997)
523. Dobrianov I et al. Acta Cryst D 54 922 (1998)
524. Otálora F et al. J. Crystal Growth 196 546 (1999)
525. Lorber B et al. J. Cryst. Growth 204 357 (1999)
526. Dobrianov I et al. Acta Cryst. D57 61 (2001)
527. Волошин А Э и др. Кристаллография 57 750 (2012); Voloshin A E et al. Crystallogr. Rep. 57 670 (2012)
528. Tachibana M еt al. J. Synchrotron Radiat. 10, 416 (2003)
529. Capelle B et al. J. Appl. Cryst. 37 67 (2004)
530. Koizumi H et al. Phil. Mag. A 85 3709 (2005)
531. Koishi M et al. Cryst. Growth Des. 7 2182 (2007)
532. Mukobayashi Yu et al. Phys. Status Solidi A 206 1825 (2009)
533. Sawaura T et al. J. Cryst. Growth 318 1071 (2011)
534. Robert M C et al. J. Cryst. Growth 232 489 (2001)
535. Hu Z W, Thomas B R, Chernov A A Acta Cryst. D57 840 (2001)
536. Wako K et al. J. Appl. Cryst. 45 1009 (2012)
537. Boggon T J et al. Acta Crystallogr D 56 868 (2000)
538. Gallagher D T et al. J. Crystal Growth 255 403 (2003)
539. Polcarová M et al. J. Phys. D: Appl. Phys. 32 A109 (1999)
540. Wieteska K et al. J. Synchrotron Rad. 7 318 (2000)
541. Wieteska K et al. Acta Phys. Pol. 114 455 (2008)
542. Malinowska A et al. Acta Phys. Pol. A. 114 433 (2008)
543. Wierzchowski W et al. Acta Phys. Pol. A 121 915 (2012)
544. Mazur K et al. X-Ray Spectrom. 44 363 (2015)
545. Wierzbicka E et al. Thin Solid Films 643 16 (2017)
546. Lai X et al. Rev. Sci. Instrum. 80 033705 (2009)
547. Tsusaka Y et al. Rev. Sci. Instrum. 87 023701 (2016)
548. Tsusaka Y et al. J. Appl. Phys. 125 125105 (2019)