чем заменить транзистор d882
Транзистор D882
D882 — кремниевый, со структурой NPN, эпитаксиально-планарный усилительный транзистор общего назначения. Конструктивное исполнение — ТО126.
Основная информация представленна для модели KTD882. В разделе «модификации» имеются данные по характеристикам и для других версий транзистора.
Корпус, цоколевка и размеры
Предназначение
Транзистор разработан для применения в выходных каскадах звуковых усилителей мощности, регуляторах напряжения, преобразователях постоянного напряжения в постоянное и в управляющих схемах реле.
Характерные особенности
Предельные эксплуатационные характеристики
Примечание: данные в таблицах действительны при температуре среды Ta = 25°C, если не указано иное.
| Характеристика | Обозначение | Величина | |
|---|---|---|---|
| Напряжение коллектор – база транзистора, В | UCBO | 40 | |
| Напряжение коллектор – эмиттер транзистора, В | UCEO | 30 | |
| Напряжение эмиттер – база транзистора, В | UEBO | 5 | |
| Ток коллектора постоянный, А | IC | 3 | |
| Ток коллектора импульсный, А | ICP ٭ | 7 | |
| Ток базы постоянный, А | IB | 0,6 | |
| Предельная рассеиваемая мощность, Вт | Ta = 25°C | PC | 1,5 |
| Tc = 25°C | PC | 10 | |
| Предельная температура полупроводниковой структуры, °С | Tj | 150 | |
| Диапазон температур при хранении и эксплуатации, С° | Tstg | ||
٭ — импульсный тест: длительность импульса ≤ 10 мс, скважность ≤ 50%.
Электрические параметры
| Характеристика | Обозначение | Параметры при измерениях | Значения |
|---|---|---|---|
| Характеристики выключенного состояния | |||
| Напряжение пробоя коллектор-база, В | IC = 100 мкА, IE = 0 | ≥ 40 | |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер, В | U(BR)CEO | IC = 1,0 мА, IB = 0 | ≥ 30 |
| Напряжение пробоя эмиттер-база, В | U(BR)EBO | IE = 100 мкА, IC = 0 | ≥ 5,0 |
| Ток коллектора выключения, мкА | ICBO | UCB = 30 В, IE = 0 | ≤ 1,0 |
| Ток эмиттера выключения, мкА | IEBO | UEB = 3,0 В, IC = 0 | ≤ 1,0 |
| Характеристики включенного состояния | |||
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | UCE(sat) | IC = 2,0 А, IB = 0,2 А | ≤ 0,5 |
| Напряжение насыщения база-эмиттер, В | UBE(sat) | IC = 2,0 А, IB = 0,2 А | ≤ 2,0 |
| Статический коэффициент усиления по току ٭ | hFE (1) | UCE = 2,0 В, IC = 0,02 А | 150 |
| hFE (2) | UCE = 2,0 В, IC = 1,0 А | ||
| Характеристики работы в режиме малого сигнала | |||
| Граничная частота усиления (частота среза), МГц | fT | IC = 0,1 А, UCE = 5,0 В | 90 |
| Выходная емкость (коллекторного перехода), пФ | Cob | 45 | |
٭ — импульсный тест: длительность импульса ≤ 350 мкс, скважность импульсов ≤ 2%.
