чем заменить транзистор bc847c

Чем заменить транзистор bc847c

Обозначение транзистора КТ315Б на схемах

На принципиальных схемах транзистор обозначается как буквенным кодом, так и условным графическим. Буквенный код состоит из латинских букв VT и цифры (порядкового номера на схеме). Условное графическое обозначение транзистора КТ315Б обычно помещают в кружок, символизирующий его корпус. Короткая черточка с линией от середины символизирует базу, две наклонные линии, проведенные к ее краям под углом 60°, — эмиттер и коллектор. Эмиттер имеет стрелку, направленную от базы.

Характеристики транзистора КТ315Б

Аналоги транзистора КТ315Б

Транзистор КТ315Б

Если вы смотрите на логотип транзистора и его ноги смотрят вниз. Тут самое простое это вставить транзистор в мультиметр где имеется проверка транзисторов. 315 серия это n-p-n кристалл, 361 серия p-n-p кристалл.

Справка об аналогах биполярного высокочастотного npn транзистора BC847C.

Можно попробовать заменить транзистор BC847C
транзистором 2N2222;
транзистором BC547C;
транзистором
транзистором FMMTA06;
транзистором

Коллективный разум.

дата записи: 2016-05-31 01:30:30

Добавить аналог транзистора BC847C.

Вы знаете аналог или комплементарную пару транзистора BC847C?

КТ315: аналоги в мире

Добавьте. Поля, помеченные звездочкой, являются обязательными для заполнения.

Содержание справочника транзисторов

Параметры полевых транзисторов n-канальных.
Параметры полевых транзисторов p-канальных.
Добавитьописание полевого транзистора.

Параметры транзисторов биполярных низкочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных низкочастотных pnp.
Параметры транзисторов биполярных высокочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных высокочастотных pnp.
Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных pnp.
Добавитьописание биполярного транзистора.

Параметры биполярных транзисторов с изолированным затвором (БТИЗ, IGBT).
Добавитьописание биполярного транзистора с изолированным затвором.

Поиск транзистора по маркировке.
Поиск биполярного транзистора по основным параметрам.
Поиск полевого транзистора по основным параметрам.
Поиск БТИЗ (IGBT) по основным параметрам.

Типоразмеры корпусов транзисторов.
Магазины электронных компонентов.

Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.

Транзисторы КТ817А, КТ817Б, КТ817В, КТ817Г.

Транзисторы КТ817, — кремниевые, универсальные, мощные низкочастотные, структуры — n-p-n.
Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, преобразователях и импульсных схемах.
Корпус пластмассовый, с гибкими выводами.
Масса — около 0,7 г. Маркировка буквенно — цифровая, на боковой поверхности корпуса, может быть двух типов.

Кодированая четырехзначная маркировка в одну строчку и некодированная — в две. Первый знак в кодированной маркировке КТ817 цифра 7, второй знак — буква, означающая класс. Два следующих знака, означают месяц и год выпуска. В некодированной маркировке месяц и год указаны в верхней строчке. На рисунке ниже — цоколевка и маркировка КТ817.

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока у транзисторов КТ817А, КТ817Б, КТ817В — 20.
У транзистора КТ817Г — 15.

Граничная частота коэффициента передачи тока — 3 МГц.

Максимальное напряжение коллектор — эмиттер. У транзистора КТ817А — 25в.
У транзисторовКТ817Б — 45в.
У транзистора КТ817В — 60в.
У транзистора КТ817Г — 80в.

Максимальный ток коллектора. — 3А. Рассеиваемая мощность коллектора — 1 Вт, без теплоотвода, 25 Вт — с теплоотводом.

Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 3А, а базы 0,3А — не более 1,5в.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 3А, а базы 0,3А — не более 0,6в.

Обратный ток коллектора у транзисторов КТ817А при напряжении коллектор-база 25в, транзисторов КТ817Б при напряжении коллектор-база 45в, транзисторов КТ817В при напряжении коллектор-база 60в, транзисторов КТ817Г при напряжении коллектор-база 100 в — 100мкА.