Классификация по величине статического коэффициента усиления hFE
Модификации (версии) транзистора
| Тип | PC | UCB | UCE | UEB | IC | TJ | fT | Cob | hFE | UCE(sat) | Корпус | Группы по величине hFE. Маркировка. |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SD882 | 1/10 | 40 | 30 | 5 | 3/7 | 150 | 80 | 45 | TO126/C, TO251/252, TO92/NL | |||
| 2SD882R/O/Y/GR | 1,25/- | 40 | 30 | 6 | 3/- | 150 | ≥ 50 | — | 30…400 | ≤ 0,5 | TO126 | Гр. R/O/Y/GR |
| 2SD882U-P | 1,25/36 | 120 | 100 | 6 | 4/7 | 150 | ≥ 3 | — | 15…260 | ≤ 0,8 | TO126 | — |
| BTD882D3 | 1/10 | 50 | 50 | 5 | 3/7 | 150 | 90 | 45 | ≤ 0,5 | Гр. R/S/T | ||
| BTD882ST3 | 1/10 | 60 | 30 | 6 | 3/7 | 150 | 270 | 16 | 150…390 | ≤ 0,5 | TO126 | — |
| BTD882T3 | 1/10 | 40 | 30 | 5 | 3/7 | 150 | 90 | 45 | 150…560 | ≤ 0,5 | TO126 | Гр. P/E |
| CSD882 | 1/10 | 40 | 30 | 5 | 3/7 | 150 | 90 | 45 | 30…400 | ≤ 0,5 | TO126 | Гр. R/Q/P/E |
| D882P | 1,25/15 | 40 | 30 | 6 | 3/- | 150 | ≥ 50 | — | 10…400 | ≤ 0,8 | TO126D | — |
| FTD882 | 1,25/- | 40 | 30 | 6 | 3/- | 150 | 90 | — | 60…400 | ≤ 0,5 | TO126 | Гр. R/O/Y/GR |
| HSD882 | 1/10 | 40 | 30 | 5 | 3/7 | 150 | 90 | 45 | 30…500 | ≤ 0,5 | Гр. Q/P/E | |
| KSD882 | 1/10 | 40 | 30 | 5 | 3/7 | 150 | 90 | 45 | 30…400 | ≤ 0,5 | TO126 | Гр. R/O/Y/G |
| KTD882 | 1,5/10 | 40 | 30 | 5 | 3/7 | 150 | 90 | 45 | 30…400 | ≤ 0,5 | TO126 | Гр. O/Y/GR |
| ST2SD882HT | 1/10 | 60 | 30 | 5 | 3/7 | 150 | 90 | 45 | 30…400 | ≤ 0,5 | TO126 | Гр. R/Q/P/E |
| ST2SD882T | 1/10 | 40 | 30 | 5 | 3/7 | 150 | 90 | 45 | 30…400 | ≤ 0,5 | TO126 | Гр. R/Q/P/E |
| ST2SD882U-P | 1,25/36 | 120 | 100 | 6 | 3/7 | 150 | ≥ 3 | — | 15…260 | ≤ 0,8 | TO126 | — |
| TSD882CK | 1/10 | 60 | 30 | 6 | 3/7 | 150 | 270 | 16 | 150…390 | ≤ 0,5 | TO126 | — |
| 2SD882I (BR3DA882L) | 1/10 | 40 | 30 | 5 | 3/- | 150 | 90 | 45 | 30…400 | ≤ 0,5 | TO251 | Гр. R/Q/P/E |
| BTD882I3 | 1/10 | 40 | 30 | 5 | 3/7 | 150 | 90 | 45 | 150…560 | ≤ 0,5 | TO251 | Гр. P/E |
| D882PC | 1,1/10 | 40 | 30 | 6 | 3/- | 150 | ≥ 50 | — | 10…400 | ≤ 0,8 | TO251 | — |
| 2SD882D (BR3DA882D) | 1/10 | 40 | 30 | 5 | 3/- | 150 | 90 | 45 | 30…400 | ≤ 0,5 | TO252 | Гр. R/Q/P/E |
| BTD882J3 | 1/10 | 40 | 30 | 5 | 3/7 | 150 | 90 | 13 | 150…560 | ≤ 0,5 | TO252 | Гр. P/E |
| D882M | 1,25/- | 40 | 30 | 5 | 3/- | 150 | 90 | — | 60…400 | ≤ 0,5 | TO252-2L | Гр. R/O/Y/GR |
| FTD882D | -/10 | 40 | 30 | 6 | 3/- | 150 | 90 | — | 60…400 | ≤ 0,5 | TO252 | Гр. R/O/Y/GR |
| GSTD882 | 1,25/10 | 40 | 30 | 5 | 3/7 | 150 | 90 | — | 30…400 | ≤ 0,5 | TO252 | Гр. R/O/Y/GR |
| STD882D | -/15 | 40 | 15 | 7 | 5/10 | 150 | 150 | ≤ 50 | 100…320 | ≤ 0,4 | TO252 | — |
| WTD882 | 1,25/10 | 40 | 30 | 5 | 3/7 | 150 | 90 | — | 30…400 | ≤ 0,5 | TO252 | Гр. R/O/Y/GR |
| 2SD882B (B3DA882BR) | 2/25 | 40 | 30 | 5 | 3/- | 150 | 90 | 45 | 30…400 | ≤ 0,5 | TO220 | Гр. R/Q/P/E |
| 2SD882L | 1/10 | 40 | 30 | 5 | 3/7 | 150 | 80 | 45 | 30…400 | ≤ 0,5 | TO92L | Гр.Q/P/E |
| BTD882SA3 | 0,75/- | 60 | 50 | 5 | 3/7 | 150 | 90 | 13 | 150…560 | ≤ 0,5 | TO92 | Гр.P/E |
| HD882S | 0,75/- | 40 | 30 | 5 | 3/- | 150 | 80 | 55 | 100…490 | ≤ 0,5 | TO92 | Гр.P/E |
| HSD882 | 0,75/- | 40 | 30 | 6 | 3/7 | 150 | 90 | 45 | 300…500 | ≤ 0,5 | TO92 | Гр.Q/P/E |
| D882S | 0,625/- | 40 | 30 | 6 | 3/7 | 150 | ≥ 50 | — | 60…400 | ≤ 0,5 | TO92 | Гр. R/O/Y/GR |
| GSTS882 | 0,625/- | 40 | 30 | 6 | 3/- | 150 | ≥ 50 | — | 60…400 | ≤ 0,5 | TO92 | Гр. R/O/Y/GR |
| 2SD882A | 0,5/- | 70 | 60 | 6 | 3/- | 150 | ≥ 50 | — | 30…400 | ≤ 0,5 | SOT89 | Гр. R/Q/P/E Марк. 882AR, 882AQ, 882AP, 882AE. |
| 2SD882GP | 1,5/- | 40 | 30 | 5 | 3/3 | 150 | 100 | 55 | 30…500 | ≤ 0,5 | SOT89 | Гр. Q/P/E Марк. Q82, P82, E82. |
| 2SD882S | 0,5/- | 40 | 30 | 5 | 3/7 | 150 | 80 | 45 | 30…400 | ≤ 0,5 | Гр. Q/P/E | |
| 2SD882T (BR3DA882T)0,5 | 0,5 | 40 | 30 | 5 | 3/- | 150 | 90 | 45 | 30…400 | ≤ 0,5 | SOT89 | Гр. R/Q/P/E Марк. H82R, H82Q, H82P, H82E. |
| BD882R/O/Y/GR | 0,5 | 40 | 30 | 6 | 3/- | 150 | ≥ 50 | — | 60…400 | ≤ 0,5 | SOT89 | Гр. R/O/Y/GR Марк. D882 |
| BTD882AM3 | 0,6 | 80 | 50 | 5 | 3/7 | 150 | 90 | 45 | 100…820 | ≤ 0,5 | SOT89 | Гр. R/S/T Марк. CF |
| D882H | 0,5 | 70 | 70 | 6 | 3/- | 150 | ≥ 50 | — | 60…400 | ≤ 0,5 | SOT89 | Гр. R/O/Y/GR Марк. D882H |
| DXTD882 | 1,5/- | 40 | 30 | 5 | 3/- | 150 | 90 | 45 | 30…500 | ≤ 0,5 | SOT89 | Гр. Q/P/E |
| FTD882F | 0,5 | 40 | 30 | 6 | 3/- | 150 | ≥ 50 | — | 30…400 | ≤ 0,5 | SOT89 | Гр. R/O/Y/GR |
| GSTM882 | 0,5 | 40 | 30 | 6 | 3/- | 150 | 50 | — | 30…400 | ≤ 0,5 | SOT89 | Гр. R/O/Y/GR Марк. D882 |