Емкость коллекторного перехода при напряжении коллектор-база 10 в, на частоте 1МГц — не более — 60 пФ.

Емкость эмиттерного перехода при напряжении эмиттер-база 0,5 в — 115 пФ.

Комплиментарный (аналогичный по параметрам, но противоположной проводимости)транзистор — КТ816.

Зарубежные аналоги транзисторов КТ817.

КТ817А — TIP31A
КТ817Б — TIP31B
КТ817В — TIP31C
КТ817Г — 2N5192.

Транзисторы — купить… или найти бесплатно.

Где сейчас можно найти советские транзисторы?
В основном здесь два варианта — либо купить, либо — получить бесплатно, в ходе разборки старого электронного хлама.

Если же у вас, имеется какая-то старая, ненужная техника — сломанные телевизоры, магнитофоны, приемники и.

Навигация по записям

т. д — можно попытаться добыть транзисторы (и другие детали) из него.
Проще всего обстоит дело с КТ315. В любой промышленной и бытовой аппаратуре и с середины 70-х годов двадцатого века и заканчивая началом 90-х его можно встретить практически повсеместно.
КТ3102 можно найти в предварительных каскадах усилителей магнитофонов — «Электроника», «Вега», «Маяк», «Вильма» и. т. д.
КТ817 — в стабилизаторах блоков питания тех же магнитофонов, иногда в оконечных каскадах усилителей звука (в магнитолах Вега РМ-238С,РМ338С и. т. п)

Источник

Цветная маркировка транзисторов кт3102

Характеристики отечественного транзистора КТ3102 говорят о том, что он кремневый маломощный биполярный эпитаксиально-планарный с n-p-n- структурой, относится к универсальным. Используется в низкочастотных устройствах, чувствительных к шумам. Встречается в переключающих, генераторных устройствах, входных и последующих каскадах усилителей СЧ и ВЧ, селекторах телевизионных каналов. Радиолюбители иногда называют его “супербетта”. Из за небольшой толщины базы статический коэффициент усиления по току hFE достигает тысячи.

Техническое описание

Транзистор выпускается с гибкими выводами в пластмассовом корпусе КТ-26 (ТО-92), либо в металлостеклянном корпусе КТ-17. Цоколевка выводов кт3102 следующая: 1 – эмиттер, 2 – база, 3 –коллектор.

Характеристики

Все нижеуказанные характеристики для транзисторов в пластиковом корпусе КТ3102 (А-Л) идентичны соответствующим параметрам в металлостекленном (АМ- ЛМ).

предельно допустимые электрические эксплуатационные данные (при температуре окружающей среды от +25 °C):

При превышении рабочей температуры окружающей среды (Tокр.) более +25 °C максимально допустимая мощность рассчитывается по формуле PK макс = (150-Tокр °C)/ 0,4 °C, мВт.

основные электрические параметры:

При выборе транзистора обратите внимание на дату выпуска и его предельно допустимые напряжения и токи, определите возможность его использования в схеме. Более новые модели имеют преимущества перед старыми, так как производители непрерывно работают над улучшением характеристик в своих продуктах. Не стоит забывать, что у некоторых из них (например КТ3102Г, КТ3102Е) предельные значения по напряжению не превышают 20 В. Ниже приведена классификация КТ3102.

По мнению радиолюбителей, несмотря на идентичность характеристик заявленных производителем, транзистор в пластиковом корпусе немного уступает металлостеклянному. Так, при работе на предельно допустимых параметрах, пластик расширяется и сжимается, что нередко приводит к отрыву выводов от кристалла. Это основная причина, из за которой стоит подумать о применении устройства в пластиковом корпусе. Кроме того пластик иногда становится не герметичен и вдоль выводов к кристаллу может проникать влага. Считают, что в металлопластиковом корпусе кристалл рассеивает большую мощность. Так же у него будет меньшее тепловое сопротивление, а следовательно устройство будет меньше греться и в свою очередь схема будет работать более стабильней.