| KXC1502 | 0,5 | 40 | 20 | 5 | 1,5/- | 150 | ≤ 20 | 40…320 | ≤ 0,5 | SOT89 | Марк. D882 | |
| L2SD882Q/P | 0,5 | 40 | 30 | 6 | 3/- | 150 | ≥ 50 | — | 30…320 | ≤ 0,5 | SOT89 | Гр. Q/P/E Марк. 82Q, 82P |
| ST23D882U | 1/10 | 40 | 30 | 5 | 3/7 | 150 | 90 | 45 | 30…400 | ≤ 0,5 | SOT89 | Гр. R/Q/P/E |
| TSD882S | 0,75/- | 60 | 50 | 5 | 3/7 | 150 | 90 | 45 | 100…500 | ≤ 0,5 | SOT89, TO92 | — |
| ZX5T150 | 0,5/- | 70 | 60 | 6 | 3/- | 150 | ≥ 50 | — | 30…300 | ≤ 0,5 | SOT89 | Марк. D882 |
| 2SD882N (BR3DA882N) | 1/10 | 40 | 30 | 5 | 3/- | 150 | 90 | 45 | 30…400 | ≤ 0,5 | SOT223 | Гр. R/Q/P/E Марк. D882BN |
| 2SD882ZGP | 1,5/- | 40 | 30 | 5 | 3/3 | 150 | 100 | 55 | 30…500 | ≤ 0,5 | SOT223 | Гр. Q/P/E Марк. Q82, P82, E82. |
| D882SS | 40 | 30 | 5 | 150 | 80 | 45 | 30…400 | ≤ 0,5 | SOT23 | Гр. Q/P/E Марк. D82 L/G |
Аналоги
Для замены могут подойти транзисторы кремниевые, со структурой NPN, усилительные, линейные. Разработаны для применения в широкополосных усилителях мощности, стабилизаторах, преобразователях напряжения.
Отечественное производство
| Тип | PC | UCB | UCE | UEB | IC | TJ | fT | Cob | hFE | Корпус | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SD882 | 1/10 | 40 | 30 | 5 | 3/7 | 150 | 80 | 45 | ≤0,5 | TO126 | |
| 2Т903А/Б | 30 | 60 | 60 | 4 | 3 | 150 | 180 | 15…180 | ≤ 2,0 | ||
| 2Т/КТ908А | 50 | 140 | 100 | 5 | 10 | 150 | ≥ 50 | — | 8…60 | ≤ 1,5 | КТЮ-3-20 |
| КТ908Б | 50 | 140 | 60 | 5 | 10 | 150 | ≥ 30 | — | ≥ 20 | ≤ 1,0 | КТЮ-3-20 |
| КТ921А/Б | 12,5 | 65 | 65 | 4 | 3,5 | 150 | — | 50 | 45 | ≤ 1,8 | ТО-60 |
| КТ925В/Г | 25 | 36 | 36 | 3,5 | 3,3 | 150 | 450 | 60 | 80 | — | КТ-17 |
| КТ932А/Б/В | 20 | 80/60/40 | 80/60/40 | 4,5 | 2 | 150 | ≥ 40 | ≤ 300 | 40…120 | ≤ 1,5 | ТО-3 |
| 12,5 | 5 | 1,5 | 150 | ≥ 50 | — | 20…500 | ≤ 0,5 | ТО126 | |||
| КТ972А/Б/В/Г | 8 | 60/45/60/60 | 60/45/60/60 | 5 | 2 | 150 | ≥ 200 | — | ≥ 750 | ≤ 1,5 | ТО126 |
Зарубежное производство
| Тип | PC | UCB | UCB | UEB | TJ | fT | Cob | hFE | UCE(sat) | Корпус | Маркировка на корпусе | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SD882 | 1/10 | 40 | 30 | 5 | 3/7 | 150 | 80 | 45 | 30…400 | ≤ 0,5 | TO126 | — |
| 2SC4342 | 150 | 100 | 8 | 3/5 | 150 | — | — | ≤ 1,5 | TO126 | — | ||
| 2SC5694 | 1,2/10 | 60 | 50 | 6 | 7/10 | 150 | 330 | 28 | 150…300 | ≤ 0,26 | TO126ML | — |