Аналоги

Зарубежными аналогами, с похожими техническими характеристиками считаются: BC 174, 2S A2785, BC 182, BC 546, BC 547, BC 548, BC 549. Прототипами для разработки некоторых серий КТ3102 были: BC 307A, BC 308A BC 308B, BC 309B, BC 307B, BC 308C, BC 309C. Из российских аналогов КТ-3102, в качестве замены может подойти КТ 611 или популярный КТ315 с группой Б, Г, Е.

Комплементарная пара

Комплементарной парой для него является транзистор с PNP-проводимостью KT3107.

Маркировка

Транзисторы маркируются на боковой стороне корпуса. КТ3102 разных годов выпуска могут встречается с различной маркировкой. До 1995 года производители использовали цветовую и кодовую (буквенно-цифровая и символьно-цветовая) маркировку. Советские транзисторы КТ3102 до 1986 года, изготовленные в корпусе КТ-26, можно узнать по темно-зеленой точке на передней части корпуса. По цвету точки, нанесенной на корпусе сверху, определить принадлежность транзистора конкретной к группе. Дата выпуска при цветовой обозначении могла не указываться.

Маркировать транзистор кт3102 с использованием стандартного метода начали с 1986 года. Согласно кодовой метки он узнаваем по белой фигуре прямоугольного треугольника, размещенного на передней части корпуса (слева сверху), обозначающему его тип (модель). Правее указывается групповая принадлежность, а в нижней части год и месяц даты выпуска. В стандартной кодовой маркировке так же указывался год и месяц выпуска транзистора.

Иногда встречается нестандартные цветовые и кодовые маркировки. Как правило, в них не хватает информации о дате выпуска или групповой принадлежности. Современные производители, уже не используют фигуры в обозначении, а указывают на корпусе полное название типа и группы транзистора. Кроме этого на корпусе можно увидеть знак, указывающий на производителя устройства.

Как уже писалось ранее, транзистор встречается в пластиковом и металлическом корпусе. Устройства с пластиковым корпусом КТ-26 содержат в конце символ “М”. Например КТ3102ВМ это транзистор в пластиковом корпусе КТ-26, а КТ3102В в металлическом КТ-17.

Таблица 1 – Краткие технические характеристики транзисторов КТ315 и КТ315-1

Применение

Когда то, этот транзистор применялся почти во всех советских магнитофонах с магнитной головкой в качестве усилителя сигнала. В настоящее время его продолжают использовать в тех случаях, когда уровень сигнала на входе очень маленький и его необходимо усилить до определённого уровня. В связи с тем, что h21E у данного транзистора довольно высок, а коэффициент шума достаточно низкий его применение в усилителях является хорошим вариантом. Вот пример самостоятельной сборки схемы для усилителя на кт3102.

Детали

Каркасом для намотки катушки L1 служит резистор R2, именно поэтому на схеме он указан двухваттным, потому что нужны размеры для намотки катушки. Катушка L1 содержит 25-30 витков провода ПЭВ 0,35, намотанного на резистор R2, и концы этой катушки распаяны на выводы R2.

Катушка L2 — готовый дроссель на 5-15 миллигенри. Можно заменить и самодельным дросселем на такую индуктивность. Транзисторы КТ3102 можно заменить любыми аналогами. Светодиод НИ — любой индикаторный светодиод, например, АЛ307.

С эмиттера VТЗ можно подать напряжение для управления какой-то схемой, которая должна включаться при прикосновении к дверной ручке.

Кт3102 цоколевка и параметры

Ежедневная отправка заказов производится из г. При общей сумме заказа более рублей — доставка почтой России за счет магазина! После получения он-лайн оплаты, мы предоставим Вам электронный чек ОФД — который приравнен к обычному бумажному чеку и может быть использован Вами для любых целей — для отчета в бухгалтерии или разрешения спорных ситуаций, а после комплектации и отправки заказа как правило суток — предоставим ссылку для отслеживания местонахождения заказа на электронную почту и продублируем смс сообщением. Вы в любой момент можете узнать — где именно находится заказ!

Транзистор КТ3102А

В публикации будут отображены аналоги и возможные замены для транзисторов зарубежного производства. Данная публикация будет пополняться по мере появления новых материалов. Нужно заменить диод или стабилитрон? Для поиска эквивалентных замен транзисторов по параметрам можно воспользоваться формами на сайте alltransistors. Информация по транзистору была найдена на сайте www. Используется в переключающих устройствах, где нужно высокое быстродействие. Исходя из приведенных параметров и используя страничку поиска «Bipolar Transistor Cross-Reference Search» можно поискать похожие по параметрам транзисторы, вот пример заполнения формы, исходя из параметров полученных из даташита на NTE

В 90 годах на замену КТ был разработан транзистор КТ с улучшенными параметрами. Комплементарной парой ему есть.

Зарубежные аналоги КТ3102

Для замены KT 3102

существует очень большое количество зарубежных аналогов KT 3102. Аналог может быть абсолютно идентичен оригиналу, например, КТ3102 можно смело заменять на 2 SA 2785. Эта замена KT 3102 абсолютно никак не повлияет на работу конкретной схемы, т.к транзисторы имеют одинаковые показатели. Существуют также неидентичные аналоги, которые немного отличаются по показателям, но их использование всё равно возможно в некоторых случаях.

Некоторые зарубежные аналоги КТ3102 были приведены в таблице. Также данный прибор может быть заменён отечественными аналогами КТ611 и КТ660 либо на такие зарубежные аналоги, как ВС547 и ВС548.

Источник

Чем заменить транзистор bc847c

Наименование производителя: BC847C

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 520

BC847C Datasheet (PDF)

0.5. bc847cwr.pdf Size:417K _central

BC846W SERIESBC847W SERIESwww.centralsemi.comSURFACE MOUNTDESCRIPTION:NPN SILICON TRANSISTORThe CENTRAL SEMICONDUCTOR BC846W and BC847W Series types are NPN Silicon Transistors manufactured by the epitaxial planar process, epoxy molded in a SUPERminiTM surface mount package, designed for general purpose switching and amplifier applications. MARKING CODE: SEE MARKING CODE

0.7. bc847cdlp.pdf Size:113K _diodes

BC847CDLP NPN DUAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features Epitaxial Planar Die Construction B EDFN1310H4-6 Ideally Suited for Automated Assembly Processes CDim Min Max Typ Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 1) «Green» Device (Note 2) CA 1.25 1.38 1.30 E B Ultra Low Profile Package B 0.95 1.08 1.00 To p ViewMechanical Data C 0.20 0.30 0.25

BC847CDXV6T1,BC847CDXV6T5BC848CDXV6T1,BC848CDXV6T5Dual General Purposehttp://onsemi.comTransistorsNPN Duals(3) (2) (1)These transistors are designed for general purpose amplifierapplications. They are housed in the SOT-563 which is designed forQ1 Q2low power surface mount applications. Lead-Free Solder Plating(4) (5) (6)MAXIMUM RATINGSBC847CDXV6T1Rating Symb

BC846BDW1, BC847BDW1,BC848CDW1Dual General PurposeTransistorsNPN Dualswww.onsemi.comThese transistors are designed for general purpose amplifierapplications. They are housed in the SOT-363/SC-88 which isdesigned for low power surface mount applications.Features SOT-363CASE 419B S and NSV Prefixes for Automotive and Other ApplicationsSTYLE 1Requiring Unique Site and

BC847CDXV6T1G,BC847CDXV6T5G,BC848CDXV6T1GDual General PurposeTransistorshttp://onsemi.comNPN Duals(3) (2) (1)These transistors are designed for general purpose amplifierapplications. They are housed in the SOT-563 which is designed forlow power surface mount applications.Q1 Q2Features These are Pb-Free Devices(4) (5) (6)BC847CDXV6T1MAXIMUM RATINGSRating Symb