| 2SD1506 | 1,2/10 | 60 | 50 | 5 | 3/4,5 | 150 | 90 | 40 | 56…390 | ≤ 1,0 | TO126 | — |
| 2SD1694 | 1,3/20 | 60 | 60 | 7 | 3/5 | 150 | 250 | 50 | 500…3200 | ≤ 0,4 | TO126 | — |
| 2SD1899L | 2/10 | 60 | 60 | 7 | 3/- | 150 | 100 | 35 | 25…400 | ≤ 0,8 | TO126 | — |
| BTC1510T3 | 1/10 | 150 | 150 | 5 | 150 | — | — | ≥ 100 | ≤ 3,0 | TO126 | — | |
| BTD2150AD3 | 1/10 | 50 | 50 | 5 | 3/7 | 150 | 90 | 45 | 100…820 | ≤ 0,5 | TO126 | — |
| CSD1506P/Q/R | 1,2/10 | 60 | 50 | 5 | 3/4,5 | 150 | 90 | 40 | 56…390 | ≤ 1,0 | TO126 | — |
| KSD1693 | — /15 | 80 | 60 | 8 | 3/- | 150 | — | — | 4000 | — | TO126 | — |
| 2N5154-220M | — /10 | 100 | 80 | 5 | 5/10 | 200 | 560 | 25…200 | ≤ 1,5 | TO252 | ||
| 2N5154SM | -/10 | 100 | 80 | 6 | 2/10 | 200 | ≤ 250 | 35…200 | ≤ 1,5 | TO252 | ||
| 2SCR573D | -/10 | 50 | 50 | 6 | 3/6 | 150 | 320 | 20 | 180…450 | TO252 | CR573 | |
| 2SCR573DA08 | -/10 | 50 | 50 | 6 | 3/6 | 150 | 320 | 20 | 180…450 | ≤ 0,35 | TO252 | CR573 |
| NSS1C301E | -/12,5 | 140 | 100 | 6 | 3/- | 150 | 120 | 30 | 120 | — | TO252 | 1C31E |
| NSS1C300ET4G | -/12,5 | 140 | 100 | 6 | 3/6 | 150 | 100 | 60 | 50…360 | ≤ 0,4 | TO252 | 1C30EG |
| STC503D | -/10 | 80 | 65 | 5 | 3/6 | 150 | 250 | 15 | 300…500 | 0,4 | TO252 | STC503 |
| 2SD1899-Z | 1/10 | 90 | 60 | 7 | 3/- | 150 | 120 | 30 | 50…400 | ≤ 0,25 | TO251 | — |
| SZD2150A3 | -/10 | 100 | 60 | — | 6/- | 150 | 210 | — | 120 | — | TO251 | — |
| BTD2150A3 | 0,75/- | 80 | 50 | 6 | 3/7 | 150 | 90 | 13 | 150…820 | ≤ 0,25 | TO92 | D2150 |
| 2DC4672 | 0,9/- | 60 | 50 | 6 | 3/6 | 150 | 180 | 17 | 45…270 | ≤ 0,35 | SOT89 | 4672 |
| 2SCR533PFRA | 0,5/- | 50 | 50 | 6 | 3/6 | 150 | 320 | 13 | 180…450 | ≤ 0,35 | SOT89 | NM |
| 2SD2098Q/R/S | 0,5/- | 50 | 20 | 6 | 5/10 | 150 | 150 | 30 | 120…390 | ≤ 1,0 | SOT89 | — |
| FJC1963 | 0,5/- | 50 | 30 | 6 | 3/- | 150 | — | — | 120…560 | ≤ 0,45 | SOT89 | BB |
| PBSS4330X | 0,55/- | 50 | 30 | 6 | 3/5 | 150 | ≥100 | ≤ 30 | 180…700 | ≤ 0,3 | SOT89 | ٭1R |
| PBSS4350X | 0,55/- | 50 | 50 | 5 | 3/5 | 150 | ≥100 | ≤ 25 | 100…700 | ≤ 0,37 | SOT89 | S43 |
| ST2SC4541U | 0,5/- | 80 | 50 | 6 | 3/- | 150 | 100 | 20 | 40…400 | ≤ 0,5 | SOT89 | — |
| ST2SD1760U | 1,0/- | 60 | 45 | 5 | 3/4,5 | 150 | 90 | 40 | 82…390 | ≤ 1,0 | SOT89 | — |