BC846BDW1, BC847BDW1,BC848CDW1Dual General PurposeTransistorsNPN Dualswww.onsemi.comThese transistors are designed for general purpose amplifierapplications. They are housed in the SOT-363/SC-88 which isdesigned for low power surface mount applications.Features SOT-363CASE 419B S and NSV Prefixes for Automotive and Other ApplicationsSTYLE 1Requiring Unique Site and

BC847ATT1, BC847BTT1,BC847CTT1General PurposeTransistorsNPN Siliconhttp://onsemi.comThese transistors are designed for general purpose amplifierapplications. They are housed in the SC-75/SOT-416 package whichCOLLECTORis designed for low power surface mount applications. 3Features1BASE Pb-Free Packages are Available*2EMITTERMAXIMUM RATINGS (TA = 25C)Rating

BC846, BC847, BC848General PurposeTransistorsNPN SiliconThese transistors are designed for general purpose amplifierwww.onsemi.comapplications. They are housed in the SC-70/SOT-323 which isdesigned for low power surface mount applications.COLLECTORFeatures3 S and NSV Prefix for Automotive and Other Applications RequiringUnique Site and Control Change Requirements; AEC

BC846, BC847, BC848General PurposeTransistorsNPN SiliconThese transistors are designed for general purpose amplifierwww.onsemi.comapplications. They are housed in the SC-70/SOT-323 which isdesigned for low power surface mount applications.COLLECTORFeatures3 S and NSV Prefix for Automotive and Other Applications RequiringUnique Site and Control Change Requirements; AEC

BC847CDXV6T1G,SBC847CDXV6T1G,BC847CDXV6T5G,BC848CDXV6T1GDual General Purposehttp://onsemi.comTransistors(3) (2) (1)NPN DualsThese transistors are designed for general purpose amplifierQ1 Q2applications. They are housed in the SOT-563 which is designed forlow power surface mount applications.(4) (5) (6)Features AEC-Q101 Qualified and PPAP CapableBC847CDXV6T1

BC846, BC847, BC848SeriesGeneral PurposeTransistorsNPN Siliconhttp://onsemi.comThese transistors are designed for general purpose amplifierapplications. They are housed in the SC-70/SOT-323 which isCOLLECTORdesigned for low power surface mount applications.3Features1 Pb-Free Packages are AvailableBASE2EMITTERMAXIMUM RATINGS3Rating Symbol Value UnitSC-7

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.LBC846ADW1T1GDual General Purpose TransistorsLBC846BDW1T1GNPN DualsLBC847BDW1T1GLBC847CDW1T1G These transistors are designed for general purpose amplifierLBC848BDW1T1Gapplications. They are housed in the SOT363/SC88 which isLBC848CDW1T1Gdesigned for low power surface mount applications.We declare that the material of product compliance wit

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.General Purpose TransistorsNPN Silicon Moisture Sensitivity Level: 1 LBC846ALT1GS-LBC846ALT1G ESD Rating Human Body Model: >4000 VESD Rating Machine Model: >400 V Series We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Siteand Control Chang

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.General Purpose TransistorsLBC846AWT1G,BWT1GLBC847AWT1G,BWT1GNPN SiliconWe declare that the material of product compliance with RoHS requirements. CWT1GS- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique SiteLBC848AWT1G,BWT1Gand Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.CWT1G( )ORDERING INFORMATION Pb Free

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.Dual General Purpose TransistorsNPN/PNP Duals (Complimentary)LBC846BPDW1T1G These transistors are designed for general purpose amplifierLBC847BPDW1T1Gapplications. They are housed in the SOT363/SC88 which isLBC847CPDW1T1Gdesigned for low power surface mount applications.LBC848BPDW1T1GLBC848CPDW1T1GWe declare that the material of product comp

Источник