| STC4350F | 0,5/- | 60 | 50 | 6 | 3/6 | 150 | 210 | 18 | 40…240 | ≤ 0,35 | SOT89 | HW8 |
| STC503F | 0,5/- | 80 | 65 | 5 | 3/6 | 150 | 250 | 15 | 300…500 | ≤ 0,4 | SOT89 | C503 |
| TSD2150A | 0,6/- | 80 | 50 | 6 | 3/6 | 150 | 90 | 45 | 150…400 | ≤ 0,25 | SOT89 | — |
| WTM1624 | 0,5 | 60 | 50 | 6 | 3/6 | 150 | 150 | 25 | 100…560 | ≤ 0,5 | SOT89 | — |
Примечание: данные в таблице взяты из даташип компаний-производителя.
Графические иллюстрации характеристик
Рис. 1. Внешняя характеристика транзистора в схеме с общим эмиттером: зависимость коллекторного тока IC от напряжения коллектор-эмиттер UCE.
Характеристика снята при нескольких значениях тока базы (управления) IB.
Рис. 2. Зависимость статического коэффициента усиления по току hFE от величины коллекторной нагрузки IC.
Характеристика снята при коллекторном напряжении UCE = 2 В.
Рис. 3. Зависимости напряжений насыщения коллектор-эмиттер UCE(sat) и база-эмиттер UBE(sat) транзистора от величины коллекторной нагрузки IC.
Характеристики получены для соотношения токов IC/IB = 10.
Рис. 4. Изменение граничной частоты усиления (частоты среза) fT при изменении нагрузки IC.
При снятии характеристики напряжение коллектор-эмиттер UCE = 5 В.
Рис. 5. Зависимость емкости коллекторного перехода транзистора Cob от приложенного обратного напряжения коллектор-база UCB.
Характеристика снята при частоте процесса f = 1 МГц и при отсутствии тока эмиттера IE = 0.
Рис. 6. Снижение токовой нагрузки транзистора (в процентах) от максимальной при возрастании температуры среды Ta.
S/b LIMITED – снижение по условию предотвращения вторичного пробоя.
DISSIPATION LIMITED – снижение по условию общего перегрева п/п структуры.
Рис. 7. Снижение предельной мощности рассеивания PC при нарастании температуры среды Ta.
Рис. 6. Область безопасной работы транзистора.
Характеристика получена в режиме подачи одиночного неповторяющегося импульса тока IC MAX (PULSED) разных длительностей: 100 мкс, 1 мс, 10 мс; при постоянном токе IC MAX (CONTINUOUS) и при его снижении (DC OPERATION).
Температура корпуса транзистора во всех режимах ограничивалась на уровне Tc = 25°C.
При увеличении температуры следует линейно снижать значения ограничивающих токов и напряжений (надпись на поле рисунка).